نتایج جستجو برای: نوار مغناطیسی

تعداد نتایج: 9845  

جعفر محمودی مهناز عبدالهی درگاه ناصر علی نژاد, نیره عبداللهی قهی,

امروزه استفاده از ابررساناهای دمای بالا به­دلیل دارا بودن چگالی جریان بحرانی بالا در حضور میدان­های مغناطیسی قوی، در دستگاه­های توکامک و تصویرگیری تشدید مغناطیسی پیشنهاد می­شود. در این مطالعه، برای نمونه­ی خاصی از نوار چندسازه­ی /AgMg2223Bi-، وابستگی به جریان بحرانی در دما و شعاع­های انحنای مختلف به­دست آمد. هم‌چنین، با استفاده از این نوار ابررسانا، یک پیچه­ی صفحه­ای D شکل طراحی، ساخته و مشخصه­...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - پژوهشکده علوم نانو 1393

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi امروزه قابلیت خود را در عرصه های گوناگون فناوری نشان داده است. مناسب ترین مواد برای کار در اثر امپدانس مغناطیسی و حسگرهای امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانوبلورین هستند. بهینه سازی ویژگی های مغناطیسی آلیاژهای آمورف جهت دستیابی به پاسخ امپدانسی و حساسیت میدان مناسب به روش های گوناگونی امکان پذیر است؛ در...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان 1388

بیشینه ی تغییر امپدانس الکتریکی یک ماده ی فرومغناطیسی نرم با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی بر آن را امپدانس مغناطیسی بزرگ 1 gmiمی گویند . روی این اثر به لحاظ تئوری و تجربی کارهای زیادی انجام شده است . از جمله موادی که روی آنها اثر gmi انجام شده است ، نوارها و سیم های آلیاژی ، چند لایه ای ها ، فیلم ها ، میکرو سیم ها ، میکرو تیوب ها ، ترکیب هایی به صورت آمورف و نانوبلوری انجام شد که هر کدام از آن...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فریال بخشی گرمی f bakhshi garmi department of physics, university of tabriz, tabriz, iranگروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز جمال بروستانی j barvestani department of physics, university of tabriz, tabriz, iranگروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز

در این مقاله اثر کانونی شدن امواج الکترومغناطیسی در یک بلور فوتونی دو بعدی با ثابت شبکه متغیر تدریجی متشکل از میله های سیلیکون در زمینه هوا بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که بلور فوتونی مدرج توانایی کانونی کردن امواجی با پهنای عرضی بزرگ را در بسامد های نزدیک به لبه پایین نوار گاف دارد، که در این بسامد ها شکل منحنی هم بسامد مقعر نمی باشد. ساختار نوار فوتونی و منحنی های هم بسامد مربوط به این بل...

ویژگی های الکترونی ، انحراف نواری و مغناطیسی مرز‌مشترک GaAs/Mn2FeAl توسط محاسبات اصول اولیه با استفاده از نظریه تابعی چگالی و تقریب گرادیان تعمیم‌یافته (GGA) مورد بررسی قرار‌گرفت.محاسبات نشان دادند که مرز‌مشترکMn - Mn/Ga از نظر انرژی پایدارتر از دیگر مرزمشترک های قابل بررسی بود.مطالعه همزمان سد‌شاتکی و پتانسیل الکتروستاتیکی برای این ساختار نشان‌دهنده هم‌ترازی نواری نوعIII (شکسته)می‌باشد، جاییکه...

ژورنال: علوم زمین 2008
محمدولی ولی زاده محمود صادقیان,

توده گرانیتوییدی زاهدان(با وسعت 750) با روند کلی NW-SE  در بخش میانی نوار گرانیتوییدی زاهدان ـ سراوان واقع است. این توده، سنگهایی با ترکیب گرانیت، گرانودیوریت و دیوریت را در بر ‌دارد و همچنین توسط تعداد زیادی دایک با ترکیب آندزیتی ­-  داسیتی قطع شده‌است. سنگهای دگرگونی ناحیه‌ای با سن ائوسن میانی، توسط این توده قطع شده‌اند. در این تحقیق، ساز وکار جایگزینی بخش شمالی توده زاهدان در پرتو روش ناهمسا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم 1389

در این پایان نامه به بررسی خواص الکترونیکی نانو نوارهای گرافینی با استفاده از تقریب تنگ بست و روش تابع گرین می پردازیم. برای این کار ابتدا نانو نوارهای گرافینی را بدون هیچ گونه ناخالصی و میدان خارجی در نظر گرفته، و برای عرضهای مختلف خواص الکترونیکی و وابستگی آنرا به اندازه ی عرض نوار و شکل لبه ها تعیین می کنیم. در مرحله ی بعد خواص الکترونیکی دستگاه را با در نظر گرفتن میدان مغناطیسی یکنواخت خارج...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده فیزیک 1390

در این پایان نامه ترابرد همدوس وابسته به اسپین در نوار گرافینی دو لایه با لبه زیگزاگ به صورت عددی بررسی شده است. برای یافتن احتمال عبور وابسته به اسپین الکترون از روش تابع گرین استفاده کرده ایم. و علاوه براین برای محاسبه طیف انرزی نانو ریبون گرافین دو لایه با لبه زیگزاگ از روش بستگی قوی و در چارچوب تقریب همسایه اول انجام یافته است. ‎‎‎ ‎ ‎‎‎ ‎در بخش اول ترابرد همدوس وابسته به اسپین از نوا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران - دانشکده فیزیک 1388

پیشرفت های اخیر در زمینه تولید پالس های لیزری کوتاه و با شدت بالا باعث جلب توجه و علاقه ی بسیاری در زمینه برهم کنش آنها با مواد شده است. یکی از این زمینه ها میدان های مغناطیسی تولید شده در اثر برهم کنش این لیزرها با پلاسما می باشد. این میدان های مغناطیسی یک نقش متمرکز کننده بر روی باریکه الکترونی دارد که برای شتاب دهی به داخل پلاسما تزریق می شود. در این پایان نامه میدان مغناطیسی تولید شده در اث...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک 1389

در حال حاضر در مبحث ابررسانائی مطالعات متعددی روی تک بلورهائی از ابررساناهای دمای بالا (htsc ) به فرم لایه نازک صورت گرفته است. نوارهای ابررسانای htsc در حال پیشرفت برای استفاده در کابل های انتقال توان ac ، نوارهای لایه نازک همبافته برای بررسی کاربردهای منفعل میکروویو، مانند فیلترهای ارتباط بی سیم، قراردارند. در کاربردهای عملی کاهش اتلاف انرژی از اهمیت زیادی برخوردار است. در این پایان نامه قصد ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید