بیشینه ی تغییر امپدانس الکتریکی یک ماده ی فرومغناطیسی نرم با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی بر آن را امپدانس مغناطیسی بزرگ 1 gmiمی گویند . روی این اثر به لحاظ تئوری و تجربی کارهای زیادی انجام شده است . از جمله موادی که روی آنها اثر gmi انجام شده است ، نوارها و سیم های آلیاژی ، چند لایه ای ها ، فیلم ها ، میکرو سیم ها ، میکرو تیوب ها ، ترکیب هایی به صورت آمورف و نانوبلوری انجام شد که هر کدام از آن...

در این پروژه، آلیاژ fe78si13b9 (درصد اتمی) توسط روش ذوب القایی در خلاء تولید شده و سپس توسط روش مذاب ریسی، آلیاژ تبدیل به نوارهایی به ضخامت 30 میکرون و پهنای 780 میکرون شد. آزمون با پراش اشعه ایکس بر روی نوارهای حاصله مبین آمورف بودن نوارها بود. در چنین شرایطی خواص مغناطیسی نوارها توسط روش vsm و خواص الکتریکی آنها توسط آزمون چهار نقطه مورد بررسی قرار گرفت و برای مشخص نمودن اثر حضور نانو مواد در...

در تحقیق حاضر اثر دمای زیرلایه در محدوده ºC 400-36 بر خواص ساختاری و فیزیکی لایه نازک کربن ایجاد شده بر سطح شیشه به روش کندوپاش پرتو یونی بررسی شده است. خواص نوری و ساختاری لایه به ترتیب به وسیله طیف سنجی UV-visible، طیف سنجی رامان و میکروسکوپ نیروی اتمی مورد مطالعه قرار گرفته است. اندازه‏گیری طیف عبور نمونه ها کاهش میزان عبور نور در محدوده مرئی با افزایش دمای انباشت را نشان می دهد. طیف رامان ل...

اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی‏ آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جمله‎های خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در ...

در این پایان نامه با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالت های جایگزیده موجود در گاف انرژی و حالت های گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. حالت های جایگزیده به صورت توزیع نمایی مربوط به کشیدگی نوار رسانش و ظرفیت و نیز حالت های پیوندی معلق در نظر گرفته شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد ...

در این تحقیق بررسی فرآیند اتصال TLP برای سوپر آلیاژ FSX-414 با استفاده از لایه واسط MBF-100 بصورت نوار و پودر انجام گردید. بدین منظور از دو نمونه سوپر آلیاژ ریختگی پایه کبالت FSX-414 یکی با ابعاد 5 ×10 × 10میلی متر برای نمونه اتصالی با نوار MBF-100 و دیگری با همین ابعاد به همراه شیار UوV شکل برای اتصال با پودر ایجاد گردید. در ادامه هر دو نمونه تحت یک سیکل عملیات حرارتی در دمای 1175 درجه سانتی گ...

در این مقاله عملکرد سلول‌های خورشیدی سیلیکونی ناهمگون به صورت نظری بررسی شده است. ساختار مورد بررسی به صورت TCO/ a-SiC (P)/ GaP (i)/ a-Si (n)/a-Si (n+)/metal می‌باشد. در این کار به جای ساختار مرسوم که از یک لایه سیلیکون آمورف ذاتی برای افزایش بازده استفاده می شود، از یک لایه GaP (گالیوم فسفات) به عنوان لایه ذاتی استفاده شده است. مدل‌های مختلفی از این ساختار سلول خورشیدی شبیه‌سازی شد. تاثیر پارا...

فیلم­های نازک نانو ساختاری اکسید نیکل با روش غوطه وری سل- ژل تهیه شدند. از سه روش (تابش فروسرخ، آون و مایکروفِر) برای خشک کردن فیلم­ها استفاده شد. اثر روش خشک­سازی روی خواص اپتیکی، مولکولی، الکتریکی، ساختاری و مورفولوژی فیلم­ها به ترتیب به­وسیله طیف سنج نوری مریی- فرابنفش، طیف­سنج تبدیل فوریه فروسرخ، اثر هال، پراش پرتو x، میکروسکوپ نیروی اتمی، و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد بررسی قرار گرفت. ثاب...

مواد آمورف دسته ای از مواد جامد با آرایش اتمی مشابه مذاب و دارای نظم اتمی دامنه کوتاه هستند. ویژگیهایی از جمله استحکام و سختی بالا، مقاومت به خوردگی عالی، تلفات انرژی مغناطیسی ناچیز، هدایت الکتریکی و قابلیت شکل پذیری خوب منجر به توسعه و کاربرد آنها در صنایع مختلف از جمله هوافضا، خودروسازی، صنایع مغناطیسی و وسایل ورزشی شده است. در این بین سیستم های آلیاژی آمورف پایه مس بدلیل کاربردهای صنعتی مختل...

مناسب ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست یابی به پاسخ امپدانسی مناسب تر به وسیله آلیاژهای آمورف، روش های گوناگونی وجود دارد که در اینجا روش بازپخت مواد مورد نظر ماست. در این پایان نامه بازپخت میدانی-جریانی روی نمونه انجام گرفته است و اثر آن بر روی امپدانس مغناطیسی و نامتقارنی امپدانس(ami) بررسی شده است....