�لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه...

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...

ساختار های چند لایه ای بسیار نازک پوشش مناسبی برای نیمه هادیها بوده و در عین حال نقش بسیار مهمی در صنایع نیم رسانا ها و تجهیزات میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک دارد. اطلاع از خواص تشعشعی ساختار های چند لایه ای شامل سیلیکون و مواد مرتبط مانند دی اکسید سیلیکون، نیترید سیلیکون با پارامترهای متفاوت، جهت کاربردهای سیستمهای کوچک ضروری است. لایه های نیترید سیلیکون، از جهات متفاوتی در علم مواد حا...

در این الکترود کربن شیشه ای با نانوذرات سیلیکون نیترید جهت بررسی فرایند انتقال الکترون مستقیم گلوکزاکسیداز و هموگلوبین بکار رفته است. ابتدا الکترود کربن شیشه ای با قرار دادن محلول حاوی نانوذرات پخش شده si3n4 بر روی آن و تبخیر حلال با این نانوذرات اصلاح می شود، با قرار دادن الکترود اصلاح شده با نانوذرات si3n4در محلول حاوی گلوکزاکسید و هموگلوبین ملکول های زیستی فوق روی سطح الکترود تثبیت می شوند. ...

بررسی روش ساخت و کیفیت لایه‏های نازک نیترید سیلیکون آمورف رسوب داده شده به روش لایه‏نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین1 از مخلوط رادیکالهای آزاد تشکیل شده از سیستم گازی نیتروژن، آمونیاک و تری کلرو سیلان هدف این مقاله است. تبدیل گازهای اولیه به رادیکالهای آزاد گازی با عبور دادن آنها از روی کاتالیزور سرامیکی پلاتین ایریدیوم آلومینا در دمای 600 درجه سانتیگراد انجام شد. تغییرات سینتیک رشد لایه...

ذرات کاربید سیلیکون (SiC) با نانو ذرات نیترید بور (BN) پوشش دهی و سپس سنتز شده اند. سرامیک های نانو کامپوزیتی و میکروکامپوزیتی SiC/BN باروش زینترینگ پلاسمای فعال (PAS)، زینتر شده اند. در نانو کامپوزیت ها به واسطة توزیع همگن نانو کریستال های BN اطراف دانه های زمینه SiC٬ اندازة دانة نانو کامپوزیت ها کوچک تر از دانه های منو لیتیک و میکرو کامپوزیت های SiC است. به دلیل اینکه استحکام خمشی نانو کامپوز...

پوشش با لایه های نازک نقش بسیار مهمی در صنایع نیم رسانا ها و تجهیزات میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک دارد. اطلاع از خواص تشعشعی ساختارهای چند لایه ای بسیار نازک، کاربردهای زیادی در صنایع میکروالکترونیک، تبدیل انرژی و نانو فناوری دارند. در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته و حجم وسیعی از تحقیقات را به خود اختصاص داده است. بی شک رشد چشمگیر ارتباطات، پ...

مغناطش مرسوم ناشی از اوربیتال نیمه پر d یا f عناصر واسطه و قلیایی خاکی شناخته شده است. بعد ازمشاهده ی مغناطش ناشی از اوربیتال p حوزه ی جدیدی در علوم مغناطیس گشوده شده است. مغناطش اوربیتال p به دو صورت است : 1- ناشی از نقایص شبکه، تهی جاها یا اتم های خارجی 2- ناشی از خود اتم های سیستم . ما در اینجا بلور can را که از نوع دوم است، مورد بررسی قرار می دهیم. رفتار فرومغناطیسی این سیستم، غالبا همراه ب...

چکیده در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته و حجم وسیعی از تحقیقات را به خود اختصاص داده است. بی شک رشد چشمگیر ارتباطات، پردازش اطلاعات، ذخیره سازی، صفحه های نمایش، صنایع تزئینی، ابزارآلات نوری، مواد سخت و عایق ها نتیجه تولید لایه های نازک براساس فناوری های نوین می باشد. در ساخت لایه های نازک نیز در سال های اخیر تحولات وسیعی صورت گرفته است که خود ناشی ا...

از زمانی که مطابق قانون مور, بکارگیری اکسیدسیلیکون حدود یک نانومتر برای نانوترانزیستورهای اثرمیدان ناممکن شده است.دی الکتریک های بسیاری نظیر اکسید و نیترید آلومینیوم اکسید زیرکونیوم,اکسید هافنیوم, اکسید تیتانیوم و مواد پلیمری مطرح شده اند. مطالعات بسیاری در دهه اخیر صورت گرفته است تا قابلیت اینگونه فیلم ها را به عنوان یک کاندیدای مناسب در تولیدات آتی قطعات الکترونیکی را بررسی کند. تقریبا تمام ا...