تقریب پتانسیل همدوس برای مطالعه اثر حاملهای بار روی دمای کوری، tc، نیمه رساناهایی مانند euo و eus استفاده شده است . ما از تئوری میدان میانگین تعمیم یافته برای افت و خیز -fاسپینها. از مدل ونسووسکی برای بررسی کنش الکترونهای رسانش با اسپینهای جایگزیده استفاده می کنیم. تغییر در tc در نتیجه جفت شدگی غیر مستقیم اسپینهای جایگزیده از طریق الکترونهای رسانش ، بصورت یک تابع از چگالی حاملها تعیین می شود. ن...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این...

نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده موادی هستند که خواص نیمرسانایی و مغناطیسی را به طور همزمان نشان می دهند. این مواد نیمرساناهایی هستند که شامل تعدادی اتم عناصر واسطه اند که جایگزین کاتیون ها شده اند. از بین نیمرساناهای فرومغناطیس گروه iii–v ، نیمرسانای مغناطیسی گالیوم نیتراید رقیق شده با عناصر واسطه (ga,tm)n به خاطر دمای کوری بالای دمای اتاق، بیشترین کاربرد را در صنعت اسپین ترونیک دارد. در این پژ...

محاسبات ابتدا به ساکن خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی ترکیب ابررسانای فرومغناطیسی rusr2gdcu2o8 با استفاده از روش fp-lapw در چارچوب نظریه تابعی چگالی محاسبه شد. فشار هیدرواستاتیکی تا 6 گیگا پاسکال با تغییر حجم سلول واحد با ثابت نگه داشتن نسبت a:b:c اعمال شد. نتایج بهینه سازی پارامترهای درونی نشان داد که یک تنش صفحه ای در صفحات ru-o وجود دارد که منجر به چرخش های غیر همفاز هشت وجهی های ruo6 در س...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...

در فصل اول تئوری تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفت. در فصل دوم به مطالعه خواص نیمرسانائی و مغناطیسی پرداخته شد. در فصل سوم خواص ساختاری و مغناطیسی سه ساختار انبوهه zno مورد بررسی قرار گرفت. برای اینکار ابتدا ابریاخته مناسب تولید و سپس آلائیدن با درصدهای مختلف به عنوان ناخالصی مغناطیسی مورد بررسی قرار دادیم. سپس خواص الکترونی و مغناطیسی لایه نازک خالص و آلائیده شده با منگنز را برای هر سه ساختار ا...

در این پژوهش، شیشه های (60-x)v2o5 -40teo2-xsb به روش فرونشانی مذاب تهیه شدند سپس به روش چهار سیمه رسانش الکتریکی نمونه ها در گستره دمایی 407-295 درجه کلوین تعیین شد. نمونه های مورد بررسی از رابطه آستین- مات پیروی می کنند که خود موید رسانش جهشی پلارون کوچک است. از رابطه رسانندگی- دما، تغییرات انرژی فعالسازی الکتریکی، اثر تغییر فاصله یونهای وانادیم بر رسانش الکتریکی و همچنین فاکتور تونل زنی در نم...

دراین پژوهش نانو ذرات نیم­رسانای اکسید روی رقیق شده با یون منگنز­ ­­به ­روش سل- ژل خود احتراقی با فرمول کلی zn1-x mnxo (x = 0,0, 0.03, 0.05, 0.07, 0.1) تهیه شد. تک فاز بودن همه­ی نمونه­ها ­و ­اندازه­ی بلورک­ها به کمک پراش پرتو ایکس و رابطه­ی شرر و بیناب فروسرخ فوریه مورد تایید قرار گرفت. اندازه­ی ذرات­­ با میکرسکوپ الکترونی عبوری در حد چندنانومتر براورد شد. بیناب­های فروسرخ نمونه­ها ( ftir) نشا...

در این پایان نامه پس از شرحی کوتاه در باره دلیل علاقه به پلی کریستال کردن نیمه هادی برای تولید افزاره های نیمه هادی، مخصوصا" ترانزیستور لایه نازک ، روشهای اصلی پلی کریستالی کردن سلیکان لایه نشانی شده در دمای قابل تحمل توسط شیشه عادی معرفی شده و سرانجام روش جدید بلوری کردن سلیکان با کمک ژرمانیوم و در حضور میدان الکتریکی و در دمای کمتر از 550درجه سانتیگراد ارائه شده است . سپس برای شناسایی کیفیت ا...

ذرات جاذب نانومغناطیس در ابعاد nm100-1 برای فرایند جداسازی مغناطیسی به‌کار می‌روند که آنها را بنابر خواص مغناطیسی‌شان، به گروه‌های: فرومغناطیسی، فری مغناطیسی، پاد فرومغناطیسی، دیامغناطیسی و پارامغناطیسی تقسیم‌بندی می‌کنند؛ که به علت برخورداری از نسبت سطح به حجم زیاد دارای انرژی فراوانی‌اند و به کاهش سطح انرژی خود گرایش دارند. در نتیجه، دارای ظرفیت زیاد بارالکتریکی و محدودیت پراکندگی‌اند. نانوذر...