امروزه تولید و مطالعه نانوساختار ها بویژه نانوساختارهای تک بعدی با ترکیبات مختلف فلزی (آلیاژ)، اکسید ها و نیمه رساناها، با روند رو به رشدی همراه بوده است. هم چنین نسل جدید دستگاه های الکترونی مینیاتوری سبب شده اند که نانوساختارها مورد توجه بیشتری قرار گیرند. در چند سال گذشته سیم های کوانتومی با عنوان نانوسیم ها و نانومیله ها توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. نانو سیم های نیمرسانا دارای خصوصیات...

در این مقاله، نانوسیم های اکسید روی درون قالب نانوحفره ای آلومینای آندایز شده به روش آندایز دو مرحله ای سنتز شدند. ویژگی های فیزیکی نانوسیم های اکسید روی با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پراکندگی پرتو ایکس و طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و همچنین تغییرات مقاومت الکتریکی با دما توسط سامانه طراحی شده، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که نانوسیم های اکسید روی دارای قطر 66 ...

کلیدزنی اپتیکی نیمرسانا از تابش لیزری کربن دی اکسید در طول موج 6/10 میکرومتر روش ساده تری را نسبت به روش های دیگر تولید تپ های فوق کوتاه پیشنهاد می کند. این روش بر سوار کردن خواص بازتابی و عبوری نیمرسانا توسط کنترل اپتیکی چگالی بار حاملین آزاد قطعه نیمرسانا پایه گذاری شده است.  در این پژوهش، بازتابندگی آینه پلاسمایی برای مواد نیمرسانای  و به هدف بازتابش فروسرخ  به ازای تابش کنترلی nm 616 گزارش ...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

در کار حاضر، ابتدا با استفاده از بسته محاسباتی wien2k و بمنظور بدست آوردن فاز پایدارتر این ترکیب، به بررسی ابتدا به ساکن خواص ساختاری و الکترونی ترکیب bes در چهار فاز ساختاری نیکل آرسناید، سنگ نمک، وورتسایت (wz) و بلند روی (zb) پرداخته‏ایم. سپس بر روی دو فاز پایدارتر wz و zb، و با استفاده از بسته محاسباتی pwscf محاسبات حالت انبوهه را تکرار نموده‏ایم. در نهایت با مدل‏سازی رایانه‏ای، خواص ساختاری...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

اکسید روی (zno) به عنوان یک اکسید رسانای شفاف (tco)، یکی از مهم ترین نیمرسانا های ترکیبی ii-vi است. zno به طور ذاتی، یک نیمرسانا نوع n است؛ درحالی که برای ساخت قطعات اپتوالکترونیک شفاف، هر دو نوع رسانندگی n و p مورد نیاز است. در این رساله، نتایج مطالعات و کارهای تجربی در زمینه های ساخت، مشخصه یابی، و کاربردهای حسگری نانوساختارهای لایه نازک رسانای شفاف zno ارایه گردیده است. در بخش مطالعاتی، در چ...

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.

با رشد و توسعه فزاینده علم و فناور‌ی‌ نانو، کاربرد نانو سنسورها، سیستم‌های نانو الکترومکانیکی، سیستم‌های نانوالکترونیکی و وسایل نانو فتونیکی رو به افزایش است. نانوسیم‌ها به عنوان یکی از اجزاء کلیدی این سیستم‌ها نقش قابل توجهی در عملکرد درست آنها دارند. بنابراین شناخت رفتار مکانیکی- حرارتی نانوسیم‌ها از اهمیت ویژه‌ای برخوردار است. با توجه به مشکلات اجتناب‌ناپذیر در انجام آزمایش‌های تجربی بر روی ...