هدف از این پژوهش مطالعه خواص مکانیکی و حرارتی پلاتین و پالادیوم خالص و همچنین نانوسیمpd-x%pt با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی است. شبیه سازی دینامیک مولکولی در هنگردnpt با استفاده از پتانسیل ساتن-چن کوانتومی انجام شده است. در این شبیه سازی اثر دما و درصد پلاتین بر ثابت های کشسانی، مدول حجمی، انرژی همبستگی، ضریب انبساط حرارتی و ظرفیت گرمایی در فشار ثابت مورد بررسی قرار گرفته است. علاو...

در این پایان نامه، با استفاده از تکنیک شبیه سازی دینامیک مولکولی (md) به مطالعه، استخراج و مقایسه خواص مکانیکی آلیاژهای pd-rh در دو حالت نانوسیم و بزرگ مقیاس، این فلزات پرداخته می شود. خواص مکانیکی این دو فلز، در حالتهای خالص و آلیاژی با درصدهای مختلف محاسبه شده است. پتانسیل مورد استفاده، پتانسیل ساتن چن می باشد. الگوریتم نوزه هوفر دما را ثابت نگه داشته و تعداد ذرات نیز با استفاده از شرایط مرزی...

دراین کار پژوهشی از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی استفاده کردیم. از تابع پتانسیل کوانتوم ساتن-چن استفاده کردیم.برای ثابت نگه داشتن تعداد ذرات ازشرایط مرزی دوره ای استفاده کردیم.نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که خواص مکانیکی نانوسیمpdcu با آلیاژpdcu متفاوت است و با تغییر ابعاد نمونه تغییر کرده و در نهایت به یک مقدار ثابت با توجه به ابعاد ماکروسکوپیک نمونه میل می کندکه این تغییرات خواص مکانی...

آرایه¬های نانوسیم¬های مغناطیسی الکتروانباشت شده در قالب¬های نانوحفره¬دار توجه و تلاش¬های تحقیقاتی بسیار زیادی را در دهه¬های اخیر به خود جلب کرده¬اند. نانوسیم¬های co کاربرد موثری در دستگاه¬های ثبت مغناطیسی عمودی دارند. هرچند، وادارندگی بسیار زیاد آن¬ها برای استفاده در این دستگاه¬ها نامطلوب می¬باشد. بنا براین، این مورد چالشی برای محققان است تا وادارندگی آرایه¬های co را کاهش دهند بطوریکه برای دستگ...

در این مقاله، نانوسیم های اکسید روی درون قالب نانوحفره ای آلومینای آندایز شده به روش آندایز دو مرحله ای سنتز شدند. ویژگی های فیزیکی نانوسیم های اکسید روی با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پراکندگی پرتو ایکس و طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و همچنین تغییرات مقاومت الکتریکی با دما توسط سامانه طراحی شده، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که نانوسیم های اکسید روی دارای قطر 66 ...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.

با رشد و توسعه فزاینده علم و فناور‌ی‌ نانو، کاربرد نانو سنسورها، سیستم‌های نانو الکترومکانیکی، سیستم‌های نانوالکترونیکی و وسایل نانو فتونیکی رو به افزایش است. نانوسیم‌ها به عنوان یکی از اجزاء کلیدی این سیستم‌ها نقش قابل توجهی در عملکرد درست آنها دارند. بنابراین شناخت رفتار مکانیکی- حرارتی نانوسیم‌ها از اهمیت ویژه‌ای برخوردار است. با توجه به مشکلات اجتناب‌ناپذیر در انجام آزمایش‌های تجربی بر روی ...