نتایج جستجو برای: ولتاژ بایاس

تعداد نتایج: 5581  

ژورنال: مهندسی متالورژی 2018

در این پژوهش لایه های نیترید زیرکونیوم روی سیلیکون و فولاد زنگ نزن ۳۰۴ با روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی پوشش داده شدند. تاثیر ولتاژ بایاس زیرلایه روی ساختار لایه ها، مورفولوژی و سختی مورد بررسی قرار گرفت. لایه ها بوسیله ی پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، میکروسختی سنجی و میکروسکوپ نیروی اتمی آنالیز شدند. بر اساس الگوهای پراش اشعه ایکس، تنها پیک های پراش ZrN مربوط به صفحات (۱۱۱) و (۲۰۰) م...

آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی گروه جدیدی از مواد هوشمندند که به دلیل خواصی ویژه ـ مانند کرنش بالای قابل بازگشت، عمر خستگی بالا و پاسخ زمانی سریع ـ به گزینه‌یی مناسب برای سیستم‌های برداشت‌کننده‌ی انرژی، عملگرها و سنسورها بدل شده‌اند. برای استفاده از این مواد در سیستم‌های مذکور همواره به یک سازوکار برگشت نیاز است تا نمونه‌ی آلیاژ را به حالت اولیه برگرداند. روش رایج در برداشت‌کننده‌های انرژی استفاد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - پژوهشکده برق 1391

در سالهای اخیر ، رشد و توسعه تجهیزات مخابرات سیار و سیستم های قابل حمل سبب شده محققان و طراحان rf بر روی مدارات با ولتاژ و توان مصرفی کم تمرکز بیشتری داشته باشند. امروزه اکثر سیستم ها به صورت بی سیم می باشند و کاهش توان مصرفی امری ضروریست که سبب افزایش طول عمر باطری می شود. یکی از مهمترین بخش های گیرنده rf میکسرمی باشد. مهمترین ویژگی میکسر بهره تبدیل بالا و iip3 مناسب می باشد. برای سیستم های بی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - پژوهشکده فنی و مهندسی 1389

اغلب مدارات در محیط هایی در حال کار هستند که تغییرات دمایی بر آنها اعمال می شود و نوسان دما بر ولتاژ بایاس تاثیر گذاشته ، آن را جابجا می کند . از طرفی یکی از پارامترهای مهم در طراحی مدارات الکترونیک ، دستیابی به بیشترین دامنه نوسان متقارن جریان و ولتاژ در خروجی می باشد . لذا استفاده بهینه و اقتصادی از یک مدار و اخذ ماکزیمم نوسان متقارن در خروجی مستلزم بایاس مدار در نقطه ای است که بیشترین دامنه ...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 0
نسترن نادمی کارشناس ارشد - دانشکده مهندسی برق – واحد تهران جنوب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران جواد کرمدل دانشیار - دانشکده مهندسی برق – واحد تهران جنوب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

در این مقاله، یک میکروفن خازنی m‏ems  جدید تک تراشه بر روی ویفر سیلیکونی با کمینه کردن اندازه و کاهش استحکام  مکانیکی با استفاده از دیافراگم دایروی با مرکز ثابت پیشنهاد شده است. در میکروفن پیشنهادی دیافراگم شامل تعدادی حفره می باشد که موجب عبور هوا در شکاف مابین صفحه پشتی و دیافراگم می شود و به این ترتیب میرائی مربوط به صدا را در میکروفن کاهش می دهد. تازگی این روش، ایجاد میکروفن دایروی با مرکز ...

در این مقاله، یک میکروفن خازنیMEMS  جدید تک تراشه بر روی ویفر سیلیکونی با کمینه کردن اندازه و کاهش استحکام  مکانیکی با استفاده از دیافراگم دایروی با مرکز ثابت پیشنهاد شده است. در میکروفن پیشنهادی دیافراگم شامل تعدادی حفره می‌باشد که موجب عبور هوا در شکاف مابین صفحه پشتی و دیافراگم می‌شود و به این ترتیب میرائی مربوط به صدا را در میکروفن کاهش می‌دهد. ‌تازگی این روش، ایجاد میکروفن دایروی با مرکز ث...

در این مقاله، یک میکروفن خازنیMEMS  جدید تک تراشه بر روی ویفر سیلیکونی با کمینه کردن اندازه و کاهش استحکام  مکانیکی با استفاده از دیافراگم دایروی با مرکز ثابت پیشنهاد شده است. در میکروفن پیشنهادی دیافراگم شامل تعدادی حفره می‌باشد که موجب عبور هوا در شکاف مابین صفحه پشتی و دیافراگم می‌شود و به این ترتیب میرائی مربوط به صدا را در میکروفن کاهش می‌دهد. ‌تازگی این روش، ایجاد میکروفن دایروی با مرکز ث...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد - دانشکده فنی 1393

در این پایان نامه، به بررسی و طراحی مدارهای بخش تامین توان در کاربردهایی که توان به صورت بی سیم فراهم می شود، در فناوری 0.18 میکرومتر cmos پرداخته شده است. این بخش از چهار بلوک مداری اصلی شامل محدود کننده، یکسوساز ولتاژ، مرجع ولتاژ و جریان و تنظیم کننده ی ولتاژ تشکیل شده است. یک محدود کننده ی کاملا متقارن برای کاهش ولتاژهای زیاد در دو سر آنتن پیشنهاد شده است، که از افزایش بیش از حد سیگنال ورودی...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 2012
ابراهیم بُرزآبادی حمیدرضا تقوی همایون مهدوی نسب

هدف از این مقاله، ارائه یک تکنیک طراحی برای ساختن مدار cmos ota است که به صورت الکترونیکی و خطی قابل تنظیم می باشد. هدایت انتقالی ((gm در مدار، مستقیما به جذر جریان بایاس بستگی دارد. در این مقاله برای ایجاد ولتاژ خروجی ماکزیمم و ایجاد یک گستره هدایت انتقالی به صورت تنظیمی و خطی از مدار cmos ota همسان استفاده می گردد. سپس تغییر هدایت انتقالی cmos ota مورد نظر و تاثیر این تغییر در عملکرد فیلترهای...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 0
حسن صیادی دانشگاه شریف مجتبی عفت پناه حصاری دانشگاه صنعتی شریف محمد امین عسکری فرسنگی دانشگاه صنعتی شریف

در سالهای اخیر برداشت انرژی از منابع موجود در محیط به منظور راه اندازی ادوات الکترونیکی با توان پایین، مورد توجه بسیاری از محققین قرارگرفته است. انرژی باد ، انرژی خورشید ، انرژی جریان آب ، انرژی مکانیکی حاصل از ارتعاشات و . . . از جمله منابع مهم انرژی های موجود در محیط بشمار می آیند. در این مقاله بهینه سازی برداشت انرژی از ارتعاشات محیط توسط آلیاژ حافظه دار مغناطیسی ارائه شده است. بدین منظور یک...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید