نتایج جستجو برای: نیم رسانای اکسید فلزی

تعداد نتایج: 25208  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1387

لایه های نازک اکسید قلع با ناخالصی فلوئور به روش اسپری پایرولیزیز جایگذاری شدند. نمونه ها با پارامترهایی نظیر: نسبت وزنی مختلف، دمای جایگذاری مختلف، مولاریته محلول مختلف تهیه شدند.برای مورد اول، نسبت وزنی فلوئور به قلع(f/sn) با گام های 0/05 از 0 تا 0/3 تغییر نمود. برای موارد بعدی نمونه با نسبت وزنی 0/05: f/sn در سه دمای متفاوت و سه مولاریته متفاوت جایگذاری شد طیف پراش پرتو x برای4 نمونهبا نسبت ...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شاهرود - دانشکده مهندسی برق 1393

در این تحقیق ، به مطالعه بر روی مراجع ولتاژ پرداختیم با استفاده از جریان زیر آستانه ماسفت ها و روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس (البته با در نظر گرفتن بتا ترانزیستور اتصال دوقطبی) ، مداری طراحی کردیم که قادر به جبران دمایی مرتبه دوم بود. هدف پیشنهادی این پایان نامه ، توسعه مرجع ولتاژ باندگپ با ترجیحا عملکرد ولتاژ پایین و همچنین تضمین پایداری در ولتاژ مرجع بود. با استفاده از نرم افزار hspice و ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1393

در چند دهه گذشته تمرکز زیادی از علم الکترونیک بر روی طراحی سلول های حافظه قرار گرفته و تلاش¬های زیادی برای بهینه¬سازی آن ها صورت گرفته است. در این پایان¬نامه سعی شده با بررسی روش های پیشین طراحی سلول حافظه، با اعمال تغییراتی در سلول حافظه استاندارد (6 ترانزیستوری)، سلول جدیدی طراحی و شبیه سازی شود. این سلول جدید ارائه شده از نظر توان و سرعت کاری در وضعیت بهتری نسبت به سلول حافظه استاندارد قرار ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1393

دما یکی از کمیاتی است که نقش مهمی در تصمیم گیری دارد. بنابرین لازم است این کمیت با دقت کافی اندازه¬گیری شود. امروزه، سنسورهای دمایی نظیر مقاومت پلاتینیوم و ترموکوپل که سنسورهای دقیقی هستند، جای خود را به سنسورهای دمای طراحی شده در تکنولوژی cmos، با دقت بالا، داده¬اند. در این پایان نامه به شرح نحوه¬ی طراحی حسگر هوشمند دمایی که در تکنولوژی 0.18?m طراحی شده است پرداخته می¬شود. این حسگر دمای ?c ??-...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم 1393

در کار حاضر، نانوذرات tio2 سنتز شده در فازهای مختلف (آناتاز یا روتایل) به وسیله ی روش سل-ژل ونیز نانوذرات sno2 سنتز شده توسط روش گرمایی آبی، به تنهایی و یا به صورت ترکیبی (با درصد وزنی های مختلف tio2) بطور کامل در محلول اسیدی مونومرهای انیلین پخش گردیدند و نانوکامپوزیت پلی انیلین (امرآلدین)/ tio2 (با فازهای مختلف)، پلی انیلین (امرآلدین)/ sno2 یا پلی-انیلین (امرآلدین)/ tio2 / sno2 از طریق پلیمری...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1392

در این پایان نامه، یک گیرنده ابر بازتولیدی برای استفاده در سیستم های تصویر برداری موج میلی¬متری طراحی و شبیه سازی شده است. هدف از انجام این تحقیق، کاهش توان مصرفی گیرنده ابر بازتولیدی می باشد. معماری ابر بازتولیدی به جهت مصرف توان پایین و تعداد قطعات کم انتخاب شده است. مهمترین بخش مصرف کننده توان در گیرنده ابر بازتولیدی، نوسان گر آن است. با بهره بردن از نوسان گر زوج متقاطع cmos، توان مصرفی این ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1393

استفاده از تکنیک تحریک سلول های زیستی از طریق الکترودها در درمان یا بهبود بسیاری از بیماری ها ناشی از ناتوانی سلول های بافت خاصی از بدن یا عملکرد نامناسب آن ها، بسیار رایج و مؤثر می باشد. از اینرو در سال های اخیر تجهیزات بیومدیکال قابل کاشت توجهات بسیاری را به خود معطوف کرده اند و مطالعات بسیاری در زمینه ی نحوه طراحی و ساخت این تجهیزات انجام شده است. به عنوان یکی از مهمترین بخش های تحریک کننده ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1393

کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا ه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1392

امروزه پیشرفت های صورت گرفته در شبکه های مخابراتی موجب افزایش سرعت انتقال داده ها شده است، به همین منظور تکنولوژی بدون مجوز uwb با قابلیت انتقال داده mbps500 و پهنای باند ghz5/7 ( ghz10/6 – ghz3/1)، بیش از پیش مورد توجه قرار گرفته است. مخلوط کننده مبدل کاهش فرکانسی یکی از مهمترین اجزای گیرنده های rf محسوب می شود، که برای تبدیل فرکانس rf به فرکانس میانی if استفاده می شود. مخلوط کننده مناسب برای ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید