در طول سال های گذشته، شکل های مختلفی از سیستم های مخابراتی عرضه شده است. علت اصلی این حرکت و پیشرفت، ارسال و انتقال اطلاعات و پیام ها به فاصله های دورتر و افزایش سرعت انتقال و حجم ارسال بیشتری از اطلاعات در واحد زمان(ظرفیت سیستم) بوده است. اما نیاز بشر به افزایش حجم بیشتر انتقال اطلاعات، چاره‎ای جز افزایش پهنای باند پنجره مخابراتی‎ را در پی نداشت. به این ترتیب بود که بشر دوباره به فکر استفاده...

همدوسی اتمی و تداخل کوانتومی میتوانند منجر به حذف، کاهش پهنا و یا تغییر در طیف گسل خودبخودی شوند. گسیل خوبخودی در اپتیک کوانتومی پدیده آشنایی محسوب میشود که به دلیل اندرکنش سیستم اتمی با مدهای خلا صورت میگیرد. تداخل کوانتومی در یک سیستم اتمی به جهت گیری ممان دو قطبی الکتریکی گذار اتمی بستگی دارد. به عبارت دیگر اگر ممانهای دو قطبی الکتریکی موازی باشند تداخل کوانتومی ماگزیمم و اگر متعامد باشند تد...

در این پژوهش به محاسبه روابط پاشندگی و ویژگی گاف نوار فوتونی در بلور فوتونی توجه شده است. همچنین چگالی حالت های جایگزیده فوتونی و پارامترهای تقویت نور بررسی گردیده است. روش های محاسباتی مختلفی مانند pwe، fdtd و me در شبیه سازی و بهینه سازی ساختار بلور فوتونی بکار گرفته شده اند. نشان داده شده است که روش محاسبه ldos بر اساس me روش قدرتمندی برای مطالعه گسیل خودبخودی، تقویت نور و محاسبه محصورسازی ...

با استفاده از قاعده طلایی فرمی عبارتی برای میزان گسیل خودبخودی بین دو تراز اتمی ارائه می شود که بر حسب توابع بستگی میدان الکتریکی می باشد. با استفاده از قضیه اتلاف- افت و خیز و فرمول کیوبو در مکانیک آماری ، عبارت حاصل بر حسب قسمت های موهومی توابع گرین پتانسیل برداری نوشته می شود و سرانجام با محاسبه توابع گرین مربوط به سیستم متشکل از یک اتم واقع در کنار یک تیغه فلزی ، میزان گسیل خودبخودی محاسبه ...

هدف این پایان نامه بررسی پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی در برهم کنش سیستم سه ترازه v و ? با دو میدان الکترومغناطیسی و هم چنین یافتن معنا و مفهومی خاص برای شاخص دلتای کنفک است. این برهم کنش از هر دو دیدگاه نیمه کلاسیک و تمام کوانتومی بررسی میشود. برای بررسی پدیده فوق-الذکر، با استفاده از مدلهای رابی و جینز کامینگ، عناصر ماتریس چگالی برای این سیستم برای اختلال مرتبه اول به دست میآیند. عناصر غ...

در این مقاله، اثر اندازه بر خواص گسیلی لیزرهای نقطه‌ی کوانتومی مخروطی‌ـ‌شکل InAs/GaAs با لایه‌ی خیس بررسی شد. ابتدا با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود و بهره‌گیری از تقریب جرم موثر، معادله‌ی شرودینگر برای دو دسته نقطه‌ی کوانتومی مخروطی‌‌ـ‌شکل با لایه‌ی خیس حل شد و توابع پوش و ترازهای انرژی حالت پایه، برانگیخته‌ی اول و تراز لایه‌ی خیس به‌دست آمدند. سپس با استفاده از تابع پوش الکترون، دوقطبی‌...