طراحی یک تقویت کننده عملیاتی باند وسیع cmos

پایان نامه
چکیده

تقویت کننده های عملیاتی از جمله مهمترین و پرکاربردترین بلوکها در مدارهای آنالوگ می باشند. مشخصات زمانی و فرکانسی تقویت کننده های عملیاتی، ضمن ارتباط تنگاتنگ و نزدیکی که با هم دارند، هر یک به نحوی تعیین کننده عملیات cmos است که مشخصات زمانی آن با دقت مورد بررسی قرار گرفته است . نویز، به عنوان یکی از مشخصات حائز اهمیت در مدارهای مجتمع آنالوگ ، مطرح می باشد. در این پایان نامه، الگوریتمی به منظور بهینه سازی نویز معادل ورودی تقویت کننده مطرح شده و در طراحی تقویت کننده بکار گرفته شده است . در تقویت کننده های باند وسیع، به منظور حفظ پایداری مدار و همچنین جلوگیری از اتلاف پهنای باند تقویت کننده، بررسی میزان و نحوه اثر عناصر پارازیتی واقع در پایانه های تقویت کننده و همچنین عناصر پارازیتی وارد شده در طرح، در اثر نحوه رسم جانمایی مدار، اجتناب ناپذیر می باشد. لذا در این پایان نامه، این دو مساله به طور جداگانه مورد بررسی قرار گرفته و در هر دو مورد راه حلهای مناسب به منظور رسیدن به بهترین پایخ، ارائه شده است . در نهایت با استفاده از اصول مطرح شده در این پایان نامه و با استفاده از تکنولوژی 0/8 میکرومتری cmos، یک تقویت کننده عملیاتی با مشخصات زیر طراحی شده است : gbw780mhz settling time8ns dc gain75 db output swing0/67 phase margin53 power dissipation120mw slew rate200v/us vdd3v & cl5pf

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

طراحی تقویت کننده قدرت باند vhf با پهنای باند وسیع

امروزه استفاده از فرستنده های رادیویی نیمه هادی نیز همانند فرستنده های لامپی متداول بوده و حتی به دلیل برخی ویژگی های خاص مانند نویز کمتر، استفاده از منابع تغذیه با ولتاژ پایین تر و قابلیت نگهداری و تعمیر پذیری ساده تر در کاربردهای خاص، نسبت به فرستنده های لامپی ارجعیت دارند. یکی از اجزای اصلی فرستنده های رادیویی نیمه هادی، تقویت کننده های قدرت rf می باشند. پارامترهای مختلفی در تقویت کننده های ...

15 صفحه اول

یک تقویت کننده کم نویز پهن باند با ترانزیستورهای مکمل

تقویت‌کننده کم‌نویز یکی از مهمترین بلوک‌های به کار رفته در یک گیرنده راداری مانند گیرنده های راداری کنترل آتش محسوب می‌شود. در این مقاله یک تقویت‌کننده کم‌نویز پهن‌باند در محدوده فرکانسی 5/2 تا 5/5 گیگا هرتز ارائه شده است. ساختار این مدار در طبقه ورودی به صورت سورس مشترک تعریف شده و تکنولوژی مورد استفاده در طراحی این تقویت‌کننده است. ولتاژ تغذیه مدار 5/1 ولت و توان مصرفی آن18 میلی وات است. تقوی...

متن کامل

طراحی اسیلاتور موج میلی متری باند وسیع کم نویز cmos

در این پایان نامه نشان خواهیم داد که گین فعال اسیلاتور در فرکانس های موج میلی متری به ازای هر مقدار جریان، برحسب سایز ترانزیستورها و گین فیدبک اسیلاتور، بر خلاف فرکانس های پایین تر نقطه ی کمینه دارد. از طرف دیگر نشان می دهیم که ماهیت نویز ایجاد کننده نویز فاز اسیلاتور موج میلی متری، با ماهیت نویز در فرکانس های پایین تر متفاوت می باشد. این نویز بیشتر ناشی از تبدیل نویز am به pm و نویز گیت اسیلات...

15 صفحه اول

طراحی یک تقویت کننده کم نویز با باند بسیار وسیع با حداکثر بهره تخت در محدوده 3,1-10,6 گیگاهرتز با تکنولوژی cmos

در سال های اخیر تکنولوژی های مخابراتی پیشرفت بسیار زیادی داشته است، رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و افزایش تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا، برداشتن گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی های مخابراتی را ضرورتی اجتناب ناپذیر می نماید. یک گیرنده مخابراتی به عنوان یکی از ارکان سیستم های مخابراتی سیگنالی در حدود نانو ولت را دریافت می کند، بنابراین تقویت کننده کم نویز به عنوان دومین...

15 صفحه اول

طراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

متن کامل

طراحی تقویت کننده های کم نویز با پهنای باند بسیار وسیع

در این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز(lna)باولتاژاعمالی کم و توان مصرفی پائین و پهنای باند بیسار (uwb)در باند فرکانسی3.1-10.6ghz با استفاده از تکنولوژی90nm cmosبا استفاده از نرم افزارads طراحی و شبیه سازی شده است.در تقویت کننده ی کم نویز ارائه شده برای تطبیق ورودی از ساختار سلف دژنراسیون و برای افزایش پهنای باند از روش کسکود و سلف سری و فیدبک مقاومتی استفاده شده است.برای افزیش خطی سازی(iip3)...

15 صفحه اول

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023