بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...

بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...

بلورهای فوتونیکی ساختارهایی از مواد دی الکتریک هستند، که ضریب شکست در آن ها به صورت تناوبی تغییر می کند. از این ساختارها می توان در قسمت های اصلی وسیله های کنترل نور استفاده نمود، برای این منظور به بلور فوتونیکی دو بعدی از ستون های دی الکتریک مثلاً gaas نیازمندیم، با ایجاد نقصی در این بلور به عنوان مثال با حذف سه ستون در یک امتداد می توان یک کاواک l3 ایجاد نمود. نقص l3 اولین نوع از کاواک های بلو...

در این پایان نامه، مدهای الکترومغناطیسی جایگزیده در بلورهای فوتونیکی یک بعدی با یک لایه نقص ساختاری مورد بررسی قرار گرفته است. نقش لایه نقص را بلور مایع نماتیک بازی می کند. نشان داده شده است که طیف تراگسیلی و ضریب میرایی مدهای نقص به ضخامت و جهت گیری محور اپتیکی بلور مایع نماتیک وابسته است. در ادامه طیف تراگسیلی با دو نقص شبکه ای را مورد مطالعه قرار می دهیم. در این تحقیق نشان داده شده است که می...

متامواد چپگرد مواد مصنوعی هستند که ضرایب گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی آنها به طور همزمان منفی بوده و دارای ضریب شکست منفی هستند. حضور این مواد در ساختارهای بلورهای فوتونیکی سبب پدیده های اپتیکی جالبی شده است. به همین خاطر در این پایان نامه اثر لایه نقص در ساختار شامل متاماده را بر جابجایی گوس هانچن مطالعه نمودیم. بلور فوتونیکی مورد مطالعه به شکل یک بعدی نیمه بینهایت، و تمامی لایه‎ها بصورت...

در این پایان‎نامه انتشار پالس نوری در بلورهای فوتونیکی حاوی لایه نقص پاشنده مورد بررسی قرار گرفته است. بسته به خواص نوری محیطها سرعت گروه پالس‎های نوری می‎تواند فرانوری (بزرگتر از سرعت نور در خلا) یا فرونوری (کوچکتر از سرعت نور در خلا) باشد. از اینرو در این کار تاثیر لایه‎ی نقص پاشنده (لایه‎ای که با اتمهای دوترازی یا سه‎ترازی آلاییده شده است)، بر سرعت انتشار پالس مورد بررسی قرار گرفته است .

در این پایان نامه پس از نگاهی به تاریخچه بلورهای فوتونیکی، اثرات اپتیک غیرخطی را بررسی کردیم و سپس نگاهی عمیق به درون بلورهای فوتونیکی انداختیم و فهمیدیم شکافت نواری کامل فوتونیکی برای یک شبکه مربعی چه زمانی حاصل می شود بدلیل سادگی ساختار بلور های فوتونیکی دوبعدی نسبت به بلورهی فوتونیکی سه بعدی ما شبکه های دو بعدی را در نظر گرفتیم. با در نظر گرفتن یک بلور فوتونیکی، که آنچنان ساخته شده است که د...

در این پایان نامه جابجایی گوس- هانچن در بازتاب از بلورهای فوتونیکی حاوی متامواد و مواد تک محوری مطالعه شده است. بلورهای فوتونیکی به شکل بلورهای یک- بعدی، نیمه بینهایت، و تمامی لایه ها بصورت همسانگرد، همگن و بدون اتلاف در نظر گرفته شده است. در سطح مشترک بین محیط راستگرد و متامواد امواج سطحی تولید می شوند. این امواج انرژی پرتو را در راستای سطح مشترک دو محیط جابجا می کنند به همین دلیل مرکز پرتو تا...

در این پایان نامه، تونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی را با استفاده از روش های ماتریس انتقال بررسی می کنیم. و برای موجی که با فرکانس های متفاوت از یک ساختار با لایه های متناوب عبور می کند تراگسیل و زمان تاخیر گروه را محاسبه می کنیم جابجایی بعد از تونل زنی را در راستای عمود بر صفحات بلور فوتونیکی محاسبه می کنیم که به ضریب شکست موثر از لایه های متناوب بستگی دارد. سپس ما ساختار بلور ...

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارftirبررسی میکنیم ساختارftirشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو pimnim تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...