سیلیکن کاربید (sic) یک ماده نیمه هادی باند بزرگ با خواص ماده بسیار خوب برای الکترونیک فرکانس بالا، توان بالا و دمای بالا است. در این رساله ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی sic با ساختارهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است و مشخصه های dc و فرکانس بالای افزاره ها مانند، جریان اشباع درین، ولتاژ شکست، حداکثر توان خروجی، فرکانس قطع (ft) و حداکثر فرکانس نوسان (fmax) با هم مقایسه شده است. در این کا...

محدودیت های عملکرد ذاتی ترانزیستورهایsi در دماها و توان های بالا انگیزه اصلی گرایش به سمت نیمه هادی هایی با شکاف انرژی بالا نظیر sic و gan بوده است. در بسیاری از کاربردها از قبیل کاربردهای نظامی و رادار لازم است مدارهایی با قابلیت های پهن باند مورد استفاده قرار گیرند. طراحی تقویت کننده های توان با کارایی بالا مهم ترین مساله ای ایست که در طراحی فرستنده ها باید مورد توجه قرار گیرد. در سال های اخ...

در این مقاله یک هیدروفن با استفاده از ترانزیستور گیت معلق دندانه شانه ای در فرکانس‌های پایین طراحی و شبیه‌سازی شده است. مکانیزم عملکرد این مبدل بر اساس تغییر خازن گیت-سورس در ترانزیستور ماسفت است. گیت ترانزیستور توسط دو میله به صورت معلق بالای کانال ترانزیستور قرار گرفته است. در پاسخ به موج آکوستیکی ورودی، گیت ترانزیستور دچار خمش شده و منجر به تغییر ظرفیت خازن گیت-سورس می‌شود. در نتیجه موج آکوس...

هدف: پژوهش حاضر به منظور تعیین میزان حضور و فعالیت دانشگاه­ها و مؤسسات پژوهشی کشور در شبکه اجتماعی علمی ریسرچ گیت انجام شده است. روش پژوهش: پژوهش حاضر از نوع کاربردی است و با روش علم سنجی انجام شده است. داده های مورد نیاز از شبکه اجتماعی علمی ریسرچ گیت جمع­آوری شده است. در این پژوهش از میان 428 دانشگاه و مؤسسه ایرانی حاضر در ریسرچ گیت، عملکرد سی دانشگاه و مؤسسه برتر بر اساس شاخص­های ششگانه آر.ج...

در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

مقدمه: ریسرچ گیت یکی از نخستین شبکه های اجتماعی است که با هدف افزایش همکاری میان پژوهشگران و برقراری ارتباط بین آن ها و خوانندگان آثارشان راه اندازی شده است. پژوهش حاضر با هدف بررسی تعاملات و ارتباطات پژوهشگران دانشگاه علوم پزشکی اصفهان در شبکه ی اجتماعی ریسرچ گیت انجام شده است. روش بررسی: این پژوهش به صورت پیمایشی و با رویکرد آلتمتریکس انجام شده است. پس از بارگذاری داده ها از شبکه ی اجتماعی ری...

هدف از این مقاله، بررسی تاثیر پروتز مچ پنجه ویسکوالاستیک روی سیکل گیت فرد قطع عضو زیر زانو با استفاده از شبیه سازی دینامیکی راه رفتن انسان می باشد. مدلی دو بعدی و هفت سگمنتی به منظور شبیه سازی کل سیکل گیت فرد نرمال و فرد قطع عضو ارائه شده است که مجهز به مدل تقابل بین پا و زمین برای شبیه سازی کل سیکل گیت به صورت یکپارچه می باشد. در مرحله اول، شبیه سازی سیکل گیت فرد نرمال با ترکیب فرآیند بهینه سا...

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...

در این مقاله یک مدار دومینو جدید برای کاهش توان مصرفی گیت های عریض بدون کاهش چشم گیر سرعت پیشنهاد می شود. در تکنیک مداری پیشنهادی از مقایسه جریان شبکه پایین کش با جریان مرجع جهت تولید خروجی مناسب استفاده می شود. بدین طریق دامنه تغییرات دو سر شبکه پایین کش کم شده و توان مصرفی کاهش می یابد. همچنین از یک ترانزیستور در حالت دیودی به صورت سری با شبکه پایین کش استفاده شده است تا جریان نشتی زیر آستانه...

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...