بلورهای فوتونی، آرایه های متناوبی از مواد دی الکتریک با ضرایب شکست متفاوت هستند. یکی از مهم ترین ویژگی های بلور فوتونی، وجود نواحی فرکانسی است که هیچ مد نوری اجازه عبور و انتشار در آن ناحیه را ندارد. این خاصیت بلورهای فوتونی موجب می شود که از آن ها برای کنترل و هدایت نور در مدارهای مجتمع نوری استفاده گردد. در این پایان نامه، بلورهای فوتونی دوبعدی که دارای شبکه مربعی و مثلثی متشکل از میله های د...

بلورهای فوتونی که به دلیل ویژگی¬های جالب توجهشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی، در سالهای اخیر مورد توجه زیادی قرار گرفته اند، ساختارهای متناوبی از دی¬الکتریک¬ها هستند که به صورت مصنوعی ساخته می¬شوند و در تشابه با نیم¬رساناها یک ناحیه ممنوعه فرکانسی دارند که نوار گاف فوتونی نامیده می شود. تمامی خواص جالب بلورهای فوتونی، ناشی از وجود این گاف ممنوعه فرکانسی است. بلورهای فوتونی حلقوی آثار چ...

در سال های اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی مورد توجه زیادی قرارگرفته اند. بلورهای فوتونی از لایه های متناوب از مواد که ثابت دی الکتریک آنها باهم متفاوت هستند، تشکیل شده است. مشخصه ی اصلی بلورهای فوتونی، دوره ای بودن ثابت دی الکتریک در آنهاست. این ویژگی منجر به ایجاد نوار ممنوعه ی فرکانسی در بلور می شود، بطوریکه امواج الکترومغناطیسی ای که با فرکانس م...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. در واقع هدف اصلی در مطالعه بلورهای فوتونی بررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی در این بلورها می باشد. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی اس...

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

بلورهای فوتونی ساختارهای طبیعی یا مصنوعی هستند که در آن ها ضریب شکست به طور تناوبی تغییر می کند. این ساختارها اجازه انتشار امواج الکترومغناطیسی را درون ناحیه فرکانسی معینی نمی دهند بنابراین نور در این ناحیه کاملاً منعکس می شود. این نواحی ممنوعه، نوار گاف فوتونی نامیده می شود. با وارد کردن لایه ای با ضریب شکست یا ضخامت متفاوت در یک بلور فوتونی می توان مدهای عبوری در نوار گاف مشاهده کرد. هدف اصلی ...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. در واقع هدف اصلی در مطالعه بلورهای فوتونی بررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی در این بلورها می باشد. بلورهای فوتونی دارای ساختار نواری می-باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی است، ...

بره ها، بلورهای فوتونی دو بعدی هستند که ضخامت آن ها در جهت عمود بر صفحه تناوب محدود شده است و به دلیل مشاهده گاف فوتونی در این دسته از بلورها و امکان ساخت آن ها با فن-آوری های موجود، مورد توجه قرار گرفته اند. با ایجاد تغییر در ویژگی های ساختاری میله های دی الکتریک موجود در یک بره بلور فوتونی نقص های مختلفی حاصل می شوند. یک گونه از این نقص ها نقص خطی است که از جابجایی و تغییردر ویژگی های ساختا...

در سال های اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی مورد توجه زیادی قرارگرفته اند. به طوری که از آنها در ساخت قطعات فوتونی خصوصا در مدارهای مجتمع فوتونی استفاده های زیادی شده است. بلورهای فوتونی، ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ممنوعه فرکانسی می باشند که نوار گاف فوتونی نامیده می شوند. ...

در این مقاله اثر کانونی شدن امواج الکترومغناطیسی در یک بلور فوتونی دو بعدی با ثابت شبکه متغیر تدریجی متشکل از میله های سیلیکون در زمینه هوا بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که بلور فوتونی مدرج توانایی کانونی کردن امواجی با پهنای عرضی بزرگ را در بسامد های نزدیک به لبه پایین نوار گاف دارد، که در این بسامد ها شکل منحنی هم بسامد مقعر نمی باشد. ساختار نوار فوتونی و منحنی های هم بسامد مربوط به این بل...