در این تحقیق لایه AZO (اکسید روی الایش یافته با الومینیوم) بر روی زیر لایه p-Si به روش افشانه داغ لایه نشانی شد. هدف از این تحقیق بررسی خواص الکترواپتیکی پیوندگاه نامتجانس AZO/p-Si و نیزلایه AZO تحت تابش نور مرﺋی و فرابنفش قبل و پس از پخت است . پیوندگاه نامتجانس ایجاد شده می تواند به عنوان یک حسگر نوری و سلول خورشیدی عمل کند. به منظور بررسی ساختار بلوری و ریخت شناسی این لایه ، از طیف پراش اشعهX...

در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...

در این تحقیق لایه azo (اکسید روی الایش یافته با الومینیوم) بر روی زیر لایه p-si به روش افشانه داغ لایه نشانی شد. هدف از این تحقیق بررسی خواص الکترواپتیکی پیوندگاه نامتجانس azo/p-si و نیزلایه azo تحت تابش نور مرﺋی و فرابنفش قبل و پس از پخت است . پیوندگاه نامتجانس ایجاد شده می تواند به عنوان یک حسگر نوری و سلول خورشیدی عمل کند. به منظور بررسی ساختار بلوری و ریخت شناسی این لایه ، از طیف پراش اشعهx...

ما در این مقاله با استفاده از یک مدل بستگی قوی و روش ماتریس انتقال، اثر تغییر طول مولکول و قدرت پیوندگاه مولکول- نانو لوله کربن ( cnt ) را بر گسیل الکترون از سیستم cnt / مولکول منفرد/ cnt به صورت عددی بررسی می کنیم. با پلی استیلن در فاز ترانس ( trans -pa ) به عنوان مولکول، خواص رسانندگی سیستم را در چارچوب روش لانداور ( landauer ) مطالعه می کنیم. محاسبات ما نشان می دهند که در این ساختارها، رسانن...

در این پایان نامه پیوندگاه جوزفسون توسط پدیده میکروسکوپی تونل زنی و تاثیر اعمال ولتاژ به دو سر آن و حضور در میدانهای مغناطیسی مورد بررسی و معرفی قرار می گیرد. در اینجا هدف، دست یافتن به جوابهای معادله سینوسی گوردون است که رفتار پیوندگاه جوزفسون را توصیف می کند. اثر جوزفسون پدیده ای شامل شارش جریان در عرض دو ابررسانای مجزا که بطور ضعیف توسط یک لایه نازک بهم متصل شده اند، می باشد. پیوندگاه جوز...

در دهه¬های اخیر ساخت ابزارهای الکترونیکی با استفاده از مواد نانومقیاس، تغییرات اساسی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است. انتخاب ماد? مناسب جهت ساخت ابزارهای الکترونیکی با عملکرد بالا با پای? نیم¬رساناهای ترکیبی با گاف نواری پهن، از مهم¬ترین مراحل است. از میان هم? اکسیدهای فلزی، zno به¬دلیل فرآیند ساخت آسان، گاف نواری مستقیم و پهن ev 37/3، انرژی پیوندی اکسایتونی بالا mev 60 و تنوع ریخت از مناسب¬تر...

in this thesis,spin dependend transport and electron transport through of ng/sg(graphene/ superconductor graphen) are studied in the junction of ng/fgt/sg. due to andreev reflection conductance increases in the presence of superconductor graphene.also, by applying a voltage gate on a superconductor, fermi level shifts and the conductance is independent of ferromagnatic substrate. also, the cond...

نانو ذرات  Siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-Si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...

در این پایان نامه رفتار دینامیکی یک پیوندگاه بوزونی جوزفسون را مطالعه خواهیم کرد. این پیوندگاه با عبور دادن یک سد لیزری از میان یک چگالیده بوز اینشتین و تقسیم آن به دو قسمت ساخته میشود. به دلیل تشابه دو پیوندگاه بوزونی و ابررسانایی جوزفسون ابتدا ویژگی های یک پیوندگاه ابررسانایی را بصورت خلاصه بررسی می کنیم. بعد از آن خواص سیستم های بوزونی را مطالعه کرده و با معرفی یک مدل نیمه کلاسیک برای تو...

در صنعت سلول های خورشیدی، سلول های سیلیکنی بواسطه فراوانی مواد اولیه و گستردگی تجهیزات ساخت بیشترین سهم را از آن خود کرده اند. در میان سلول های سیلیکنی، ساختارهای هتروجانکشن آمورف/کریستالی به دلیل هزینه تولید پایین،پسیویشن مناسب و امکان دستیابی به بازده های بالا بسیار مورد توجه هستند. تا کنون سلول hit یا "هتروجانکشن با بکارگیری لایه نازک ذاتی" که توسط کمپانی سانیو ارائه شده، بالاترین بازده و به...