نتایج جستجو برای: پیوند نیم رسانا

تعداد نتایج: 22190  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک 1393

led های ابر لیانی یا دیودهای نور گسیل ابر لیانی قطعاتی هستند که جهت مندی باریکه دیود لیزری را با گسیل طیف پهن دیود های نور گسیل ترکیب می کنند و این خصوصیات ویژه باعث افزایش کارایی در جفت شدگی با فیبرهای نوری ، سیستم های تصویر برداری پزشکی و ... می شوند . در این تحقیق مدل سازی ساختار دیودهای نورگسیل ابر لیانی ، فیزیک قطعه ومشخصه های مورد نظر قطعه بیان خواهند شد. روش بررسی ما بر اساس حل معادلات آ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1393

هدف اصلی در این پایان¬نامه بررسی چند نوع از پلیمرهای نیمه¬هادی به عنوان ماده دهنده الکترون در کنار c60 به عنوان ماده پذیرنده الکترون برای ساخت سلول خورشیدی با استفاده از ساختار پیوند ناهمگن توده¬ای می¬باشد. با توجه به این¬که c60 دارای سطوح انرژی homo=-6.2 وlumo=-4.5 است، در میان تمامی نیمه¬هادی¬های آلی دارای الکترون¬خواهی بالاتری می¬باشد ولذا می¬تواند یکی از بهترین پذیرنده¬ها در ساخت سلول¬خورشی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1392

فونون را می¬توان به عنوان کوانتوم امواج کشسانی (مکانیکی) حاصل از ارتعاشات اتم¬¬ها در جامدات تعریف کرد. به طور مشابه می¬توان فونون را به عنوان بسته موج متحرک در نظر گرفت که دارای خصوصیاتی مشابه یک فوتون (یعنی کوانتوم نوسانات الکترومغناطیسی) است. اندرکنش-های مرتبط با فونون¬ها نقش مهمی در خصوصیات فیزیکی جامدات بلورین و نیم¬رساناها دارد که نهایتاً بر کارآیی دستگاه¬های مرتبط از جمله قطعات نوری تأثیر ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1393

در برخی ساختارهای پیوند جوزفسون بلند پاسخ های مدل فعلی پیوند با نتایج عملی، تفاوت داشته است و به همین دلیل برای رسیدن به نتایج عملی نزدیکتر، برای پیوند جوزفسون بلند، مدل جدیدی مطرح و شبیه سازی شد. در این پایان نامه ابتدا به مدل سازی پیوند جوزفسون بلند جدید، پرداخته می شود، سپس برای ساختن مدل، نرم افزار pspice انتخاب شده و مدل پیوند جوزفسون پایه به صورت شماتیک و لیست گره، ساخته می شود. دلیل انتخ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1393

طر احی led مبتنی بر ساختار مواد gan پرداخته شده است که در ابتدا به ساختار کلی led و فرایندهای ساخت آن ذکر شده است. از جمله فرایندهای که در ساخت ادوات نیمه هادی انجام می گیرد شامل اکسیداسیون , افزودن ناخالصی (که هم به صورت نفوذ و کاشت یونی می توان انجام گیرد) لایه نشانی , رونشینی فاز بخار (که به صورت گسترده ای در ساخت led به کار می روند دارای اهمیت است.) رسوب خلاء , عمل کند وپاش , فتولیتوگرافی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم پایه 1393

نانو مواد چند بعدی شامل نقاط، سیم¬ها و چاه¬های کوانتومی می¬باشند.با کاهش ابعاد یک ماده در حد کمتر از 100 نانومتر، ساختارهای نانو مواد چند بعدی شکل می¬گیرد که تغییرات خواص آنها از فیزیک مکانیک کوانتومی نشات می¬گیرد. برای قابل استفاده ساختن، آنها با یکدیگر و یا با الکترودهایی که می¬توانند به آنها الکترون داده یا از آنها الکترون بگیرند، وصل شوند که در کار حاضر به آن پرداخته شده است. سازوکار فیزیکی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حسن ربانی h rabani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد محمد مردانی m mardaani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد سکینه وثوقی نیا s vosooghi-nia shahrekord universityدانشگاه شهرکرد

در این تحقیق، با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی به مطالعه رسانش الکتریکی یک نانو لوله نوعی تک دیواره با ساختار شبکه مربعی، به صورت تحلیلی پرداخته شده است. اثر عوامل مختلفی همچون حضور نقص های پیوندی متقارن، فاصله بین نقص های پیوندی و تغییرات انرژی های پرش نانو لوله روی رفتار رسانندگی الکترونی بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسی نانو لوله های نوعی مذکور نشان می دهد که نانو لوله با سا...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 0
قاسم انصاری پور گروه فیزیک -دانشگاه بوعلی سینا-همدان بهاره شایقی department of physics, yazd university

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک 1392

قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیترید می تواند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کند، نیمه رساناهای نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آن که به علت داشتن نوار انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند و درگسیل های نوری، گذار مستقیم دارند. بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات توان بالا و بهره بالا می باشند. لذا برررسی بهره نوری و بهینه سازی آن میتواند کارکرد لیزرهای ن...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید