بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ی ممنوعه ی فرکانسی می باشند. انتشار امواج در این ناحیه که به گاف نواری فوتونی معروف است ممنوع می باشد. همانطور که در بلورهای معمولی، تناوب پتانسیل شبکه باعث ایجاد باندهای مجاز و ممنوع انرژی برای الکترونهای سیستم می شود، در بلورهای فوتونی نیز تناوب در مواد دی الکتریک و ضریب شکس...

چکیده بررسی فیبرهای فوتونیک کریستالی "یک و دو بعدی" جهت هدایت باریکه نور لیزری با استفاده از شبیه سازی کامپیوتری انتقال و هدایت فوتون های باریکه ی لیزری (که معمولا تک بسامد یا در محدوده ی بسیار باریکی از بسامد قرار دارند) به محل مورد استفاده، از طریق محیط واسطه ای که حداقل اتلاف را داشته باشد، یکی از مسائل مهم اپتیک می باشد که محققان بسیاری آن را از طریق فیبرهای نوری و فیبرهای بلور فوتونی پیگ...

در این مقاله، مسئلۀ ویژه مقداری غیرخطی برای محاسبۀ ساختار نواری فوتونی بلور فوتونیک دوبعدی با استفاده از روش عددی mmp بررسی شده است. ساختار نواری بلور فوتونیک دوبعدی برای دو قطبش te و tm محاسبه شده است.  جزئیات روش محاسباتی شامل چیدمان فضای شبیه­سازی، مدل سازی میدان­های داخل و بیرون جسم، شرایط مرزی تناوبی فرضی شرح داده شده­اند. در طراحی فضای شبیه­سازی خصوصیات فیزیکی منطقۀ اول بریلوئن بلور نظیر ...

موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد می شود. ویژگی نوری چنین موادی بسادگی توسط ثابت دی الکتریک ? بیان می شود. تابش الکترومغناطیسی در چنین محیط هایی به شکل...

بلورهای فوتونی ساختارهای منحصر به فردی هستند که قادرند نحوه¬ی انتشار نور را تنظیم کنند. گاف فوتونی تحت تاثیر عوامل مختلف از جمله زاویه تابشی قرار دارد. با توجه به پیشرفت¬های اخیر در عرصه مخابرات و ارتباطات نوری، انتشار پالس با سرعت¬های فرانوری موضوعی است که توجه بسیاری از اذهان را به خود جلب کرده است یکی از محیط¬هایی که بتوان به سرعت¬های فرانوری دست یافت، بلورهای فوتونی است. هارتمن در سال 1962 ...

ساختار مس گونه cis به عنوان ماده جاذب برای سلول های خورشیدی لایه نازک کاربرد تجاری گسترده ای دارد. در این تحقیق روش ساخت لایه نازک ‎ cis ‎و cigs به روش الکتروشیمیایی توضیح داده شده است. ابتدا لایه های ‎ci ‎ و cig با استفاده از روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده اند سپس نمونه ها در کوره تحت دمای 470‎ درجه سانتی گراد سلنیوم دار شده اند. این فرایند بر روی بستری از شیشه های ‎soda-lime ‎ که مولیبدن ...

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

رهیافت این پایان نامه گام اول از یک مسیر تحقیقاتی در بررسی مشخصه های مختلف فیبرهای بلور فوتونیِ میان تهی با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود است.در ابتدای کار برنامه ای جهت شبکه بندی سلول واحد در دو محیط نرم افزاری فرترن 90 و متلب نوشته شده است که قابلیت شبکه بندی یکنواخت سلول واحد ساختار مثلثی و با اندکی تغییر ساختارهای دیگر را دارد.در ادامه ی کار نیز روابط مربوط به روش اجزای محدود در قالب ب...

: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله­ های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار می­گیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان می­دهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظه­ای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...

در این مطالعه، طیف تراگسیل یک بلور فوتونی ناهمسان‌گرد یک بعدی با بهره‌گیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو حالت قطبش TE و TM مطالعه شده است. نشان دادیم به دلیل وجود لایه ناهمسان‌گرد در ساختار بلور فوتونی مورد مطالعه، گاف براگ موسوم به گاف باند فوتونی ناهمسان‌گرد ایجاد می‌شود. نتایج نشان داد که گاف براگ ناهمسان‌گرد به شدت به جهت محور نوری لایه ناهمسان‌گرد و زاویه پرتوی فرودی وابسته است. ساختار م...