ارزیابی تحلیلی ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترون بالا بر اساس گالیم نیترید
پایان نامه
- دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده مهندسی
- نویسنده احسان ابطحی حسینی
- استاد راهنما ابراهیم حسینی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1388
چکیده
در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شده است. مقاومت های پارازیتی سورس و درین نیز در مدل گنجانده شده اند. بعلاوه وابستگی قابلیت تحرک الکترون در میدان های پایین به ولتاژ گیت و مدل مناسب برای سرعت نفوذ در نظر گرفته شده است تا معادلاتی دقیق و ساده برای مشخصه های مختلف ادوات مادفت algan/gan بدست آید. با پیاده سازی مدل در نرم افزار matlab مشخصه هایی نظیر منحنی های جریان-ولتاژ، هدایت انتقالی، هدایت خروجی و ظرفیت خازنی گیت و درین و همچنین فرکانس قطع بدست آورده شده اند. نتایج بدست آمده از مدل تحلیلی تطابق خوبی با نتایج گزارش شده از al0.15ga0.85n دارند که به مدل اعتبار می بخشند.
منابع مشابه
بررسی قطبش ماکروسکوپیک در نیمه‌هادی‌های آلومینیم نیترید،گالیم نیترید و آلومینیم گالیم نیترید و تأثیر میزان غلظت آلومینیم بر گاف نواری و قطبش ماکروسکوپیک در نیمه‌هادی آلومینیم گالیم نیترید
در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب‌های نیمه‌هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش‌پذیری خودبه‌خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش‌پذیری و شدت آن برای نیمه‌هادی‌های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...
متن کاملبررسی قطبش ماکروسکوپیک در نیمه هادی های آلومینیم نیترید،گالیم نیترید و آلومینیم گالیم نیترید و تأثیر میزان غلظت آلومینیم بر گاف نواری و قطبش ماکروسکوپیک در نیمه هادی آلومینیم گالیم نیترید
در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...
متن کاملمهندسی میدان الکتریکی در نزدیکی گیت جهت بهبود عملکرد افزاره های با قابلیت تحرک الکترونی بالا مبتنی بر گالیوم نیترید
هدف ما در این پایان نامه ارائه راهکارهایی جهت بهبود عملکرد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا1 مبتنی بر گالیوم نیترید است. این پایان نامه در فصل های زیر تنظیم گردیده است: در فصل اول چالش ها و کاربردهای این افزاره ها مطرح شده است. در فصل دوم نحوه عملکرد ادوات با پیوند ناهمگون تشریح گردیده است و در فصل سوم نیمه هادی گالیوم نیترید از لحاظ فیزیکی مورد مطالعه قرار گرفته است. در فصل چهارم اص...
مطالعه و شبیه سازی یک مدل جدید برای ترانزیستورهای لایه نازک آلی با قابلیت تحرک(µ)بالا در ولتاژگیت پایین
اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...
15 صفحه اولبررسی اثر لایه های سد و پوش بر عملکرد سلول خورشیدی با ساختار چاه کوانتومی گالیم نیترید/ایندیوم گالیم نیترید
خواص ساختاری منحصر به فرد iii- نیتریدها این مواد را به گزینه مناسبی برای ساخت ادوات اپتوالکترونیک، به ویژهledها و سلول های خورشیدی تبدیل کرده است. ingan به دلیل دارا بودن گاف باندی مستقیم و تنظیم پذیر برای تمامی محدوده مفید طیف خورشیدی، ماده ایده آلی برای استفاده در ادوات فوتوولتائیک به شمار می رود. از طرفی به دلیل محدودیت ضخامت در لایه های شامل ایندیوم، نمی توان این لایه ها را در ابعاد کپه ای ...
مطالعه نظری خواص ساختاری والکترونی خوشه های کوچک گالیم نیترید (n=1-10) GanNn و ایزومرهایشان
در این مطالعه، خواص ساختاری و الکترونی خوشه های GanNn (10-1=n) با استفاده از فرمولبندی تابعی چگالی(DFT) و به روش PAW در بستهی نرم افزاری VASP مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاصل ازمحاسبات نشان میدهد که در ساختارهای پایدارتر خوشه های کوچک، اتمهای N تمایل بیشتری به تشکیل پیوند هایی بصورت واحدهای سازندهی 2N و یون آزید دارند، در حالی که در خوشه بزرگتر، ساختارهای سه بعدی قفس مانند با پیو...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده مهندسی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023