نانوسیم های آلیاژی nicu به روش الکترونهشت پالسی نامتقارن بر روی زیرلایه ی zn در قالب آلومینای آندی تهیه شده به روش آندیزاسیون سخت ساخته شد. با استفاده از الکترولیت های با غلظت مختلف cu2+و همچنین تغییر ولتاژ کاهش الکتروشیمیایی نانوسیم های x-1 nixcu با 5/0 -25/0 x = و قطر حدود 50 نانومتر به دست آمد. نتایج اندازه گیری اشعه ی x نشان داد که در نمونه های مورد بررسی دو فاز بلوری مرکز وجهی نیکل و فاز ب...

نانوسیم های مغناطیسی در زمینه های مختلفی مانند حافظه های مغناطیسی عمودی، مقاومت مغناطیسی بزرگ (gmr)، حسگرهای مغناطیسی و بسیاری دیگر کاربرد دارند. تاکنون نانوسیم های مغناطیسی مختلفی شامل نانوسیم های تک عنصری و آلیاژی مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به اثرات مطلوب افزودن عناصر غیر مغناطیسی بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها، ساخت نانوسیم های آلیاژی و بررسی خواص مغناطیسی و ساختاری آن ها مورد توجه قرار...

کاربردهای فوق العاده ی نانوسیم های مغناطیسی و اهمیت و ارزش پدیده gmr در نانوسیم های متشکل از مواد مغناطیسی و غیرمغناطیسی ما را بر آن داشت تا برای تحقیق و پژوهش در این عرصه گام نهیم و سعی کنیم تا با بررسی اثر شرایط الکتروانباشت پالسی بر کاهش مقدار مغناطش در نانوسیم های آلیاژی cocu در غلظت های مختلف مس، به شرایط بهینه برای ساخت نانوسیم های چند لایه ای دست یابیم. در تحقیق و پژوهش حاضر علاوه بر تلا...

افزودن عناصر غیر مغناطیسی به نانوسیم ها ی مغناطیسی موجب بهبود خواص مغناطیسی آنها بر اساس مطالعات اخیر شده است که به نوبه خود امکان بهبود کاربرد نانوسیم ها در ضبط مغناطیسی با چگالی بالا و مغناطومقاومت بزرگ (gmr) را فراهم کرده است. به دلیل ثابت ناهمسانگردی مغناطو بلوری بالای کبالت در مقایسه با مواد مغناطیسی مانند آهن و نیکل، ما نیز در این پژوهش آرایه های نانوسیم های کبالت را انتخاب کرده ایم. همچن...

نانوسیم های کبالت به روش الکتروانباشت شیمیایی و با استفاده از قالب های آلومینای آندی ساخته شده است. اثر اعمال میدان مغناطیسی خارجی در حین فرآیند الکتروانباشت بر خواص مغناطیسی نانوسیم های ساخته شده مورد مطالعه قرار گرفته است. بررسی منحنی های مدت زمان پر شدن کامل حفره های آلومینا نشان می دهد که بااعمال میدان مغناطیسی، سرعت انباشت یونها تحت تأثیر قرار می گیرد.الگوهای پراش اشعه x نیز نشان می دهد که...

نانوسیم های مغناطیسی آلیاژی در سال های اخیر، بواسطه ی خواص gmr فوق العاده ای که در چند لایه های مغناطیسی / غیر مغناطیسی از خود نشان می دهند، به طور گسترده مورد تحقیق واقع شده اند. به-منظور بهینه سازی شرایط الکترو انباشت برای ساخت و آماده سازی چند لایه های مغناطیسی /غیرمغناطیسی، اثر شرایط الکتروانباشت پالسی روی کاهش مغناطش نانوسیم های آلیاژی fecocu در غلظت های مختلف cu مورد بررسی و مطالعه قرار د...

کاربرد فوق العاده نانوسیم های آلیاژی مغناطیسی در حافظه های مغناطیسی و حسگرهای مغناطیسی gmr باعث اهمیت ویژه این نانوسیم ها شده است. با وجود اینکه نانوسیمهای کبالت در دستگاه های ثبت مغناطیسی عمودی مورد توجه هستند. اما برهم کنش مغناطیسی زیاد کبالت مانع از استفاده بهینه نانوسیم-های کبالت در این دستگاه ها می شود. در این تحقیق بر آن شدیم تا با افزودن یک ماده غیرمغناطیسی مانند zn شرایط مغناطیسی، وادار...

اهمیت روزافزون نانوساختارهای مغناطیسی و کاربرد های متنوع آنها، مطالعه دقیق رفتار مغناطیسی آنها را مورد توجه محققین قرار داده است. یکی از شیوه های مطالعه دقیق و جزئی رفتار مغناطیسی مواد که اخیراً مورد توجه بیشتری قرار گرفته است، روش منحنی-های بازگشتی مرتبه اول (forc) است. در این تحقیق با استفاده از روش forc رفتار مغناطیسی نانوسیم های cozn بر اثر تغییر درصدی zn و تغییر قطر نانوسیم های مورد مطالعه ...

در سال های اخیر نانوسیم های مغناطیسی چندلایه به ویژه چندلایه های مغناطیسی/غیرمغناطیسی، بواسطه هندسه ی منحصر به فرد و تغییرات بزرگ مقاومت که در حضور میدان از خود نشان می دهند، اهمیت نانومغناطیس را به طور قابل ملاحظه افزایش داده اند. در راستای تحقیق و بررسی این نانوساختارها، نانوسیم های چندلایه fe/cu، با بهینه سازی شرایط الکتروانباشت پالسی و در قالب اکسید آندی ساخته شدند. در این پژوهش ساختار و ری...

مطالعه خواص مغناطیسی و بلوری نانوسیم ها در ساخت حافظه های مغناطیسی و نانوسیم-های چند لایه بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. تا کنون آرایه هایی از این نانوسیم ها ساخته شده-اند که از آن جمله می توان به نانوسیم های فرومغناطیس تک عنصری و یا نانوسیم های آلیاژی دوتایی fm/fm مانند cofe و cozn و آلیاژهای سه تایی مانند fecocu اشاره نمود. از آنجا که افزودن هر عنصر غیر مغناطیسی به عناصر مغناطیسی رفتاری من...