نانو ترانزیستورهای cntfet با گیت اکسید تیتانیوم و کانال swcnt
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران
- نویسنده شیما دلیری راد
- استاد راهنما علی بهاری
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1389
چکیده
افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم به علت فراوانی و دارا بودن ثابت دی الکتریک بالا می تواند جایگزین مناسبی برای باشد. در این پایان نامه نانوذرات دی اکسید تیتانیوم که با روش سل – ژل سنتز شده است، ساختار و رفتار آن در دماهای بازپخت مختلف با روش های sem و xrd بررسی می شود.
منابع مشابه
مقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم
Recently, high – K materials such as Al2O3 and TiO2 films have been studied to replace ultra thin gate silicon dioxide film. In the present work, these films were grown on the top of Si(100) surface at different temperatures and under ultra high vacuum conditions. The obtained results showed that Al2O3 has a structure better than that of TiO2 and thus can be used as a good gate dielectric ...
متن کاملبررسی نانو لایه های دی اکسید تیتانیوم آلاییده با نیتروژن
در این تحقیق اثر افزایش آلایش نیتروژن در نانو لایه های TiO2 را روی خواص آبدوستی بررسی کردیم. نمونه‌ها به روش افشانه داغ تهیه شد. زمان بازپخت نمونه‌ها که نقش مهمی در ساختار نهایی نانو لایه‌ها دارد، 450 درجه سانتیگراد بود. مشاهده شد که خاصیت آبدوستی نمونه‌ها تحت نور فرابنفش، با افزایش درصد نیتروژن، افزایش می‌یابد. آبدوستی چهار نمونه آلاییده ت...
متن کاملمقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم
در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...
متن کاملتأثیر تغییرات ساختاری گیت و کانال در بهبود مشخصات کانال کوتاه ترانزیستورهای نانولوله کربنی
این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...
15 صفحه اولارائه ساختار نوین ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم روی عایق دو گیتی با پنجره اکسید در درین گسترده شده به‌منظور کاربرد در تکنولوژی نانو
ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023