در این پژوهش ویسکرهای نیترید آلومینیوم (aln) در کوره لوله ای تحت جریان 500 گاز نیتروژن در دمای c˚1000 با یک ساعت ماندگاری در این دما تهیه شدند. مواد اولیه شامل آلومینیوم (al) با اندازه ذرات 3 میکرومتر و 45 میکرومتر و کلرید آمونیوم (nh4cl) بود. برای بررسی ویسکرهای نیترید آلومینیوم، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) و پراش اشعه x (xrd) به کار گرفته شدند. بررسی یافته ه...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب‌های نیمه‌هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش‌پذیری خودبه‌خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش‌پذیری و شدت آن برای نیمه‌هادی‌های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

برای یافتن حسگرهای حساس مناسب برای مولکول خردل (mu) که یکی از عوامل تاول­زا می ­باشد، در این پژوهش رفتار جذب مولکول خردل بر روی سطح خارجی نانولوله­ های آلومینیوم ـ نیترید زیگزاگ (4،0)، (5،0) و (6،0) با استفاده از روش نظریه­ ی تابعی دانسیته(dft) مورد مطالعه قرار گرفت. بهینه­ سازی ساختاری در سطح نظری**311-6/lyp3b اجرا شد. فاصله ­های تعادلی، انرژی جذب، گشتاور دوقطبی، انرژی بالاترین اوربیتال مولکول...

چکیده نیترید آلومینیوم ضمن اینکه ازمقاومت به شوک حرارتی عالی برخوردار است، از نظر خواصی چون ثابت دی الکتریک (6/8) و استحکام دی الکتریک (kV/mm25-20) مشابه دیگر مواد سرامیکی است که در صنعت الکترونیک مورد استفاده قرار گرفته اند. نیترید آلومینیوم نانوساختار  در بین نیمه هادی های سرامیکی بالاترین گاف انرژی(eV 2/6) را دارد. نیترید آلومینیم به دلیل برخورداری از ویژگی های ذکر شده ، قابلیت فراوانی برای ...

رشد فزاینده ی تعداد قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهای اثر میدانی که به ماسفت معروف هستند در هر تراشه که به ازای هر 18 ماه مطابق قانون مور[1] به دو برابر می رسد و نیز کاهش تابع نمایی اندازه ی این قطعات باعث شده است تا اکسیدهای فرانازک سیلیکونی که به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی هستند کارآیی قابل قبولی را در قطعات نداشته باشد و باعث از دست رفتن کنترل جریان در چاه نانو تر...

برای یافتن حسگرهای حساس مناسب برای مولکول خردل (MU) که یکی از عوامل تاول‌زا می ‌باشد، در این پژوهش رفتار جذب مولکول خردل بر روی سطح خارجی نانولوله‌ های آلومینیوم ـ نیترید زیگزاگ (4،0)، (5،0) و (6،0) با استفاده از روش نظریه‌ ی تابعی دانسیته(DFT) مورد مطالعه قرار گرفت. بهینه‌ سازی ساختاری در سطح نظری**311-6/...

در این پژوهش، با استفاده از آسیاب سیاره‌ای، کامپوزیت‌های زمینه آلومینیومی با فاز تقویت‌کننده نیترید آلومینیوم بوسیله روش فعال‌سازی مکانیکی تولید شدند. بررسی تغییرات ساختاری سیستم آلومینیوم- 5/2 درصد وزنی نیترید آلومینیوم در حین فعال‌سازی مکانیکی مورد بررسی قرار گرفت. پودر آلومینیوم یک بار با 1 میکرومتر AlN و بار دیگر با نیترید آلومینیوم µm 50 به همراه اسید استئاریک مخلوط شد. نمونه‌ها در مدت زما...

بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

با توجه به ویژگی ها عالی و کاربرد های وسیع نیترید آلومینیوم این پروژه به منظور رسیدن به یکی از نانوساختارهای نیترید آلومینیوم به روشی ساده تر ، کم هزینه تر و در دمای پایین تر از دمای روش های قبلی طراحی گردید. در ابتدا ذرات نیترید آلومینیوم به روش نیتروژن دهی مستقیم پودر های آلومینیوم با اندازه ذرات 160-50 میکرومتر در دمای 700 درجه سانتیگراد بدست آمد و هم چنین میکروذرات نیترید آلومینیوم با انداز...