نتایج جستجو برای: نانوسیم های ژرمانیوم

تعداد نتایج: 478040  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان 1390

در این پایان نامه، ساخت سلول های خورشیدی با استفاده از نانوسیم های ژرمانیوم و سیلیکون مورد بررسی قرار گرفت و خواص فتوولتاییک سلول های ساخته شده با استفاده از دستگاه های solar simulator وiviumstat تحت شرایط استاندارد در am1.5 بررسی گردید. جهت بررسی دقیق تر رفتار سلول های خورشیدی ساخته شده و مطالعه ی فاکتورهای موثر بر خواص فتوولتاییک آن ها از شبیه سازی عددی سلول ها با برنامه ی afors-het استفاده ش...

ژورنال: :اپتوالکترونیک نظری و کاربردی 0
مهدی سودمند استادیار، فیزیک، دانشگاه پیام نور

در این مقاله، نانوسیم های اکسید روی درون قالب نانوحفره ای آلومینای آندایز شده به روش آندایز دو مرحله ای سنتز شدند. ویژگی های فیزیکی نانوسیم های اکسید روی با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پراکندگی پرتو ایکس و طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و همچنین تغییرات مقاومت الکتریکی با دما توسط سامانه طراحی شده، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که نانوسیم های اکسید روی دارای قطر 66 ...

ژورنال: :علوم و مهندسی سطح ایران 0
حسین جمالی دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی مالک اشتر رضا مظفری نیا دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی مالک اشتر

هدف از پژوهش حاضر، تولید پوشش محافظ ژرمانیوم-کربن به وسیله فرآیند رسوب دهی شیمیایی از بخار به کمک پلاسما (pecvd) با استفاده از پیش ماده های گازی ژرمان (geh4) و متان (ch4) و سپس مشخصه یابی آن است. برای این منظور، از میکروسکپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem) مجهز به طیف سنج تفکیک انرژی (eds)، پراش سنج پرتو ایکس (xrd)، طیف سنج مادون قرمز تبدیل فوریه (ftir)، طیف سنج فتوالکترون پرتو ایکس (xps)، طی...

ژرمانیوم یکی از مهم‌ترین عناصر در صنایع پیشرفته و صنایع الکترونیکی است که در سال‌های اخیر کاربردهای زیادی داشته است. در این مقاله مطالعات انجام شده با استفاده از تاثیر سینرژیسم دو حلال آلی لیکس 63 و D2EHPA برای جداسازی ژرمانیوم از محلول آبی ارایه می‌شود. با در نظر داشتن این نکته که روش هیدرومتالورژی از مهم‌ترین روش‌های استحصال این عنصر است، استخراج حلالی این عنصر بررسی شد و تاثیر نوع استخراج‌کن...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
مهدی اردیانیان m ardyanian damghan universityدانشگاه دامغان سیداحمد کتابی sa ketabi damghan universityدانشگاه دامغان

در لایه های نازک اکسید ژرمانیوم، پس از تهیه لایه نازک در اثر بازپخت، نانوساختارهای ژرمانیوم تولید شدند. نوارهای فوتولومینسانس در ناحیه های مرئی و فروسرخ به ترتیب در نمونه های بازپخت شده در 350 درجه سانتیگراد و 400 درجه سانتیگراد مشاهده شدند. این گستره های متفاوت فوتولومینسانس به ترتیب به وجود نقص های ساختاری در ماتریس اکسید و اثر حبس کوانتومی در نانوساختارهای ژرمانیوم نسبت داده می شوند. زمان وا...

در این مقاله با استفاده از روش مکانیک ساختاری و نرم افزار ABAQUS نانو سیم‌های سیلیسیم و مدل‌سازی و تحلیل شده است. میدان‌های نیروی بکار گرقته شده جهت مدل‌سازی در این مطالعه، میدان نیروی DREIDING است. در این تحلیل بار بحرانی کمانشی برای ضخامت-های 1 تا 4 نانومتر با طول‌های 5/0 تا 20 نانومتر محاسبه شده است. نتایج نشان می‌دهد بار بحرانی کمانشی در نسبت های طول به ضخامت نانوسیم، کمتر از 10 از رابطه او...

سمیه شایان فر غلامحسین نورمحمدی غلامرضا کریمی

  استخراج و تولید عناصر کمیاب امروزه در دنیا یکی از فناوری هایست که رد زمینه معدن و فراوری مواد معدنی حایز اهمیت است.ژرمانیوم جز عناصری است که به علت نادر بودن،استفاده فراوان آن به عنوان نیمه رسانا و کاربرد در صنایع الکترونیکی ،بیش از پیش مورد توجه و بهره برداری از منابع قابل برداشت،قرار گرفته است.در مقاله حاضر،به ارزیابی مقدار ژرمانیوم در یکی از منابع مهم آن ،یعنی زغال سنگ و خاکستر زغال سنگ ،...

هدف از پژوهش حاضر، تولید پوشش محافظ ژرمانیوم-کربن به وسیله فرآیند رسوب‌دهی شیمیایی از بخار به کمک پلاسما (PECVD) با استفاده از پیش‌ماده‌های گازی ژرمان (GeH4) و متان (CH4) و سپس مشخصه‌یابی آن است. برای این منظور، از میکروسکپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) مجهز به طیف‌سنج تفکیک انرژی (EDS)، پراش‌سنج پرتو ایکس (XRD)، طیف‌سنج مادون‌قرمز تبدیل فوریه (FTIR)، طیف‌سنج فتوالکت...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 0
قاسم انصاری پور گروه فیزیک -دانشگاه بوعلی سینا-همدان بهاره شایقی department of physics, yazd university

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید