شبیه سازی و مدل سازی فرایندهای گازی و سطح برای لایه نشانی الماس و لایه های نازک شبه الماسی در راکتورهای پلاسمایی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
- نویسنده عبدالله سارانی
- استاد راهنما بابک شکری مازیار صهبا یغمایی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1387
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
شبیه سازی عددی و مدل تحلیلی برخورد مایل قطره با سطح زیرلایه در فرایند لایه نشانی به روش پاشش حرارتی
متن کامل
لایهنشانی و بررسی خواص لایه نازک کربن شبه الماسی اعمال شده بر پنجره مادون-قرمز سیلیکونی
پنجرههای مادون قرمز به عنوان محافظ سامانههای الکترواپتیک در صنایع هوایی و فضایی مورد استفاده قرار میگیرند. با این حال این پنجرهها تحت تاثیر شرایط نامساعد محیطی قرار گرفته و در نتیجه عملکرد سامانههای الکترواپتیک نیز دچار اختلال میشود. اعمال پوششهای محافظ بر پنجرههای مادون قرمز باعث افزایش عملکرد این پنجرهها خواهد شد. در این تحقیق لایه نازک کربن شبه الماسی با استفاده از دو گاز هیدروژن و...
متن کاملبررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین
In this paper, preparation and characterization of a-SiNx thin films deposited by LPCVD method from free radicals of TCS and NH3 gaseous system were investigated. These radicals are made by passing each of the precursor gases separately over Pt-Ir/Al2O3 catalyst at the temperature of 600 ᐤC. Kinetics of this process was investigated at different total pressures, NH3/TCS flow rate ratios and te...
متن کاملمدل سازی خشک شدن لایه نازک انگور سفید بی دانه
خشک کردن انگور به عنوان یکی از محصولات استراتژیک کشاورزی در ایران با چالشهای متعددی از جمله تغییر رنگ، فساد پذیری، آلودگی و زمان طولانی مواجه میباشد. با چنین رویکردی، پژوهش حاضر ضمن بررسی رفتار خشک شدن لایه نازک انگور سفید بیدانه ارومیه در خشککن هوای- داغ، مناسبترین مدل ریاضی برای توصیف منحنی فرآیند خشک شدن آن را معرفی میکند تا بتواند در طراحی خشک کن انگور مورد استفاده قرار گیرد. آزم...
متن کاملمدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی
در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023