فرآیند اکسیداسیون در ساخت مدارهای تجمعی سیلیکون

فرآیند لیتوگرافی در ساخت مدارهای تجمعی سیلیکون

فرآیند لیتوگرافی، یکی از اساسی ترین و پرهزینه ترین مراحل در ساخت مدارهای تجمعی است . در مقایسه با سایر فرآیندهای ساخت مدارهای تجسمی مثل : اکسیداسیون، ناخالص سازی و فلزگذاری که تحقیقاتی هم در زمینه شبیه سازی کامپیوتری این فرآیندها و هم در زمینه آزمایش عملی آنها با تکنیک های موجود در کشور انجام پذیرفته است ، در مورد لیتوگرافی هیچ تحقیق سازمان یافته و مشخصی که به جزئیات این فرآیند بپردازد، انجام ن...

فرایند ناخالصی سازی در ساخت مدارهای تجمعی سیلیکون

مدارهای تجمعی قلب سیستمهای الکترونیکی را تشکیل می دهند. با توجه به اینکه تمامی علوم و تکنولوژی های پیشرفته وابسته به تکنولوژی الکترونیک هستند، لذا کشوری که قادر به طراحی و ساخت مدارهای تجمعی مورد نیاز خود نباشد، اساسا وابسته به کشورهای دیگر است . گرچه با توجه به پیشرفتهای عظیمی که در این رشته صورت گرفته، ورود کشور ما به صحنه تکنولوژی ساخت مدارهای تجمعی تا حدودی دیر است ، اما با یک برنامه ریزی ا...

تاثیر کاشت یونی ژرمانیم در فرآیند ایجاد اکسید حرارتی سیلیکون

سرعت اکسید شدن در سیلیکون می تواند در اثر وجود ناخالصی ها تغییر کند.

ساخت محرک مغناطیسی رئولوژیکی بر پایه لاستیک سیلیکون

نظام مناسب جهت حمایت از حقوق مالکیت فکری در طرح ساخت مدارهای یکپارچه

تحصیل نظام مناسب جهت حمایت از حقوق مالکیت فکری در طرح ساخت مدارهای یکپارچه از دهه‌ی هشتاد میلادی، با احراز ناکارآمدی نظام حق اختراع و مالکیت ادبی و هنری، یکی از دغدغه های فعالان این صنعت بوده است. پیش بینی نظام خاص حمایتی در قوانین ملی و به تبع آن معاهده ی واشنگتن و در نهایت موافقت نامه ی تریپس پاسخی به این نیاز می باشد. اما، در عمل همچنان حق اختراع از مقبولیت عمومی بیشتر برخوردار بوده و نظام خ...

مدل سازی فرآیند کلرسیون سیلیکون

در این پژوهش به مدل سازی فرآیند کلرسیون سیلیکون پرداخته شده است. این فرآیند درون یک راکتور بستر سیال انجام می شود. مدل کردن این فرآیند باعث رسیدن به شرایط عملیاتی بهینه و تولید محصول با کیفیت خواهد شد. برای مدل کردن این فرآیند از مجموعه ای از مدل ها که شرایط هیدرودینامیکی بستر سیال و سینتیک واکنش را شبیه سازی می کنند، استفاده شده است. به طوریکه از مدل ارائه شده توسط ون و موری، برای محاسبه قطر ح...