مطالعه عددی ساختار باند الکترونی و ضریب جذب اپتیکی در چاه کوانتومی کرنش یافته
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه
- نویسنده سینا آریامنش
- استاد راهنما هادی عربشاهی میثم باقری
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1389
چکیده
برای درک خواص اپتیکی در نیمه رساناها ، مانند جذب و بهره ی اپتیکی در اثر انتقال الکترونی ،دانستن ساختار نوار انرژی و تابع موج متناظر با آن ضرورت دارد. می توان با استفاده از مدل لوتینگر-کوهن مدل ویژه مقادیر و ویژه بردارهای چاههای کوانتومی را محاسبه کرد. این محاسبات سپس به حالتهای کرنش یافته گسترش داده می شود و اثر مهم حضور کرنش و نقشی که در ساختار باند انرژی دارد مورد بررسی قرار می گیرد. محاسبات این قسمت در مورد چاههای کوانتومی که از مواد مختلفی ساخته شده اند انجام می شود[1] . با داشتن اطلاعات کافی از توابع موج و انرژی، با استفاده از قاعده ی طلایی فرمی به بررسی گذارهای مجاز الکترونیکی پرداخته می شود. در این مرحله عامل مهم ضرایب جذب اپتیکی در چندین چاه کوانتومی کرنش یافته محاسبه می شود[2]. در ادامه ، نتایج قبلی را جهت تشریح پدیده های بهره و گسیل در لیزرهای چاه کوانتومی با یکدیگر ترکیب خواهیم کرد . با بیان مختصر خواص ترمودینامیک زیرباندهای رسانش و ظرفیت چاه کوانتومی در شرایط تزریق زیاد شروع می کنیم.این کار به ما اجازه میدهد که سطوح شبه فرمی الکترون ها و حفره ها را به غلظت حامل های تزریق شده ربط بدهیم و در نتیجه احتمالات اشغال حالت های الکترون ها و حفره ها را به عنوان تابعی از چگالی حامل ها در چاه تخمین بزنیم. و سپس بتوانیم شدت های جذب گسیل نوری بین حالت های حامل محدود به کوانتوم را بنویسیم. در بخش دیگری از این پایان نامه به محاسبه ی بهره ی اپتیکی در لیزر چاه کوانتومی کرنش یافته خواهیم پرداخت[3]. در این حالت نکته مهم در نظر گرفتن توابع توزیع غیر تعادلی می باشد. در پایان بهره ی اپتیکی برای چاههای کوانتومی نظیر ingaas/algaas محاسبه خواهد شد.در فصل دوم ساختار باند نیمه هادی ها در حضور کرنش مورد بررسی قرار می گیرد و تانسور کرنش را نشان می دهیم. اثر کرنش بر ساختار باند تاثیر می گذارد و نوار های حفره ی سبک ، حفره ی سنگین و شکافت را تغییر می دهد. در ادامه این فصل مقدار این تغییرات را به دست خواهیم آورد. در انتها ساده سازی عملی بیان می شود که جهت ارائه تقریب های ساده برای شبیه سازی اپتیکی قطعه مفید است و برای هر باند جداگانه بدست آورده می شود. در آخرین بخش این فصل نیز به محاسبه ی عددی چند چاه کوانتومی می پردازیم و انرژی هریک از باند ها را محاسبه می کنیم[4]. اندرکنش الکترونها و فوتون ها یکی از مهمترین بخش های فصل 3 می باشد که به تفصیل در مورد آن سخن گفته خواهد شد. عناصر ماتریسی از طریق قاعده ی طلائی فرمی بدست خواهد آمد و نرخ های جذب و گسیل را بدست خواهیم آورد. در انتها با تبدیل نرخ گذار به بهره ، بهره ماده در چاه کوانتومی را بدست خواهیم آورد. فصل چهار نیز به نتیجه گیری و توضیح مختصری در مورد فرآیند محاسبات اختصاص دارد . همچنین در این فصل پیشنهاداتی در مورد کارهای آینده ارائه گردیده است
منابع مشابه
وابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی GaN/AlGaN به پهنای سد و چاه کوانتومی
Internal polarizations field which take place in quantum structures of group-III nitrides have an important consequence on their optical properties. Optical properties of wurtzite AlGaN/GaN quantum well (QW) structures grown by MBE and MOCVD on c-plane sapphire substrates have been investigated by means of photoluminescence (PL) and time resolved photoluminescence (TRPL) at low-temperature. PL ...
متن کاملوابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی gan/algan به پهنای سد و چاه کوانتومی
در این مقاله اثر پهنای سد و پهنای چاه کوانتومی gan/algan بر روی انرژی گذارهای اپتیکی و طیف فتولومینسانس آنها با استفاده از تکنیک فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعه طیف فتولومینسانس این چاه های کوانتومی در دماهای پایین نشان می دهد که نحوه تغییرات انرژی گذار اپتیکی بر حسب پهنای سد در ساختارهای کوانتومی gan/algan بر خلاف آنچه که در سایر نیمرساناها از قبیل آلیاژهای gaas مشاهده شده, می ب...
متن کاملو چاه کوانتومی چندتائی InxGa1-xN بررسی مدهای اپتیکی آلیاژ در ناحیه فروسرخ دور In0.5Ga0.5N/GaN
Optical properties of InxGa1-xN alloy and In0.5Ga0.5N/GaN multi quantum wells have been investigated in the region of far infrared. Far-IR reflectivity spectra of In0.5Ga0.5N/GaN multi quantum wells on GaAs substrate have been obtained by oblique incidence p- and s-polarization light using effective medium approximation. The spectra and the dielectric functions response give a good informa...
متن کاملبهینه سازی بهره اپتیکی در لایه های نازک دیودهای لیزری چاه کوانتومی
Advanced diode laser consists of a two dimensional thin layer which is about 10 nanometers size. Optical gain of thin layers has a great deal of importance in light amplification. Thin layers cause a modification in conduction and valance bands of bulk materials. · Subbands have been computed through effective mass equations. As a result of this method, particular effective masses are avai...
متن کاملمطالعه اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر تابع دی الکتریک نانو لایه های نیمرسانا
در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...
متن کاملمحاسبه نظری خواص اپتیکی و ساختار الکترونی تیتانات باریوم در فاز مکعبی
The electronic structure and optical properties in cubic cry stal BaTiO3 are studied using full-potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method in density functional theory (DFT) with the generalized gradient approximation (GGA) by WIEN2K package. The calculated results of BaTiO3 are in good agreement with other theoretical and experimental results.
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023