طراحی و ساخت آنتن لگاریتمی - تناوبی با المان های انحناء دار در پهنای باند 2-8 ghz
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد
- نویسنده مجتبی پیرای
- استاد راهنما
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1388
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
طراحی و ساخت آنتن آرایه بازتابی دوقطبشی در باند X
چکیده: در این مقاله یک تک سلول جدید برای آنتن آرایه بازتابی بهمنظور ایجاد دو قطبش خطی در باند X و فرکانس مرکزی GHz 10/7 ارائه شدهاست. این تک سلول با استفاده از تغییر طول دنباله الحاقی فاز مورد نیاز برای آنتن آرایه بازتابی را کنترل میکند که دارای دامنه ضریب بازتاب کمتر از dB 0/14 است. همچنین سطح قطبش متعامد این عنصر برای تابش عمود کمتر از dB 60- و شیب مشخصه فاز آن در فرکانس مرکزی 0/...
متن کاملافزایش پهنای باند آنتن تشدیدی عایقی با بهرهگیری از پهنای متغیر ساختار
در این مقاله ساختار آنتن تشدیدی عایقی مستطیلی، تغذیه شده توسط یک خط مایکرواستریپ بررسی و تکنیکهای بهبود رفتار آن مرور شده است. بدین منظور نحوه عملکرد تشعشعی آنتن عایقی مطالعه و روشهای مختلف بهبود آن و بطور خاص افزایش پهنای باند آن بررسی شده است. سپس ساختار جدیدی با هدف افزایش پهنای باند امپدانسی آن پیشنهاد شده است. در ساختار معرفی شده با بهرهگیری از ساختاری یکپارچه ولی چندبخشی با ابعاد مختلف، ...
متن کاملطراحی ، شبیه سازی وساخت آنتن آرایه دیپل متناوب لگاریتمی با پهنای باند بالا و سایز کوچک
آنتن آرایه دیپل متناوب لگاریتمی یکی از انواع آنتن های مستقل از فرکانس می باشد. وجود پهنای باند زیاد با گین بالا، مقاومت ورودی ثابت در پهنای باند وسیع، بیم باریک، سادگی آنتن، قیمت ارزان و سبکی موجب استفاده از این آنتن در کاربردهای زیادی از قبیل : 1- تغذیه آنتن رفلکتور و لنز 2- آشکار سازی سیگنال (به خاطر دایرکتویته بالا و پلاریزاسیون متقاطع پایین در طول باند فرکانسی)، شده است.در این نوع آنتن ها س...
15 صفحه اولطراحی پیش تقویتکننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60
در این مقاله، یک مدار تقویتکننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستمهای مخابرات نوری ارائه میشود. در این مدار یک پیشتقویتکننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویتکننده امپدانس انتقالی میشود. د...
متن کاملنحوه طراحی و ساخت یک تقویتکننده متوازن کمنویز مبتنی بر ترانزیستور HJFET در باند فرکانسی GHz 11-9
تقویتکنندههای متوازن که طبقات آن با دو تزویجکننده متعامد به هم متصل شدهاند معمولاً در مدارات مجتمع مایکروویو برای اجزاء توان بالا و پهنباند استفاده میشود. از کاربردهای مهم تقویتکننده متوازن در فرستنده/گیرنده رادارهای آرایه-فازی با تعداد زیاد است که موردنیاز سامانههای راداری هوافضا است و تقویتکننده متوازن مطلوبترین گزینه برای بهدست آوردن اهداف پیشبینیشده است. در تحقیق حاضر، چندین ترک...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023