تمایل بشر به افزایش مینیاتورسازی قطعات الکترونیکی، برای بدست آوردن چگالی تجمیع بالا و سرعت بیشتر باعث احساس نیاز روزافزون در حوزه آماده سازی مواد و فرآیندهای تولید قطعات شده است. پس برای رسیدن به قابلیت های بیشتر در ارتباط با افزاره های الکترونیکی نیاز به قطعاتی داریم که دارای ویژگی های زیر باشند: 1- دارای قابلیت مجتمع سازی با چگالی بالاتر 2-سرعت پردازش بالاتر 3-مصرف توان کمتر در این راستا ...

با توجه به پیشرفتهای روزافزون تکنولوژی نیمه هادیها و مدارهای تجمعی اهمیت اتصالات فلز - نیمه هادی روز به روز بیشتر می شود. با توجه به سابقه طوللانی تحقیق در زمینه پیوندهای فلز - نیمه هادی، مطالعات زیادی در دهه اخیر صورت گرفته است که نشاندهنده اهمیت کاربردی آنها در تکنولوژی جدید قطعات نیمه هادی می باشد. در این پروژه سعی شده تمام نظریه های اصلی، در مورد پیوندهای فلز - نیمه هادی با توجه به روند تار...

در این پژوهش، از یک مدل مونت کارلو دو دره ای برای شبیه سازی اتصال شاتکی استفاده شده است. در مدل ارائه شده، پراکندگی های ناخالصی و فونونی درنظر گرفته شده اند و یونیزاسیون برخوردی در ماتریس پراکندگی قرار گرفته است. باندهای انرژی غیرسهموی فرض شده اند و سازوکارهای تونل زنی و گسیل گرمایونی مولفه های جریانی هستند. با اضافه کردن یک لایه نازک غیر هم نوع با نیم رسانا نشان داده شده است که شکل گیری یک مید...

چکیده ندارد.

ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...

در این پایان نامه گزارشی از ساخت و تست یک دیود شاتکی تولید شده با نیمه هادی ‏‎gaas‎‏ توسط دستگاه رونشستی پرتر ملکولی ‏‎(mbe)‎‏ ارائه می گردد.جهت ساخت این دیود، بعد از رشد اپیتاکسی ‏‎gaas‎‏ روی زیر لایه تک بلور با جهت (100) فلز آلومینیوم را در خلا بسیار بالا روی لایه مذکور نشانده، تا پیوند شاتکی تشکیل گردد. برای انجام تست ابتدا پروفایل ناخالصی، قابلیت تحرک ومقاومت مخصوص لایه ‏‎n‎‏ رشد داده شده ر...

در این پژوهش پاسخ‌دهی نوری نانولایه گرافین، به کمک ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون مورد بررسی قرار گرفته است. جهت ایجاد پیوند شاتکی، نانولایه‌ای از گرافین بر روی زیرلایه‌ای از سیلیکون قرار گرفته است. زیرلایه سیلیکونی تا ضخامت 270 نانومتر اکسید شده است و پس از لایه‌نشانی‌های کروم- طلا (ضخامت لایه‌های کروم- طلا به ترتیب 50 و150 نانومتر است)، با استفاده از ماسک مخصوصی الگو شده است. منحنی مشخصه...

گرافین، با ویژگی هایی همچون: گاف انرژی صفر ، تحرک بالای الکترونی، رسانایی خوب الکتریکی، شفافیت، انعطاف و استحکام زیاد، نوید بخش سلول های خورشیدی هست که بهبود بازده و کاهش هزینه های تولید را به همراه دارند. برای استفاده از گرافین به عنوان کنتاکت و در عین حال لایه ی فعال، یعنی ایجاد پیوند شاتکی، نیاز به افزایش سد شاتکی، کاهش مقاومت و افزایش شفافیت گرافین است که با 5 لایه ی گرافین دوپ شده با tfsa،...

پس از ساخت قطعه توسط دستگاه لایه نشانی الکترون بیم گان به بررسی خواص الکتریکی dc پیوند نانو ساختار بروموآلومینیوم فتالوسیانین با الکترودهای مس در دماهای مختلف پرداخته ایم. با رسم نمودار رسانندگی برحسب ولتاژ و مقایسه¬ی ضرایب کاهندگی ریچاردسون شاتکی و پل فرنکل با مقدار تئوری آن برای دو ناحیه¬ی ایجاد شده در نمودار مشخص شد که نوع اتصال فلز- نیمه رسانا شاتکی بوده که با افزایش دما رسانندگی افزایش می¬...