ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

امروزه تحلیل سری های زمانی در مطالعات لرزه ای دارای کاربردهای فراوانی هستند. با توجه به اینکه زمین در مقابل انتشار امواج لرزه ای مانند یک فیلتر پایین گذر عمل می کند، موجب تغییر محتوای بسامدی امواج لرزه ای با زمان می شود. نمایش زمان – فرکانس یکی از ابزارهای مناسب تحلیل سیگنال های لرزه ای با محتوای فکانسی متغیر با زمان می باشند. تجزیه طیفی یک داده سه بُعدی لرزه ای، به ازای هر بسامد مکعبی هم بُعد با...

نشانگرهای لرزه ای ابزار مفیدی در تفسیر پدیده های چینه شناسی هستند. استفاده از نشانگرهای لرزه ای این امکان را فراهم می آورد که پدیده های زمین شناسی که به شکل معمول در مقطع لرزه ای قابل مشاهده نیستند را مشاهده کنیم. یکی از این پدیده ها کانال های مدفون رودخانه ای می باشد. کانال های پر شده توسط سنگ های متخلخل که به وسیله یک خمیره ناتراوا محصور شده اند، در اکتشافات چینه ای از اهمیت ویژه ای برخوردارن...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

روش رادار نفوذی زمین (gpr) روشی غیرمخرب برای موقعیت یابی اشیاء مدفون یا مرز بین سطوح است. با استفاده از این روش می توان اهداف فلزی و غیرفلزی را در یک زمینه غیررسانا یا نسبتاً رسانا شناسایی کرد. این روش در بسیاری از فعالیت های مهندسی به خصوص ژئوتکنیک، بررسی خاک، زمین شناسی، شناسایی حفره ها، یافتن موقعیت کانال های مدفون و لوله ها، تحقیقات باستان شناسی، بررسی منابع آب های زیرزمینی کم عمق و آلودگی ه...

در مطالعه حاضر از روش غیرمخرب و با قدرت تفکیک زیاد رادار نفوذی به زمین (gpr) جهت آشکارسازی و شناسایی مشخصات هندسی اهداف به شکل استوانه افقی مدفون همانند انواع ساختارهای تونلی، استفاده شده است. دست یابی به چنین مقصودی براساس تعیین ارتباط بین مشخصات هندسی اهداف استوانه ای مدفون و پارامترهای هذلولی پاسخ gpr مربوطه، با استفاده از روش های هوشمند شبکه های عصبی مصنوعی (ann) و ماشین بردار پشتیبان (svm)...

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لای...

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایsoi-mosfet به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده si3n4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار soi-mosfet چند لایه ...