در این پژوهش به محاسبه روابط پاشندگی و ویژگی گاف نوار فوتونی در بلور فوتونی توجه شده است. همچنین چگالی حالت های جایگزیده فوتونی و پارامترهای تقویت نور بررسی گردیده است. روش های محاسباتی مختلفی مانند pwe، fdtd و me در شبیه سازی و بهینه سازی ساختار بلور فوتونی بکار گرفته شده اند. نشان داده شده است که روش محاسبه ldos بر اساس me روش قدرتمندی برای مطالعه گسیل خودبخودی، تقویت نور و محاسبه محصورسازی ...

در دهه های اخیر بلورهای فوتونی مورد توجه بسیار زیادی قرار گرفته اند و نوید بخش تحولات عظیم مخصوصاً در زمینه صنعت مخابرات و ارتباطات می باشند و انتظار می رود که در آینده ای نه چندان دور شاهد تحولات شگرف (مشابه تحولات بوجود آمده در زمان کشف نیمرساناها) در زمینه قطعات اپتوالکتریک باشیم. فصل مشترک موجود در بلورهای فوتونی نامتجانس که ازاتصال دو بلور فوتونی با پارامترهای فیزیکی و تقارن هندسی متفاوت ...

در این پایان نامه روش نوینی برای بررسی گذر نور از یک ساختارکریستال فوتونی ارائه شده است. بااستفاده از مدل پیوند قوی تابع گرین یک سیستم کامل به دست آمد. سپس بر اساس روشمندی لیپمن- شوینگر اثر ناکاملی در این شبکه کریستال فوتونی برای گذر نور محاسبه شد و در نهایت جایگزیدگی فوتون نشان داده شد. همچنین روش دیگری برای محاسبه چگالی حالت های فوتونی در یک ساختار کریستال فوتونی ارائه شده است. مشابه با الکتر...

در این مقاله، خواص ساختاری و مغناطیسی حالتهای یونی Fe آلائیده شده در ساختار روتایل (rutile) TiO2 با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی محاسبه گردیده است. به منظور مطالعه حالت باری اتم آهن و نقش آن در خواص مغناطیسی، پیکربندی-های گوناگونی از اتم آهن با حضور و عدم حضور تهی جایی اتم اکسیژن در شبکه بلوری TiO2 در نظر گرفته شده، و تاثیر تهی جایی اتم اکسیژن بر روی ساختار الکترونی هر پیکربندی مورد بررسی قرار ...

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...

در این مقاله، خواص ساختاری و مغناطیسی حالتهای یونی fe آلائیده شده در ساختار روتایل (rutile) tio2 با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی محاسبه گردیده است. به منظور مطالعه حالت باری اتم آهن و نقش آن در خواص مغناطیسی، پیکربندی-های گوناگونی از اتم آهن با حضور و عدم حضور تهی جایی اتم اکسیژن در شبکه بلوری tio2 در نظر گرفته شده، و تاثیر تهی جایی اتم اکسیژن بر روی ساختار الکترونی هر پیکربندی مورد بررسی قرار ...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی است، که از یک سری میله های دی الکتریک که در یک زمینه ی دی الکتریک همگن با ضریب دی الکتریک متفاوت قرار...

در این پایان نامه با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالت های جایگزیده موجود در گاف انرژی و حالت های گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. حالت های جایگزیده به صورت توزیع نمایی مربوط به کشیدگی نوار رسانش و ظرفیت و نیز حالت های پیوندی معلق در نظر گرفته شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد ...

در این رساله خواص اپتیکی ساختارهای لایه ای شامل متامواد مطالعه شده است. متامواد چپگرد موادی مصنوعی هستند که ضرایب گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی آنها به طور همزمان منفی بوده و دارای ضریب شکست منفی هستند. در متامواد تک منفی ، فقط یکی از ضرایب گذردهی الکتریکی یا تراوایی مغناطیسی منفی می باشد. این مواد به دو صورت اپسیلون-منفی و مو-منفی وجود دارند. ابتدا بلور فوتونی یک بعدی را در نظر گرفتیم که...

مقدمه: توسعۀ پالس​های فوق سریع لیزری ما را قادر به استفاده از اندرکنش​های قوی و جایگزیدۀ اپتیک غیرخطی و دستکاری اپتیکی در داخل سلول​های زنده در مقیاس نانو نموده است. در نقطۀ تمرکز، چگالی توان نور بالا بوده و هر پالس باعث ایجاد یک حباب میکروسکوپی می‌شود که بافت سلولی اطراف خود را از هم جدا می‌کند. از تجمع هزاران حباب در کنار یکدیگر می‌توان یک برش بسیار ظریف در بافت سلولی ایجاد نمود. به​علت دارا ...