محاسبه ساختار نواری نانو ساختارهای سیلیکان متخلخل به روش بستگی قوی تعمیم یافته

پایان نامه
چکیده

محاسبه ساختار الکترونیکی مواد مختلف و توابع طیفی مختلف این مواد برای اندازه های بزرگتر موضوع مطالعات گسترده بوده است. در این پژوهش روش چند جمله ای مغزی (kernel polynomial method) که به اختصار kpm می نامیم را برای بررسی حالت های الکترونی تهی جاهای با ابعاد مختلف در شبکه ی سیلیکان به کار می بریم. مزیت این روش در آن است که بدون آنکه نیاز به قطری کردن ماتریسی باشد، با روش های کاتوره ای چگالی حالات به دست می آید. معمولا این روش برای مدل های تنگ بست تک الکترونی به کار رفته است. در این پژوهش ما این روش را برای سیلیکان که در آن حداقل چهار اربیتال به ازای هر سایت شبکه دخیل هستند تعمیم می دهیم. پارامترهای تنگ بست مورد استفاده در این پژوهش چنان انتخاب شده اند که ساختار نواری حاصل از روش kpm با محاسبات اصل اولیه منطبق باشد. این تعمیم می تواند به عنوان بستری برای بررسی اثرات بی نظمی و تخلخل برای هر ماده ی معین در نظر گرفته شود. ایده ی وارد کردن تهی جاها می تواند برای تشریح نانو ساختارها مورد توجه قرار گیرد. چنانچه در این پایان نامه سعی شده با افزودن تعداد تهی جاها یک شبکه ی بلوری را به یک ساختار متخلخل به ابعاد نانو تبدیل کرد. اندازه گیری چگالی حالت ساختارهای به دست آمده تاییدی بر عملیات انجام شده می باشد.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

  Porous silicon (PS) layers come into existance as a result of electrochemical anodization on silicon. Although a great deal of research has been done on the formation and optical properties of this material, the exact mechanism involved is not well-understood yet.   In this article, first, the optical properties of silicon and porous silicon are described. Then, previous research and the prop...

متن کامل

اندازه‌گیری هیدروژن در عمق نمونۀ سیلیکان متخلخل به روش آشکارسازی ذرات پس‌زده از برخورد کشسان

Porous silicon (PS) samples are obtained by electrochemical anodization of Si wafers in HF+DMF solution. The hydrogen complex components are formed on the inner surface walls of porous silicon. In this work the depth profile of porous silicon is estimated by measurement of hydrogen content in the depth of the sample. Since the well-known ion beam analysis simulation programs are inappropriate f...

متن کامل

واهلش دی الکتریک نانو ساختار های سیلیکان متخلخل

برای ساخت سیلیکان متخلخل از ویفر سیلیکان نوع p با مقاومت -cm? 10-1 و با جهت بلوری (100) استفاده شده است. تخلخل بوسیله فرآیند الکتروشیمیایی، در محلول حاوی اسید hf و اتانول و با نسبت حجمی (1:1) صورت گرفته است. در طول زمان آندیزاسیون تمامی عوامل موثر بر میزان تخلخل مانند جنس سیلیکان زیر لایه، نوع محلول، شرایط محیط ( روشنایی، دمای محیط، میزان رطوبت) و چگالی جریان ثابت نگاه داشته شده و تنها با تغبیر...

رسانش الکتریکی همدوس یک نانو لوله کربنی در رهیافت بستگی قوی

In this study, we derive analytically Green’s function (GF) formalism to calculate the electrical conductance for an armchair SWCNT in the ballistic regime. We obtain an exact analytical formula for the conductance of the SWCNT, in the tight-binding approach and assuming nearest-neighbor interaction by recursion process in the GF formalism. We show that in the presence of uniform external poten...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023