بررسی رسانایی سطحی دی الکتریک در شرایط خاص

شبیه ‌سازی عددی جریان سیال در راکتور تخلیه سد دی ‌الکتریک سطحی گاز هلیم

هدف این پژوهش، شبیه ‌سازی عددی پدیده­ی پلاسما ناشی از اعمال میدان الکتریکی بر جریان سیال تراکم ناپذیر در راکتور تخلیه­ی سد دی‌ الکتریک است. برای شبیه ‌سازی این راکتور از روش سیال پلاسما استفاده شده است. گاز هلیم به‌ عنوان گاز پیش ‌زمینه و از پنج جزء و نه واکنش برای شبیه سازی این گاز استفاده ‌شده است. در این شبیه ‌سازی، معادلات بقا برای جزءها و معادله­ی پواسون میدان الکتریکی حل شده و نهایتاً با م...

بررسی و محاسبۀ نیروی کازیمیر بین سطوحِ زبرِ دی الکتریک

هدف ما در این پژوهش، بررسی نیروی کازیمیر بر روی سطوحِ دی الکتریکِ زبر است. در این بررسی، پس از شبیه سازی سطحِ یک دی الکتریک با مدلِ رشد MBE و مدلِ گسستۀ داس- سارما در فضای دو بعدی، مشخّصاتِ سطح را به دست آورده با استفاده از آن نیروی کازیمیر بین یک سطحِ زبر و یک سطحِ صاف را از رابطۀ لیفشیتز- با تقریب برای فواصل کم- به دست آوردیم. در آخر برای یک حالتِ خاص، نیروی کازیمیرِ دافعه را برای دو سطح بر حسبِ فاصله مح...

تحلیل و شبیه سازی لنز چندلایه ی عرضی دی الکتریک

روش¬های متعددی برای افزایش بهره¬ی آنتن وجود دارد. این روش ها با استفاده از، آرایه¬ای کردن آنتن و یا با تغییر در ابعاد آنتن صورت گرفته است. استفاده از لنز، روشی دیگر جهت افزایش بهره¬ی آنتن می باشد. لنز ها دارای انواع بسیار متنوعی می باشند. لنزی که در این مقاله مورد بررسی و طراحی قرار می گیرد، از نوع لنزهای مسطح است که ضریب دی الکتریک آن در راستای عرضی به صورت چند لایه¬ای می باشد. شبیه سازی این س...

خواص اپتیکی کریستال فوتونیکی دی الکتریک تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک (سمیه داودی1، مریم قشلاقی)

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

بررسی انتشار امواج تراهرتز در MoS2 در مرز بین دو دی الکتریک

امروزه خواص اپتیکی منحصر به فرد تک لایه MoS2 به عنوان نیمه‌هادی دو-بعدی مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از ضرایب فرنل برای تعیین خواص اپتیکی مانند جذب، بازتاب و عبور لایه MoS2 در بازه‌ی تراهرتز استفاده شده است. ساختار کلی شامل دو محیط نیمه‌بی‌نهایت SiO2 و هوا است که تک لایه MoS2 در بین آنها قرار دارد. ما دریافتیم که بیشینه جذب برابر با مقدار اندک 6-10×5/2 است که در بازتاب داخلی، برای قطب...

بررسی ویژگی های دی الکتریک شیشه سرامیک سیستمCaO-SiO2-MgO در محدوده امواج مایکرویو