نتایج جستجو برای: نانو ترانزیستورهای اثرمیدانی (ofet)
تعداد نتایج: 14512 فیلتر نتایج به سال:
در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...
اکثر موارد کاربردی که در الکترونیک ارگانیک با آن روبرو هستیم، به یک حافظه غیر فرار نیاز دارد که بتوان آن را به صورت الکتریکی برنامه ریزی نمود، پاک کرد و خواند. حافظه های پلیمری، به عنوان محدوه ای ضروری در الکترونیک ارگانیک، در سال های اخیر از موضوعات فعال تحقیقاتی شده است، چراکه این ساختار احتمالا تکنولوژی جایگزین و مکمل تکنولوژی حافظه های معمول می باشد که با مشکلات فراوانی در حوزه کوچک سازی از...
با استفاده از روش سل ژل و بررسی xrdنتایج زیر بدست آمد: ? از این مقایسه و مقایسه نمونه های سری ششم و هفتم و دهم، نتیجه می گیریم که اگرچه وجود اتانول در نمونه هنگام بازپخت شدت را افزایش داده که بیانگر بلوری شدن بیشتراست اما باعث افزایش اندازه ذره شده است که مطلوب ما نیست. درمورد استن و آب نظر قطعی نمی توان داد چون نمونه های دیگری از این دست نداریم. ? زمان خشک کردن نمونه سری اول بیشتر بقیه بود...
اثرات کانال کوتاه یکی از حساس ترین نکات در ساخت ترانزیستورها در ابعاد کمتر از میکرو ونانو است وبه مانع اصلی فن آوری ساخت ترانزیستور در مقیاس نانوتبدیل شده است و باعث تخریب عملکرد وتغیر ویژگیهای الکتریکی شده است. یک نمونه از اثرات کانال کوتاه اشباع سرعت است که در آن حامل در دستگاه به سرعت به اشباع رسیده با جود آن که حالت اشباع بوجود نیامده است. در سال های اخیر ترانزسیتورهای اثر میدانی مبتنی بر گ...
در این تحقیق، هدف، شبیه سازی ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی با گیت فراگیر و بررسی اثر کرنش روی پارامترهای این افزاره و مشخص? جریان- ولتاژ آن است. ابتدا به بررسی وابستگی ساختار نوار انرژی آن و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی به پارامترهای مختلف افزاره مانند انداز? نانوسیم (برای شعاع های سیم 1.5 تا 4 نانومتر) و جهت کریستالی ([100], [110], [111]) می پردازیم و سپس جرم موثر و شکاف ان...
Herein, we report on the fabrication of an extended-gated organic field-effect transistor (OFET)-based immunosensor and its application in the detection of human chromogranin A (hCgA). The fabricated OFET device possesses an extended-gate electrode immobilized with an anti-CgA antibody. The titration results of hCgA showed that the electrical changes in the OFET characteristics corresponded to ...
مدل سازی جریان تونل زنی گیت ماسفت توسط شبکه عصبی
High-response organic field-effect transistor (OFET)-based NO₂ sensors were fabricated using the synergistic effect the synergistic effect of zinc oxide/poly(methyl methacrylate) (ZnO/PMMA) hybrid dielectric and CuPc/Pentacene heterojunction. Compared with the OFET sensors without synergistic effect, the fabricated OFET sensors showed a remarkable shift of saturation current, field-effect mobil...
We demonstrate liquid crystal-on-organic field-effect transistor (LC-on-OFET) sensory devices that can perceptively sense ultralow level gas flows. The LC-on-OFET devices were fabricated by mounting LC molecules (4-cyano-4'-pentylbiphenyl - 5CB) on the polymer channel layer of OFET. Results showed that the presence of LC molecules on the channel layer resulted in enhanced drain currents due to ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید