محاسبه ثابت انتشار و میدان امواج الکترومغناطیسی در موجبرهای کریستال فوتونی چند لایه
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه
- نویسنده زهرا امین
- استاد راهنما عبدالرسول قرایتی پرویز الهی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1387
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
اثر کانونی شدن امواج الکترومغناطیسی دربلور فوتونی دو بعدی با ثابت شبکه متغیر تدریجی
In this paper we studied the focusing effect of electromagnetic wave in the two-dimensional graded photonic crystal consisting of Silicon rods in the air background with gradually varying lattice constant. The results showed that graded photonic crystal can focus wide beams on a narrow area at frequencies near the lower edge of the band gap, where equal frequency contours are not concave. For c...
متن کاملمحاسبه توان جذبی امواج الکترومغناطیسی راداری باندx در لایه و تیغههای پلاسمایی در انعکاسهای متوالی
در این مقاله سعی شده است جهت رادار گریز شدن تجهیزات موشکی و راداری از دید رادارهای دیگر توان جذبی امواج الکترومغناطیسی باند x در لایه و تیغه های پلاسمایی مغناطیسی و غیرمغناطیسی در انعکاسهای متوالی بررسی شوند. در این تحقیق توان جذبی، عبوری و منعکس شده با روش اسنل دکارت برای حالتهای مختلف مطالعه میشوند. بهاینصورت که یک موج تکفام با قطبش مشخص را به طور عمود و یا مایل به سطح لایه و تیغههای پ...
متن کاملبررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی در موجبرهای پلاسمونی غیرخطی
در این پایان نامه موجبرهای پلاسمونی که در آن موج در مرز پلاسمون-دی الکتریک منتشر می شود، معرفی شده است و سپس امکان کار آنها در ناحیه غیر خطی مورد بررسی قرار گرفته است. به این منظور پلاسمون خطی و دی الکتریک غیرخطی در نظر گرفته می شود. در نهایت مساله تحلیل موجبر پلاسمونی غیرخطی غیرایزوتروپیک (موجبر مگنتو-پلاسمونی) بیان می گردد.
15 صفحه اولاثر کانونی شدن امواج الکترومغناطیسی دربلور فوتونی دو بعدی با ثابت شبکه متغیر تدریجی
در این مقاله اثر کانونی شدن امواج الکترومغناطیسی در یک بلور فوتونی دو بعدی با ثابت شبکه متغیر تدریجی متشکل از میله های سیلیکون در زمینه هوا بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که بلور فوتونی مدرج توانایی کانونی کردن امواجی با پهنای عرضی بزرگ را در بسامد های نزدیک به لبه پایین نوار گاف دارد، که در این بسامد ها شکل منحنی هم بسامد مقعر نمی باشد. ساختار نوار فوتونی و منحنی های هم بسامد مربوط به این بل...
متن کاملتحلیل الکترومغناطیسی موجبرهای مبتنی بر گاف فوتونی
کاربرد بلورهای فوتونی در طول دهه ی گذشته به سرعت در حال گسترش بوده است. بلور فوتونی در مقایسه با شبکه بلور معمولی که بصورت آرایه ای از اتم ها ساخته می شود، به کار می رود. توزیع تناوبی عایق ها در مکان که همان بلور فوتونی است همانند چیدمان منظم اتم ها در بلور معمولی که باعث ایجاد گاف انرژی می شود، محدوده فرکانسی ایجاد می کند که در آن انتشار امواج الکترومغناطیسی امکان پذیر نیست. به این ناحیه گاف ف...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023