برای سیستم برهمکنشی از الکترونها و فونونها، هامیلتونی می تواند بصورت h = he + hph + he-ph توصیف شود. که he هامیلتونی برای الکترونهای در حال حرکت در حضور هسته های ثابت است، و hph هامیلتونی برای هسته های متحرک می باشد، که کوانتش توصیف کننده جابه جایی هسته ها«یونها» را فونون می نامند. قسمت he-ph جمله برهمکنشی بین الکترونها و فونونها را توصیف می کند. دیواره های کوانتومی نیمرسانا، ساختارهای جدیدی ...

ولتاژهای گذرای داخلی یا تخلیه های الکترواستاتیکی خارجی خسارت های جبران ناپذیری به سیستم های الکتریکی و الکترونیکی، که حساسیت زیادی به ولتاژهای ناخواسته ی مختلف دارند، وارد می کنند. بنابراین، باید روشی برای حفاظت از قطعات الکترونیکی در برابر این ولتاژها در نظر گرفته شود. یک روش عملی برای غلبه بر ولتاژهای ناخواسته، استفاده از نیم رساناهای هوشمند برای محافظت از چنین سیستم هایی می باشد. این مقاومت ...

ساختارهای دور آلاییده در طراحی، مطالعه و عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی ( fet)کاربرد دارند. به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یا رسانش یک چاه کوانتومی شکل می گیرد، که باعث ایجاد یک گاز حامل دو بعدی در فصل مشترک ناهمگون این ساختارها می شود. به دلیل جدایی فضایی بین حامل های آزاد دو بعدی و ناخالصی های یونیده در ساختارهای دور آلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و در نتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونی...

هسته های سنگین به علت ناپایداری به صورت های مختلف تشعشع می کند، که اثرات سوء این پرتوها برای سلامتی انسان کاملا مشخص شده است. لذا آشکارسازی این پرتوها اهمیت زیادی دارد. gaas یک آشکارساز نیمرسانا می باشد، که مطالعه و بررسی آن اهمیت دارد.پس از انتخاب مناسب آشکارسازدر یک حوزه کاربردی، نوبت حفاظت این بلورها در مقابل اثرات زیان بار و مخرب این تابش ها می باشد. تا با توجه به مراحل و مشکلات مربوط به رش...

امواج تراهرتز در طیف الکترومغناطیسی، از نظر فرکانسی در حد فاصل محدوده علم الکترونیک و اپتیک قرار می گیرد. به همین دلیل تا مدت ها این محدوده فرکانسی، به گپ تراهرتز معروف بود. اما امروزه تحقیقات گسترده¬ای بر روی این بازه از فرکانس ها انجام می گیرد تا از روش های مختلف بتوان به فرکانس و توان تراهرتز مورد نظر دست یافت. در این پایان نامه تولید امواج پیوسته تراهرتز به روش فوتومیکس تحلیل و شبیه سازی شد...

فونون را می¬توان به عنوان کوانتوم امواج کشسانی (مکانیکی) حاصل از ارتعاشات اتم¬¬ها در جامدات تعریف کرد. به طور مشابه می¬توان فونون را به عنوان بسته موج متحرک در نظر گرفت که دارای خصوصیاتی مشابه یک فوتون (یعنی کوانتوم نوسانات الکترومغناطیسی) است. اندرکنش-های مرتبط با فونون¬ها نقش مهمی در خصوصیات فیزیکی جامدات بلورین و نیم¬رساناها دارد که نهایتاً بر کارآیی دستگاه¬های مرتبط از جمله قطعات نوری تأثیر ...

در این پژوهش ابتدا ضریب ژیرومغناطیسی نقطه ی کوانتومی استوانه ای گالیم آرسنید با پتانسیل سهموی، را در حضور میدان های خارجی و برهم کنش اسپین-مدار راشبا، بررسی کرده و در ادامه با استفاده از رهیافت ماتریس چگالی، ضرایب جذب خطی و غیرخطی، مورد مطالعه قرار می گیرند. با در نظر گرفتن تقریب جرم موثر و با استفاده از نظریه ی اختلال، معادله‎ی شرودینگر را برای نقطه کوانتومی حل کرده و ویژه‎مقادیر انرژی و ویژه ...

در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیر لایه gaas نوع n به روش های الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. روش های الکتروانباشت و الکترولس هر دو به دلیل سادگی، انجام در شرایط متعارفی و نیز مقرون به صرفه بودن روش های مناسبی برای تولید لایه های نازک می باشند. در الکتروانباشت به منظور رشد لایه های مس بر زیرلایه gaas از تکنیک های پتانسیل ثابت و جریان ثابت استفاده شد و با استفاده از تصاویر sem شرایط منا...

چکیده ندارد.

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...