با استفاده از نظریة تابعی چگالی خواص الکتریکی و اپتیکی هگزاگونال بورون نیترید (h-BN) دو لایه تحت کرنش صفحه ای دو محوری بررسی می شوند. محاسبة انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. h-BN دو لایه دارای گاف نواری غیر مستقیم به اندازة 4.33 eV در راستایK-M است. با اعمال کرنش تراکمی، کمینة نوار رسانش در نقطة M نسبت به تراز فرمی به سمت بالا و لبة نوار رسانش د...

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

ترابرد الکترونی در ساختار nsn گرافینی, که در آن دو ناحیه نرمال با یک نوار ابررسانا به ضخامت d به هم متصل شده اند, را بررسی می کنیم. ترابرد از اتصال را در چارچوب معادله dbdg بر حسب فرایندهای مختلف پراکندگی شامل تونل زنی کوانتومی و بازتاب محلی و ضربی اندریو توصیف می کنیم. مقایسه با ساختار تمام نرمال نشان می دهد که وابستگی زاویه ای احتمال عبور در حضور همبستگیهای ابررسانایی به شدت مختل می شود. این ...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

ما برای یا نانو نوار گرافین به ابعاد 20*5 نانومتر مقدار ضریب رسانش را برابر w/mk 261/1بدست آوردیم. مشاهده کردیم با افزایش دما ضریب رسانش گرمایی نخست افزایش می یابد و سپس شروع به کاهش می کند.با افزایش درازا نیز ضریب رسانش به شکل توانی افزایش مییابد. در بخش مکانیکی مدول یانگ را برای یک نانو نوار گرافین به همین ابعاد 1.09tpa بدست آوردیم. دیدیم با افزایش دما مدول یانگ زیاد شده ولی در دماهای بیشتر ا...

در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و چگالی حالت ها در بلور ?-Al2O3 با استفاده از روش امـواج تخت تقویت شده خطـی بـا پتانسیل کامــل (FP-LAPW) درچارچوب نظریة تابعی چگالی (DFT) هوهنبرگ، کوهن و شم با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) محاسبه شده است. نتایج نشان می?دهد ?-Al2O3 یک گاف نواری مستقیم درنقطه به اندازه eV3/6 دارد که بیشترین سهم در نوار ظرفیت مربوط به اربیتال های S2 و P2 اکسیژن و در نوار رسانش مربو...

در این پایان نامه با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالت های جایگزیده موجود در گاف انرژی و حالت های گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. حالت های جایگزیده به صورت توزیع نمایی مربوط به کشیدگی نوار رسانش و ظرفیت و نیز حالت های پیوندی معلق در نظر گرفته شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد ...

در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانو نوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانو سیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان می دهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

در این پایان نامه ترابرد همدوس وابسته به اسپین در نوار گرافینی دو لایه با لبه زیگزاگ به صورت عددی بررسی شده است. برای یافتن احتمال عبور وابسته به اسپین الکترون از روش تابع گرین استفاده کرده ایم. و علاوه براین برای محاسبه طیف انرزی نانو ریبون گرافین دو لایه با لبه زیگزاگ از روش بستگی قوی و در چارچوب تقریب همسایه اول انجام یافته است. ‎‎‎ ‎ ‎‎‎ ‎در بخش اول ترابرد همدوس وابسته به اسپین از نوا...