در این مقاله اثر ناهمواری فصل مشترک بر روی عبوردهی الکتریکی وابسته به اسپین در یک اتصال تونل­زنی مغناطیسی بررسی می­شود. در محاسبات از روش ماتریس انتقال و تقریب جرم مؤثر برای محاسبۀ احتمال عبور استفاده شده است. ساختار مغناطیسی دو سدی مذکور شامل دو نیم رسانای فرومغناطیسی جدا شده­ با یک لایۀ غیرمغناطیسی است که به دو الکترود فلز غیرمغناطیسی متصل هستند. مؤلفه­های مختلف احتمال­ عبوردهی وابسته به اسپی...

نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده موادی هستند که خواص نیمرسانایی و مغناطیسی را به طور همزمان نشان می دهند. این مواد نیمرساناهایی هستند که شامل تعدادی اتم عناصر واسطه اند که جایگزین کاتیون ها شده اند. از بین نیمرساناهای فرومغناطیس گروه iii–v ، نیمرسانای مغناطیسی گالیوم نیتراید رقیق شده با عناصر واسطه (ga,tm)n به خاطر دمای کوری بالای دمای اتاق، بیشترین کاربرد را در صنعت اسپین ترونیک دارد. در این پژ...

حضور میدانهای الکتریکی داخلی قوی در نیمرساناهای نیتروژندار سبب کاهش بازدهی قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مبتنی بر این نیمرساناهای می شود. هدف ما در این رساله بررسی دقیقی از منشاء و آثار این میدانهاست که در دو بخش تجربی و نظری انجام گرفته است.

مطالعه ترابرد الکترونی در اتصال های نقطه ای کوانتومی خواص مهم و جالبی دارد که توجه زیادی را به صورت نظری و تجربی به خود جلب کرده است. نظریه ترابرد الکترونی در اتصال های نقطه ای کوانتومی غیر مغناطیسی قبلا مورد بررسی قرار گرفته بود. در این پایان نامه ما با وارد کردن درجه آزادی اسپین از طریق در نظر گرفتن برهمکنش تبادلی در هامیلتونین اتصال های نقطه ای کوانتومی gamnas و eus نظریه فوق را برای این اتص...

محاسبات ابتدا به ساکن خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی ترکیب ابررسانای فرومغناطیسی rusr2gdcu2o8 با استفاده از روش fp-lapw در چارچوب نظریه تابعی چگالی محاسبه شد. فشار هیدرواستاتیکی تا 6 گیگا پاسکال با تغییر حجم سلول واحد با ثابت نگه داشتن نسبت a:b:c اعمال شد. نتایج بهینه سازی پارامترهای درونی نشان داد که یک تنش صفحه ای در صفحات ru-o وجود دارد که منجر به چرخش های غیر همفاز هشت وجهی های ruo6 در س...

دراین پژوهش نانو ذرات نیم­رسانای اکسید روی رقیق شده با یون منگنز­ ­­به ­روش سل- ژل خود احتراقی با فرمول کلی zn1-x mnxo (x = 0,0, 0.03, 0.05, 0.07, 0.1) تهیه شد. تک فاز بودن همه­ی نمونه­ها ­و ­اندازه­ی بلورک­ها به کمک پراش پرتو ایکس و رابطه­ی شرر و بیناب فروسرخ فوریه مورد تایید قرار گرفت. اندازه­ی ذرات­­ با میکرسکوپ الکترونی عبوری در حد چندنانومتر براورد شد. بیناب­های فروسرخ نمونه­ها ( ftir) نشا...

ذرات جاذب نانومغناطیس در ابعاد nm100-1 برای فرایند جداسازی مغناطیسی به‌کار می‌روند که آنها را بنابر خواص مغناطیسی‌شان، به گروه‌های: فرومغناطیسی، فری مغناطیسی، پاد فرومغناطیسی، دیامغناطیسی و پارامغناطیسی تقسیم‌بندی می‌کنند؛ که به علت برخورداری از نسبت سطح به حجم زیاد دارای انرژی فراوانی‌اند و به کاهش سطح انرژی خود گرایش دارند. در نتیجه، دارای ظرفیت زیاد بارالکتریکی و محدودیت پراکندگی‌اند. نانوذر...

تقریب پتانسیل همدوس برای مطالعه اثر حاملهای بار روی دمای کوری، tc، نیمه رساناهایی مانند euo و eus استفاده شده است . ما از تئوری میدان میانگین تعمیم یافته برای افت و خیز -fاسپینها. از مدل ونسووسکی برای بررسی کنش الکترونهای رسانش با اسپینهای جایگزیده استفاده می کنیم. تغییر در tc در نتیجه جفت شدگی غیر مستقیم اسپینهای جایگزیده از طریق الکترونهای رسانش ، بصورت یک تابع از چگالی حاملها تعیین می شود. ن...

ابتدا لایه های نازک اکسید کادمیوم روی cdzno به ضخامت متوسط 155 نانومتر بر روی زیر لایه های شیشه ای با روش سل-ژل چرخشی رشد داده شدند. سپس لایه های آماده شده در دماهای 500 و 450 درجه سانتیگراد بازپخت شدند. خواص اپتیکی و ساختاری این نمونه ها با استفاده از نتایج حاصل از اندازه گیری های طیف عبور و بازتاب و پراش پرتوایکس و همچنین تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بررسی شدند. نتایج این مطالعه نشان داد ک...

اسپینترونیک فصل مشترک مغناطیس و الکترونیک است. پایه اصلی اسپینترونیک ها استفاده صحیح از جریان های اسپینی در حضور جریان های الکتریکی اصلی، است. امروزه استفاده ازاسپین الکترون باعث ایجاد توانایی ها و ظرفیت های جدیدی در وسایل الکتریکی و الکترواپتیکی می شود. تولید نیم رساناهای مغناطیسی رقیق یک روش مهم برای بکارگیری هم زمان اسپین و بار الکترون، و ایجاد خاصیت فرومغناطیسی در مواد اکسیدی است. اخیراً، چن...