نتایج جستجو برای: کلیدزنی تحت ولتاژ صفر

تعداد نتایج: 116748  

ژورنال: :کیفیت و بهره وری صنعت برق ایران 0
ابراهیم بابائی ebrahim babaei faculty of electrical and computer engineering, university of tabriz1- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه تبریز امین عباس نژاد amin َabbasnezhad faculty of electrical and computer engineering, university of tabriz1- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه تبریز سمیه علیلو somayeh alilu great tehran electrical distribution company2- شرکت توزیع نیروی برق تهران بزرگ مهران صباحی mehran sabahi faculty of electrical and computer engineering, university of tabriz, tabriz, iran1- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه تبریز- تبریز- ایران

این مقاله به تحلیل و طراحی یک ساختار از مبدل های dc/dc کاهنده با کلیدزنی نرم می پردازد. یکی از مزیت های ساختار پیشنهادی کاهش تلفات کلیدزنی و نیز کاهش تنش ولتاژ و جریان روی المان های مدار به دلیل کلیدزنی نرم است. در این ساختار روشن شدن کلیدها تحت ولتاژ صفر و جریان صفر بوده و خاموش شدن آن ها تحت ولتاژ صفر است. مزیت دیگر ساختار ارائه شده امکان کلیدزنی در فرکانس های بالا است. در این مقاله اصول عمل ...

ژورنال: :کیفیت و بهره وری صنعت برق ایران 0
ابراهیم بابائی ebrahim babaei faculty of electrical and computer engineering, university of tabrizدانشکده مهندسی برق و کامپیوتر زهرا سعادتی زاده zahar saadatizadeh faculty of electrical and computer engineering, university of tabrizدانشکده مهندسی برق و کامپیوتر بهنام محمدی ایواتلو behnam mohammadi-ivatloo faculty of electrical and computer engineering, university of tabrizدانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

در این مقاله یک مبدلdc-dc  دو طرفه سه پورته غیر ایزوله با قابلیت کلیدزنی نرم و ریپل جریان ورودی صفر پیشنهاد می شود. از مزایای مبدل پیشنهادی نسبت به مبدل های چند پورته مرسوم می توان به قابلیت کلیدزنی zvs برای کلیدهای اصلی، قابلیت کلیدزنی zcs برای کلیدهای کمکی، جریان گردشی کم و در نتیجه تلفات هدایت کم به دلیل عمل کرد اسنابر اکتیو بدون تلفات و ریپل جریان ورودی صفر به دلیل استفاده از مدار کمکی شامل...

ژورنال: :روش های عددی در مهندسی (استقلال) 0
حسین فرزانه فرد h. farzanehfard سیدرضا مطهری و محمدمهدی توسل s. r. motahari and m.m. tavasoulkhamseh

یکی از مشکلات مبدلهای سوییچینگ pwm تلفات بالای کلیدزنی و تداخل الکترومغناطیسی به علت سوییچینگ در ولتاژ و جریان غیر صفر است که فرکانس عملکرد را محدود می کند. به منظور کاهش حجم و وزن مبدل (با افزایش فرکانس ) و کاهش تلفات کلیدزنی روشهای کلیدزنی در ولتاژ و یا جریان صفر پیشنهاد می شود. در این مقاله چهار روش اصلی کلیدزنی در ولتاژ صفر(zvs) در مبدلهای پل معرفی و مقایسه شده اند. این چهار روش از لحاظ زما...

این مقاله به تحلیل و طراحی یک ساختار از مبدل‌های dc/dc کاهنده با کلیدزنی نرم می‌پردازد. یکی از مزیت‌های ساختار پیشنهادی کاهش تلفات کلیدزنی و نیز کاهش تنش ولتاژ و جریان روی المان‌های مدار به دلیل کلیدزنی نرم است. در این ساختار روشن شدن کلیدها تحت ولتاژ صفر و جریان صفر بوده و خاموش شدن آن‌ها تحت ولتاژ صفر است. مزیت دیگر ساختار ارائه شده امکان کلیدزنی در فرکانس‌های بالا است. در این مقاله اصول عمل‌...

