مطالعه خواص الکتریکی و مغناطیسی تک بلور upd2si2

پایان نامه
چکیده

بستگی دمائی ضرائب ترابری در فلزات ساده عمدتا ناشی از اثر پراکندگی همگن الکترون-فونون و الکترون ناخالصی می باشد در فلزات مرکب با اتمهای مغناطیسی مثل بلور upd2si2 الکترون ها بطور ناهمگن نیز توسط اتمهای مغناطیس پراکنده می گردند که این باعث رفتار غیرعادی در وابستگی دمائی ضرائب ترابری در این اجسام می گردد. یکی از مکانیسم هائی که در توجیه این رفتارها موفق بوده مکانیسم پراکندگی اریبی می باشد. در این رساله این مکانیسم بطور دقیق بررسی شده و در مورد فلز با فرمیون های سنگین upd2si2 بکار گرفته می شود. در خاتمه نتایج نظری با نتایج تجربی موجود در ضرائب هال، بر گیرائی مغناطیسی و مقاومت مخصوص الکتریکی مقایسه می گردد توافق خوبی بین نتایج مشاهده می شود.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی خواص کشسانی (1) تک بلور فرو مغناطیسی در میدان مغناطیسی

در این کار پژوهشی ، خواص کشسانی تک بلور NI در میدانهای مغناطیسی متفاوت ، تا 12 کیلو گاوس ، بررسی شده است . مقایسه نتایج بدست آمده در حضور میدان مغناطیسی و در غیاب آن نشان می دهد که در منحنی نمایش میزان تغییرات طولی در ناحیه خطی ، با شدت میدان مغناطیسی باید اثری وجود داشته باشد .

متن کامل

بررسی خواص کشسانی (1) تک بلور فرو مغناطیسی در میدان مغناطیسی

در این کار پژوهشی ، خواص کشسانی تک بلور ni در میدانهای مغناطیسی متفاوت ، تا 12 کیلو گاوس ، بررسی شده است . مقایسه نتایج بدست آمده در حضور میدان مغناطیسی و در غیاب آن نشان می دهد که در منحنی نمایش میزان تغییرات طولی در ناحیه خطی ، با شدت میدان مغناطیسی باید اثری وجود داشته باشد .

متن کامل

خواص ساختاری، الکتریکی و مغناطیسی منگنایتLa1-xCaxMnO3

  Manganites are considered as subbranches of condensed matter physics with a great wealth of physical mechanisms. In this investigation we have studied the structural, electrical and magnetic properties of a series of La1-xCaxMnO3   manganite with x=0.1, 0.2, …,0.5. We observed that the crystal structure of this manganite, with small dopping, at room temperature is orthorhombic and by increasi...

متن کامل

خواص مغناطو - اپتیکی تک بلور gap

وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...

متن کامل

رشد تک بلور نیمرساناهای دوتایی PbSe, PbTe, CdSe, CdTe و تعیین پارامترهای ساختاری و الکتریکی آنها

Si ng le c rys t als o f bin a ry semico ndu c to rs CdTc,CdSe. PhTe and PbSe were grown by sublimat ion and condensa tion techniq ues usi ng argon as the carri e r gas. Powder X-ray di ffractomet ry as wel l as La ue mClhod wcre employed fo r the stru ct ura l a na lysis. By usi ng Ha ll techniq ue. the de nsity and polarity of charge car rie rs we re de te rmined in single crysta ls. Pb...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023