در فناوری mems، ساختارهای خازنی وجود دارد که در سال های اخیر، ساختارهای خازنی با صفحه فوقانی چهار طرف ثابت مورد استفاده فراوان قرار گرفته اند. در این ساختارها، ولتاژ بحرانی بسیار اهمیت دارد. این بدان علت است که با افزایش ولتاژ ورودی، مقدار جابه جایی صفحه متحرک فوقانی بیشتر شده و درصورتی که این مقدار ولتاژ از حد مجاز افزایش یابد، ساختار دچار فروپاشی می گردد. این ولتاژ، به عنوان ولتاژ بحرانی شناخ...

در این مقاله کمانش عرضی یک نانوتیر پیزوالکتریک واقع در محیط الاستیک با استفاده از تئوری تیر ردی مورد بررسی قرار گرفته است. نانوتیر در راستای ضخامت قطبی شده و تحت یک ولتاژ خارجی و اختلاف دما قرار دارد. برای مدل کردن بستر الاستیک از مدل پاسترناک و برای بررسی اثرات مقیاس کوچک از تئوری الاستیسیته گرادیان کرنشی استفاده شده است. ابتدا به بررسی روابط کرنش-تغییر مکان پرداخته شده، سپس با استفاده از روش ...

در این مقاله کمانش عرضی یک نانوتیر پیزوالکتریک واقع در محیط الاستیک با استفاده از تئوری تیر ردی مورد بررسی قرار گرفته است. نانوتیر در راستای ضخامت قطبی شده و تحت یک ولتاژ خارجی و اختلاف دما قرار دارد. برای مدل کردن بستر الاستیک از مدل پاسترناک و برای بررسی اثرات مقیاس کوچک از تئوری الاستیسیته گرادیان کرنشی استفاده شده است. ابتدا به بررسی روابط کرنش-تغییر مکان پرداخته شده، سپس با استفاده از روش ...

در این مقاله، استراتژی کنترلی جدیدی جهت تنظیم ولتاژ بارهای بحرانی در مقدار نامی برای ریزشبکه‌های فشارضعیف پیشنهاد شده است. در این مقاله بدون ارتباط مخابراتی، افت ولتاژ امپدانس رابط بین خروجی DG تا نقطه اتصال مشترک (PCC) به‌ازای عبور توان‌های اکتیو و راکتیو جبران شده است. روش کنترل Q – V اصلاح شده تا ولتاژ بار بحرانی در مقدار نامی تنظیم شود. همچنین، توان‌های اکتیو و راکتیو بار به‌صورت دقیق بر اس...

در پژوهش حاضر، تصفیه‌ی خاک آلوده به نفت خام )آلودگی اولیه‌ی m‌g/K‌g ۶۰۰۰( با استفاده از روش الکتروکینتیک بهبودیافته با سورفکتنت‌های S‌D‌S و S‌a‌p‌o‌n‌i‌n در مقیاس آزمایشگاهی بررسی شده است. آزمایش‌ها در سلول الکتروکینتیک از جنس پلکسی‌گلاس به ابعاد c‌m $30t‌i‌m‌e‌s6t‌i‌m‌e‌s5$ در مدت ۷ روز انجام شده‌اند. در پژوهش حاضر، اثر غلظت سورفکتنت )غلظت S‌D‌S برابر با ۰٫۱، ۰٫۲ و ۰٫۳ و غلظت S‌a‌p‌o‌n‌i‌n برا...

حد توان راکتیو تولیدی ژنراتورهای سیستم قدرت، تأثیر قابل توجهی بر مرزهای استاتیکی پایداری ولتاژ مانند حداکثر بارپذیری سیستم قدرت (MLP) و مرزهای دینامیکی پایداری ولتاژ مانند نقاط دوشاخگی HB، LIB و SNB دارد. از آن‌جاکه رسیدن ژنراتورها به حد راکتیو خود سبب کاهش حد پایداری ولتاژ و یا بروز فروپاشی ولتاژ می‌شود، راه‌کارهای مختلفی به‌منظور کنترل و یا افزایش ظرفیت توان راکتیو تولیدی ژنراتورها مانند تغیی...

امروزه استفاده از ابررساناهای دمای بالا به­دلیل دارا بودن چگالی جریان بحرانی بالا در حضور میدان­های مغناطیسی قوی، در دستگاه­های توکامک و تصویرگیری تشدید مغناطیسی پیشنهاد می­شود. در این مطالعه، برای نمونه­ی خاصی از نوار چندسازه­ی /AgMg2223Bi-، وابستگی به جریان بحرانی در دما و شعاع­های انحنای مختلف به­دست آمد. هم‌چنین، با استفاده از این نوار ابررسانا، یک پیچه­ی صفحه­ای D شکل طراحی، ساخته و مشخصه­...

حد توان راکتیو تولیدی ژنراتورهای سیستم قدرت، تأثیر قابل توجهی بر مرزهای استاتیکی پایداری ولتاژ مانند حداکثر بارپذیری سیستم قدرت (mlp) و مرزهای دینامیکی پایداری ولتاژ مانند نقاط دوشاخگی hb، lib و snb دارد. از آن جاکه رسیدن ژنراتورها به حد راکتیو خود سبب کاهش حد پایداری ولتاژ و یا بروز فروپاشی ولتاژ می شود، راه کارهای مختلفی به منظور کنترل و یا افزایش ظرفیت توان راکتیو تولیدی ژنراتورها مانند تغیی...

در این پژوهش براساس تئوری الاستیسیته غیرمحلی، تحلیل استاتیکی و دینامیکی یک نانولوله همگن الاستیک حامل سیال با شرایط مرزی دو سر گیردار بررسی شده است. نانولوله تحت تحریک الکترواستاتیک و میدان مغناطیس و با در نظر گرفتن اثرات لایه سطحی، نیروی مکانیکی و حرارتی است. جابجایی عرضی نانولوله شامل دو بخش جابجایی استاتیکی و دینامیکی است. در این بررسی، تغییر مکان استاتیکی با استفاده از روش عددی مانده وزن دا...

در این پژوهش لایه های نیترید زیرکونیوم روی سیلیکون و فولاد زنگ نزن ۳۰۴ با روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی پوشش داده شدند. تاثیر ولتاژ بایاس زیرلایه روی ساختار لایه ها، مورفولوژی و سختی مورد بررسی قرار گرفت. لایه ها بوسیله ی پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، میکروسختی سنجی و میکروسکوپ نیروی اتمی آنالیز شدند. بر اساس الگوهای پراش اشعه ایکس، تنها پیک های پراش ZrN مربوط به صفحات (۱۱۱) و (۲۰۰) م...