لایه نشانی نانومتری الماس (dlc) به روش بخار شیمیایی پلاسمایی با تکنیک فرکانس دوگانه
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
- نویسنده ایمان حسینی
- استاد راهنما بابک شکری -
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1386
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
تولید نانولوله های کربنی به روش لایه نشانی بخار شیمیایی
کشف نانولوله های کربنی (cnts) جرقه امیدوار کننده ی بزرگی را در جهان علم به دلیل خواص قابل توجه فیزیکی ایجاد کرده است. نانولوله ها توسط چندین روش مانند تخلیه قوس الکتریکی، سایش لیزری و لایه نشانی بخار شیمیایی(cvd) تولید می شوند. دراین پروژه از روش cvd به دلیل سادگی و در دسترس پذیری آن برای تولید نانولوله های کربنی استفاده شده است. منبع کربنی در این تحقیق یک هیدروکربن متعارف گازی نیست، بلکه کافور...
لایه نشانی اکسید سیلیسیم به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسمایی با استفاده از ماده ی فلزی -آلی teos
لایه ی نازک اکسید سیلسیم به علت دارا بودن ضریب شکست پایین و در عین حال شفاف بودن در محدوده ی مریی کاربرد بسیار زیادی در قطعات اپتیکی و اپتوالکترونیکی دارد همچنین این ترکیب به علت دارا بودن خواص الکتریکی ویژه در قطعات میکروالکترونیک از جمله در مدارات مجتمع به طور وسیع مورد استفاده قرار می گیرد برای تولید ترکیب اکسید سیلسیم به صورت لایه نازک به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی استفاده از گاز سیلان به ...
15 صفحه اولتاثیر جنس و فاصله زیرلایه روی ویژگیهای لایه نشانی نانو پودر آلومینا به روش پاشش پلاسمایی
In this paper, the effect of the material and distance of the substrate on the characteristics of gamma alumina nanopowder coated by plasma spray method are investigated. For this purpose alumina nanopowder were coated on the two types of stainless steel and Pyrex glass substrates using a plasma torch. Morphological characteristics of the prepared nanolayer are studied by investigating the scan...
متن کاملبررسی اثر پارامترهای فرآیند لایه نشانی بخار شیمیایی پلاسمایی بر خواص الکترواپتیکی لایه نانومتری دی الکتریک اکسید سیلیکان (sio2) بر زیرلایه gaas قابل کاربرد در ادوات الکترونیک نوری
چکیده: در این رساله، اثر توان rf بر خواص لایه ی نازک sio2 بررسی شده است. دی اکسید سیلیکان با روش لایه نشانی بخار شیمیایی بکمک پلاسما بر زیرلایه ی gaas انباشت می شود. از این لایه بعنوان لایه ی دی الکتریک در افزاره های متشکل از ساختار فلز - اکسید – نیمرسانا (mos) استفاده می شود. مشخصه های لایه با تغییر توان rf قابل کنترل است. با افزایش توان rf، نرخ لایه نشانی افزایش می یابد که منجر به تغییر خوا...
15 صفحه اولبررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین
In this paper, preparation and characterization of a-SiNx thin films deposited by LPCVD method from free radicals of TCS and NH3 gaseous system were investigated. These radicals are made by passing each of the precursor gases separately over Pt-Ir/Al2O3 catalyst at the temperature of 600 ᐤC. Kinetics of this process was investigated at different total pressures, NH3/TCS flow rate ratios and te...
متن کاملاستفاده از روش جذب تشدیدی برای اندازه‌گیری چگالی اتم‌های مس در لایه نشانی به روش کندوپاش پلاسمایی
In this paper, the resonance optical absorption method, is used to measure the Cu atoms number density in different power levels of power supply. Atoms are sputtered from a Cu target during plasma magnetron sputtering deposition. For the light source, a commercial Cu hollow cathode lamp is used. For measurement of gas temperature, a small percentage of N2 is added to the gas mixture and the gas...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023