شبیه سازی اند چشمه دستگاه تولید پرتو x و بررسی پارامترهای موثر در کاهش تابش های انرژی پایین در طیف دستگاه

ارزیابی ویژگی‌های کیفیت دسته پرتو X دستگاه رادیوتراپی سطحی با روش تجربی و شبیه سازی

One of the most common methods used in radiation therapy for the treatment of superficial skin lesions using the ortho-voltage radiation X (the kVp 300), respectively. One of the most important indicators for the treatment of this type of device, the quality of the X-ray output is usually half the thickness of the absorption (HVL) Vanrzhy show photons effective. However, in this study, the coef...

بررسی عددی پارامترهای فیزیولوژیک دستگاه گردش خون با شبیه سازی یک بعدی

بررسی پارامترهای بهینه در شبیه سازی تولید اشعه ایکس ترمزی حاصل از الکترون های تولید شده لیزری به عنوان چشمه های فوتونوترونی

در این مقاله با استفاده از طیف‌های الکترونی حاصل از بر هم کنش لیزر-پلاسما تولید اشعه ایکسِ تابش ِترمزی در هدف‌های مختلف با استفاده از کدMCNPX  شبیه‌سازی می‌شود. هدف از این کار به دست آوردن جنس و ضخامت بهینه جهت بازدهی بالای تولید اشعه ایکس، یافتن زاویه بهینه گسیلِ اشعه ایکس از هدف و   به دست آوردن طیفِ الکترونی بهینه جهت ِتولید ِاشعه ایکس با شارِ مناسب جهت ِکاربردهای پزشکی وتولید ِنوترون است. نتای...

ارزیابی و اعتبارسنجی کد EGSnrc در شبیه سازی دستگاه شتاب دهنده Siemens Oncor® با انرژی 18 مگاولتاژ

Introdution: The aim of this study was to evaluate and benchmark EGSnrc code in the simulation of 18 MV photon beam produced by Siemens Oncor® linear accelerator. Methods: This study was conducted in a comparative and simulation based on experience method. The Beamnrc code was used to model the accelerator head and generate phase space files. The phase space files were obtained with the fo...

شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...