اثرات میدان مغناطیسی روی نانو نوارهای گرافنی

در این پایان نامه به بررسی خواص الکترونیکی نانو نوارهای گرافینی با استفاده از تقریب تنگ بست و روش تابع گرین می پردازیم. برای این کار ابتدا نانو نوارهای گرافینی را بدون هیچ گونه ناخالصی و میدان خارجی در نظر گرفته، و برای عرضهای مختلف خواص الکترونیکی و وابستگی آنرا به اندازه ی عرض نوار و شکل لبه ها تعیین می کنیم. در مرحله ی بعد خواص الکترونیکی دستگاه را با در نظر گرفتن میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی در پیمانه ی لانداو مورد بررسی قرار داده و در مورد وابستگی این خواص به اندازه ی عرض نوار، شکل لبه ها و شدت میدان مغناطیسی اعمالی بحث خواهیم کرد. فصل اول شامل مقدمه ای بر نانو فناوری و معرفی گرافین و نانو نوارهای گرافینی به عنوان ترکیبات جدید کربن می باشد. در فصل دوم به بررسی مدلهای بس ذره ای برای نمونه مدل هابارد و تقریب تنگ بست می پردازیم. در فصل سوم با استفاده از تکنیک توابع گرین معادله ی حرکت در تصویر هایزنبرگ را مورد بحث قرار داده و در انتهای این فصل توابع گرین الکترونهای بدون برهمکنش بلاخ را بدست می آوریم( با استفاده از این توابع گرین می توان چگالی حالات الکتونی برای الکترونهای بدون برهمکنش بلاخ را در دستگاه نانو نوارهای گرافینی بدست آورد). در فصل چهارم حالات الکترونی نانو نوارهای گرافینی خالص( بدون ناخالصی و میدان خارجی) و وابستگی آنها به اندازه ی عرض نوار و شکل لبه ی نوار بصورت کامل بررسی شده است. فصل پنجم مقدمه ای بر اثرات میدان مغناطیسی بر دستگاه های الکترونی می باشد. در این فصل توابع موج الکترونی در حضور میدان مغناطیسی با استفاده از پیمانه ی لانداو تعیین می-شوند. در آخرین فصل این پایان نامه یعنی فصل ششم نانو نوارهای گرافینی را در حضور میدان مغناطیسی یکنواخت مورد بررسی قرار داده ایم. و در مورد وابستگی خواص الکترونیکی دستگاه نانو نوارهای گرافینی و وابستگی آن به اندازه-ی عرض نوار، شکل لبه ها و همچنین شدت میدان مغناطیسی بطور کامل بحث می کنیم.