ژورنال: :فصلنامه علوم و فناوری دریا 2015
مجید آقابابایی رضا مسافری

در این مقاله در ابتدا مفهوم کلیدزنی نرم در مبدل های dc-dc تشریح می شود و در ادامه وارد بُعد مداری شده و یک مبدل بوست را با کلیدزنی نرم و با ایجاد شرایط ولتاژ صفر (zvs) و جریان صفر (zcs) تحلیل و آنالیز می کنیم. مبدل بوست، از یک مدار کمکی رزونانسی که شامل یک کلید اکتیو و تعدادی عناصر پسیو می باشد جهت ایجاد شرایط مناسب برای کلیدزنی نرم استفاده شده است هم چنین در ادامه یک مبدل بوست با کلیدزنی نرم جر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

به منظور کاهش حجم و وزن سلف و خازن های یک منبع تغذیه سوئیچینگ باید فرکانس کلیدزنی مبدل افزایش یابد. در فرکانس های بالا تلفات کلیدزنی قابل ملاحظه شده و باید از روش های کلیدزنی نرم به جای استفاده از اسنابرهای تلفاتی استفاده شود. در این روش ها با استفاده از تعدادی المان اضافی، همپوشانی جریان و ولتاژ در لحظات کلیدزنی از بین می رود. روش های مختلفی برای ایجاد شرایط سوئیچینگ نرم در مبدل ها وجود دارد ک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1392

امروزه مبدل های کلیدزنی فرکانس بالا به دلیل حجم کم، چگالی توان بالا، پاسخ سریع و کنترل ساده به صورت گسترده در صنعت استفاده می شوند. مبدل های افزاینده dc-dc به دلیل بهره ولتاژ بالا و همچنین قابلیت کنترل برای ردیابی حداکثر نقطه توان سیستم های فتوولتائیک از اهمیت ویژه ای برخوردار می باشند. با افزایش فرکانس، چگالی توان افزایش و حجم مبدل کاهش می یابد. اما تلفات کلیدزنی را افزایش و راندمان مبدل کاهش ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

هدف پایان نامه، طراحی مبدل dc/dc تشدیدی llc منبع ولتاژ با محدوده تغییرات وسیع ولتاژ ورودی، ولتاژ خروجی و بار می باشد. ابتدا مبدل dc/dc تشدیدی llc با دو روش تقریب هارمونیک اصلی و معادلات دینامیکی در حوزه زمان مدل سازی و شبیه سازی گردیده اند. به¬دلیل استفاده از تقریب هارمونیک اول برای مدل سازی مبدل، نمی¬توان مدل دقیقی از مبدل در تمام محدوده فرکانسی داشت. مدل بدست آمده تنها در محدوده فرکانسی در نز...

در این مقاله در ابتدا مفهوم کلیدزنی نرم در مبدل‌های DC-DC تشریح می‌شود‌ و در ادامه وارد بُعد مداری شده و یک مبدل بوست را با کلیدزنی نرم و با ایجاد شرایط ولتاژ صفر (ZVS) و جریان صفر (ZCS) تحلیل و آنالیز می‌کنیم. مبدل بوست، از یک مدار کمکی رزونانسی که شامل یک کلید اکتیو و تعدادی عناصر پسیو می‌باشد جهت ایجاد شرایط مناسب برای کلیدزنی نرم استفاده شده است هم‌چنین در ادامه یک مبدل بوست با کلیدزنی نرم ج...

در این مقاله یک مبدل افزاینده جدید ارایه گردیده است که برای ایجاد شرایط کلیدزنی نرم از کلید کمکی استفاده نگردیده است بنابراین نیاز به مدار راه انداز اضافی نیست و انرژی مدار کمکی نیز به نحو مناسبی به خروجی منتقل گردیده است. مدار کمکی شرایط کلیدزنی در جریان صفر را برای روشن شدن و شرایط کلیدزنی در ولتاژ صفر را برای خاموش شدن کلید فراهم می نماید. از طرفی تمامی دیودها بصورت ZCS خاموش می گردند و مشکل...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید