تحلیل داده‏های ترازهای اشغال نشده سطوح فلزات با استفاده از روش طیف‏نگاری معکوس فوتوالکترونی

ترازهای سطوح اشغال ‏شده و اشغال ‏نشده صفحات با اندیسهای میلر پایین نظیر (110)، (111)، (100) فلزات نجیب تک‏ بلوری یعنی طلا، نقره و مس اثرات مهمی بر رفتار فیزیکی (الکتریکی و نورانی) چنین سطوحی دارند. با استفاده از روش طیف نگاری گسیل معکوس فوتونها می‏توان ترازهای خالی و به روش طیف‏نگاری گسیل فوتونی، ترازهای پرشده سطوح را به طور تجربی مطالعه نمود. طیف‏نگاری معکوس فوتوالکترون یک روش پیشرفته علوم سطح برای اندازه‏گیری ترازهای اشغال نشده با دقت بسیار خوب می باشد. بررسی رفتار الکترونیکی ترازهای سطحی در سطوح فلزات تک ‏بلوری مخصوصا توجه ویژه ای را می‏طلبد. ساختار الکترونیکی مس خالص (110) بوسیله طیف‏نگاری معکوس فوتو الکترونی فرابنفش با دقت ev5/0 مورد مطالعه قرار گرفته است. ترازهای سطحی اشغال نشده در این کار تحقیقاتی مورد مطالعه قرار گرفته‏اند. برای کشف ترازهای جدید الکترونیکی بر روی سطح مس خالص، ابتدا نمونه مورد نظر بدقت آماده شد و سپس کلیه آزمایشها در شرایط خلا فوق بالا صورت گرفت. بعد از اطمینان از آماده شدن سطح که توسط روشهای پراش توسط الکترونهای کم انرژی و طیف‏نگاری فوتو الکترون پرتوی x انجام شده‏است، آزمایشهای طیف‏نگاری بازتابی ناهمسانگرد، طیف‏نگاری فوتوالکترونی فرابنفش و طیف‏نگاری معکوس فوتو الکترون فرابنفش انجام گرفته‏است، نتایج آزمایشهای بدست آمده با استفاده از طیف‏نگاری معکوس فوتو الکترون برای ترازهای اشغال نشده مقدار ev5/2 را نشان داد که بخوبی با کارهای دیگران همخوانی دارد. در نهایت فرآیند آزمایش برای طیف‏نگاری معکوس فوتو الکترون در شرایط دمایی مختلف انجام شد.