لایه میانی گیت اکسید دی الکتریک در نانو ترازیستورهای اثر میدانی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه
- نویسنده مریم سوزبان
- استاد راهنما علی بهاری جمیل آریایی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1387
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
بررسی نانو لایه های دی اکسید تیتانیوم آلاییده با نیتروژن
در این تحقیق اثر افزایش آلایش نیتروژن در نانو لایه های TiO2 را روی خواص آبدوستی بررسی کردیم. نمونه‌ها به روش افشانه داغ تهیه شد. زمان باز‌پخت نمونه‌ها که نقش مهمی در ساختار نهایی نانو لایه‌ها دارد، 450 درجه سانتیگراد بود. مشاهده شد که خاصیت آبدوستی نمونه‌ها تحت نور فرابنفش، با افزایش درصد نیتروژن، افزایش می‌یابد. آبدوستی چهار نمونه آلاییده ت...
متن کاملمطالعه خواص نوری یک نانو ذره پلاسمونیک روی یک لایه دی الکتریک
با مطالعه قطبش پذیری یک نانو ذره ی فلزی کروی برروی یک لایه ی دی الکتریک، خواص نوری سیستم بررسی می شود. از آنجا که اندازه نانوذره خیلی کوچکتر از طول موج نور فرودی است، با حل معادله لاپلاس، پتانسیل الکتریکی در نواحی مختلف برحسب چندقطبیها بسط داده می شود. با استفاده از تانسور قطبش پذیری، عباراتی برای قطبش‌پذیری های موازی و عمود بدست آمده و سپس نتایج عددی مورد بحث قرار می گیرند. علاوه بر اثر انداز...
متن کاملمشخصه های وابسته به دمای نانو گیت دی الکتریک هافنیوم اکسید در سیلیکون اکسید
در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...
مطالعه اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر تابع دی الکتریک نانو لایه های نیمرسانا
در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...
متن کاملنانو کامپوزیت هیبریدی nio/pvc و nio/pva؛ گیت دی الکتریک ترانزیستور های اثر میدانی آلی (ofets )
در کار حاضر، نانو هیبریدهای کامپوزیتی پلی وینیل الکل/ اکسید نیکل و پلی وینیل کلرید/ اکسید نیکل با مقادیر متفاوت پی وی سی(pvc) و پی وی ای (pva)و در دماهای مختلف به روش سل- ژل سنتز شده اند. فازهای بلوری، بلورینگی و ویژیگی های الکتریکی نمونه ها با استفاده از تکنیک های میکروسکوپی روبشی الکترونی (sem)، نیروی اتمی (afm)، طیف نمایی فوریه مادون قرمز (ftir)، توزیع انرژی پرتو ایکس (edx) و الگوی پرتو ایکس...
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023