نمونه های سیلیکان متخلخل از ویفرهای سیلیکان نوع p، با زمان های خوردگی 10و 20 و 30 و 40 دقیقه، با چگالی جریان ثابت ساخته شدند. تصاویر sem گرفته شده از بالا و سطح مقطع نمونه ها نشان داد که با افزایش زمان خوردگی، میزان تخلخل و ضخامت لایه ی متخلخل افزایش می یابند. برای گرفتن طیف جذب اپتیکی نمونه ها، لایه ی سیلیکان متخلخل از زیر لایه ی سیلیکان به روش مکانیکی جدا شد، به این ترتیب سیلیکان متخلخل بر پا...

با استفاده از نظریة تابعی چگالی خواص الکتریکی و اپتیکی هگزاگونال بورون نیترید (h-BN) دو لایه تحت کرنش صفحه ای دو محوری بررسی می شوند. محاسبة انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. h-BN دو لایه دارای گاف نواری غیر مستقیم به اندازة 4.33 eV در راستایK-M است. با اعمال کرنش تراکمی، کمینة نوار رسانش در نقطة M نسبت به تراز فرمی به سمت بالا و لبة نوار رسانش د...

اثرات پتانسیل دوقطبی - دوقطبی و چهارقطبی - چهارقطبی ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی را در تقریب میدان متوسط بررسی می کنیم. از مدل دوشاره ای برای به دست آوردن بیناب انرژی قسمت های چگاله و ناچگاله (حرارتی) استفاده می کنیم. با به دست آوردن این بیناب، تغییر گاف انرژی به دست می آید. در مقایسه با سیستم بوزی با بر هم کنش ضعیف تماسی که اثر ناچگاله ها بزرگتر است، مشاهده می شود که در سیستم با برهم کنش د...

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...

در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و پارامترهای ساختاری ترکیب ازجمله ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکمپذیری و بهینه سازی حجم  درسرامیک  درفاز تتراگونال  محاسبه شده است.محاسبات با استفاده ازروش شبه پتانسیل درچارچوب نظریۀ تابعی چگالی اختلالی وبااستفاده ازنرم افزارمحاسبه شده است.ساختارنوارهای انرژی یک گاف نواری مستقیم به اندازهev5/4رادرنقطه داردکه بانتایج تجربی ونظری به دست آمده ازدیگرروش ها سازگاری خوبی...

در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و پارامترهای ساختاری ترکیب ازجمله ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکمپذیری و بهینه سازی حجم  درسرامیک  درفاز تتراگونال  محاسبه شده است.محاسبات با استفاده ازروش شبه پتانسیل درچارچوب نظریۀ تابعی چگالی اختلالی وبااستفاده ازنرم افزارمحاسبه شده است.ساختارنوارهای انرژی یک گاف نواری مستقیم به اندازهev5/4رادرنقطه داردکه بانتایج تجربی ونظری به دست آمده ازدیگرروش ها سازگاری خوبی...

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارا...