در این رساله یک نانوماسفت دو گیتی فوق العاده نازک با طول گیت کمتر از 9 nm و ضخامت کانال کمتر از 5 nm با استفاده از روشهای کاملا کوانتومی با الکتروستاتیک دو بعدی مورد بررسی قرار می دهیم. معادلات ترابرد بالستیکی دو بعدی با استفاده از رویکرد فضای مد به دو دسته معادلات یک بعدی تقسیم می شوند بطوریکه در راستای محبوس شدگی کوانتومی یعنی در راستای گیت معادله شرودینگر را برای بدست آوردن ویژه مقادیر زیرنو...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرا...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

در این رساله یک مدل دو بعدی تحلیلی برای تغییرات پتانسیل سطح در امتداد کانال در تخلیه کامل یک ماسفت دو گیتی سیلیکن روی عایق پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاه در آن مورد بررسی قرار گیرد. ترانزیستور ما شامل دو گیت و اختلاف ولتاژ بین آن دو می باشد. ما نشان می دهیم که پتانسیل سطح در کانال یک تابع پله ای را نمایش می دهد که به منزله عدم تاثیر گذاری بایاس درین بر روی پتانسیل سطح است. این اختلاف پتان...

در این تحقیق به بررسی ریسک و بازده ( سیستماتیک و فوق العاده) سهام بر مدت تصدی هیات مدیره شرکتها پرداخته می شود. یکی از عناصرساختار حاکمیت شرکتی ، هیأت مدیره است. سهامداران برای ارزیابی عملکرد مدیران از دو مولفه ریسک و بازده استفاده می کنند بنابراین عملکرد سازمان و ریسک متواتراز آن بر تصمیمات سهامدار در خصوص مدت تصدی هیات مدیره شرکت ها در جهت رسیدن به بیشترین بازده اهمیت دارد.نتایج حاکی از این ا...

پس از رویداد جنایات جنگی گسترده در یوگوسلاوی سابق و رواندا چندین محکمه کار رسیدگی به جنایت جانیان را آغاز نمودند، برای یوگوسلاوی سابق، دادگاه بین المللی کیفری این کشور و برای رواندا دادگاه های ملی و گاکاکا، دادگاه های ملی خارجی و دادگاه بین المللی کیفری به محاکمه مجرمان پرداختند. این شکل از رسیدگی به جنایات باعث گردید که حقوق بین الملل کیفری کاملا متمایز از حقوق داخلی در این کشورها نقش آفرینی ن...

گرافن به عنوان یک ماده ی دو بعدی با نانو ساختاری متشکل ازتک لایه های اتم کربن و خواص ذاتی چشم گیر و فوق العاده ی مکانیکی ، الکتریکی ، حرارتی و سدکنندگی ، از قابلیت های فراوانی برای کاربرد در زمینه های مختلف خصوصا نانوکامپوزیت های پلیمری برخوردار است . با وجود عمر بسیار کوتاه ، امروزه گرافن به عنوان پیشتاز عرصه ی نانو مطرح شده و با کشف خواص گوناگون آن تحول شگرفی در علم نانو در حال وقوع است . گرا...