با استفاده از نظریة تابعی چگالی خواص الکتریکی و اپتیکی هگزاگونال بورون نیترید (h-BN) دو لایه تحت کرنش صفحه ای دو محوری بررسی می شوند. محاسبة انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. h-BN دو لایه دارای گاف نواری غیر مستقیم به اندازة 4.33 eV در راستایK-M است. با اعمال کرنش تراکمی، کمینة نوار رسانش در نقطة M نسبت به تراز فرمی به سمت بالا و لبة نوار رسانش د...

در این کار برخی از ویژگی‌های ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبSrFe2O4  بررسی می‌شود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریب‌های مختلف برای انرژی تبادلی-‌همبستگی و با استفاده از نرم‌افزار Wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان می‌دهند که برای ترکیب SrFe2O4 نظم فری‌مغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فری‌مغناطیس،...

در این پایان نامه ویژگی های برخی نانولایه ها بر مبنای نظریه تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی بعلاوه اوربیتال های موضعی (apw+lo) با کد محاسباتی وین بررسی می شود. نخست در این پایان نامه ویژگی های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی تنگستن (w)، دیسپوروسیوم (dy) و agbr مطالعه می شود. دستگاه هایی که دارای اوربیتال های d و f در حال پرشدن می باشند، جزء دستگاه های همبسته قوی به شمار می...

در این مقاله خواص الکترونی و اپتیکی ترکیبات کلکوژنید  در حالت سطح در راستای (001) مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی (DFT) با استفاده از نرم‌افزار کوانتوم ‌اسپرسو با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف نواری ترکیبات CuSbX2(X=Se,S) در حالت انبوهه به‌ترتیب 80/0 و93/0 الکترون ولت است اما در حالت ...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیم‌رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به ...

در این کار برخی از ویژگی های ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبsrfe2o4  بررسی می شود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریب های مختلف برای انرژی تبادلی- همبستگی و با استفاده از نرم افزار wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان می دهند که برای ترکیب srfe2o4 نظم فری مغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فری مغناطیس،...

در این مقاله، خواص الکترونی و اپتیکی سه نمونه از جدیدترین ساختارهای پنج ضلعی تک لایه شامل C4B2، C2B4 و C2N4 بر مبنای نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است. در بخش خواص الکترونی، با رسم ساختار نواری و منحنی های چگالی حالت های کلی و جزئی، این نتایج حاصل شد که این ساختارها از نظر الکترونی، به ترتیب با داشتن گاف انرژی ای در حدود 0.2، 1.2 و 3.1 الکترون-ولت ...

دیودهای نورگسیل پلیمری (pleds) به طورکلی از چند لایه ی آلی پلیمری تشکیل شده اند که روی هم قرار گرفته و با اعمال ولتاژ به آنها، می توان از آنها نور گرفت. این منابع نوری ویژگی های منحصربه فردی دارند که همین ویژگی ها منجر به کاربردهای مختلف آنها شده است. مهم ترین کاربرد این منابع استفاده از آنها در ساخت صفحه نمایش هاست. صفحه نمایش های ساخته شده از این قطعات، در ولتاژهای پایین کار می کنند، می توانن...

لایه های نازک سلنید روی با روش ساده ی رسوب گیری از حمام شیمیایی ساخته شده اند. طرح پراش اشعه x نشان می دهد که محصولات در فاز مکعبی مرکز وجهی سلنید روی تشکیل شده اند. نمونه ها با طیف جذبی برای تعیین گاف انرژی و sem مورد آنالیز قرار گرفته شده اند. نتایج نشان می دهد دمای رسوب گیری نقش پراهمیتی را در فرایند دارد. دیگر پارامترهای تهیه مانند ph و زمان رسوب گیری روی ریخت شناسی و بندگپ انرژی تاثیر دارد...

ساختار مس گونه cis به عنوان ماده جاذب برای سلول های خورشیدی لایه نازک کاربرد تجاری گسترده ای دارد. در این تحقیق روش ساخت لایه نازک ‎ cis ‎و cigs به روش الکتروشیمیایی توضیح داده شده است. ابتدا لایه های ‎ci ‎ و cig با استفاده از روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده اند سپس نمونه ها در کوره تحت دمای 470‎ درجه سانتی گراد سلنیوم دار شده اند. این فرایند بر روی بستری از شیشه های ‎soda-lime ‎ که مولیبدن ...