نمونه هایی از فیلم های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه گیری مغناطش این نمونه ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و mcd را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حامل های هر ی...

آزمایشات نشان می دهد که وقتی چگالی گاز حامل کم باشد سیستم رفتار عایق گونه از خود نشان می دهد(با افزایش دما رسانندگی افزایش می یابد) و وقتی چگالی گاز حامل بیشتر از مقدار بحرانی باشد رفتار فلز گونه مشاهده می شود. چگالی بحرانی (nc) ، مرز گذار فلز - عایق را مشخص می کند. در رهیافت های متفاوتی که تاکنون در مطالعه ی این پدیده ی فیزیکی استفاده شده است کل گاز حامل شبه دوبعدی با تقریب یک سیستم دو بعدی د...

خواص ترابرد الکترونی نظیر رسانش، اثر هال و اثرات ترمودینامیکی در زمینه طراحی مواد از اهمیت ویژه ای برخوردارند. هم چنین از اثرهال در اندازه گیری مقاومت مغناطیسی مواد (مقاومت مواد در برابر میدان مغناطیسی ) ونیز برای تعیین نوع و چگالی حامل ها استفاده می شود .برای محاسبه ی خواص ترابرد الکترونی ، نیاز به توصیف فضای حقیقی از رفتار الکترون در بلورداریم .استفاده از توابع موج جایگزیده در فضای حقیقی باعث...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

در این مقاله به بررسی چگونگی عبور امواج الکترومغناطیسی از لایة پلاسمای سرد ابرچگال ناهمگن در حضور میدان مغناطیسی پرداخته می­شود. پلاسمای ابرچگال نمونه ای از یک مادة چپگرد است، و عبور موج الکترومغناطیسی از آن ناشی از برانگیختگی مدهای سطحی پلاسما می­باشد. در اینجا ساختار خاصی از پلاسمای چگال معرفی می شود و به طور ویژه نشان داده می شود که امواج سطحی به خوبی می­توانند در دو سمت آن برانگیخته شوند و ...

در این تحقیق، وابستگی دمای مشخصه، ماکزیمم دمای عملکرد و عمق کمینه چاه پتانسیل به پارامترهای ساختار در لیزر نقطه کوانتومی gainasp/inp در حضور اتلاف درونی وابسته به چگالی حامل بررسی شده است. اتلاف درونی در یک لیزر نیمه رسانای نقطه کوانتومی، احتمال اشغال تراز حامل محدود شده را در qdها، با چگالی حامل آزاد در موجبر جفت می کند به خاطر این جفت شدگی که توسط شرایط آستانه کنترل می شود، چگالی حامل آزاد ا...

در این پایان نامه لایه های نازک al:zno با استفاده از روش سل-ژل تولید شده و ثابت های اپتیکی این لایه ها بر اساس چگالی آلومینیوم و با استفاده از بیضی نگاری مورد مطالعه قرار گرفتند. دلیل انجام این کار، نبود اطلاعات کافی درباره ی تغییرات چگالی حامل ها در لایه های نازک al:zno با آلایش بالا می باشد. بر اساس نتایج بدست آمده، چگالی حامل های آزاد لایه های نازک، با افزایش تجمع آلومینیوم، افزایش یافت. کا...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...