مواد ترموالکتریک گرادیان دمایی را به الکتریسیته تبدیل می کنند و همچنین قادر به انجام عکس این عمل می باشند . اما ترموالکتریک ها به خاطر کمیت شایستگی پایین خود ، که در کارآیی آنها نقش تعیین کننده ای دارد ، محدودیت کاربردی دارند . از طرفی کمیت شایستگی نانوساختار های یک بعدی به مراتب از همتای کپه ای بزرگ تر است . در این میان نانوسیم سیلیکون به خاطر ویژگی های بدیع از اهمیت بسیاری برخوردار است . در ا...

در این پایان نامه، ساخت سلول های خورشیدی با استفاده از نانوسیم های ژرمانیوم و سیلیکون مورد بررسی قرار گرفت و خواص فتوولتاییک سلول های ساخته شده با استفاده از دستگاه های solar simulator وiviumstat تحت شرایط استاندارد در am1.5 بررسی گردید. جهت بررسی دقیق تر رفتار سلول های خورشیدی ساخته شده و مطالعه ی فاکتورهای موثر بر خواص فتوولتاییک آن ها از شبیه سازی عددی سلول ها با برنامه ی afors-het استفاده ش...

سلول های خورشیدی گرافنی به علت هزینه ساخت پایین و خواص منحصر به فرد گرافن مانند شفافیت نوری، تحرک پذیری بالای حامل ها، مقاومت کم، پایداری شیمیایی و مکانیکی، انعطاف پذیری و مساحت سطحی ویژه بزرگ اخیراً مورد توجه محققان قرار گرفته است. در سالهای اخیر چند گروه تحقیقاتی مطالعاتی در زمینه سلول خورشیدی سد شاتکی گرافن-سیلیکون انجام داده اند اما بهره تبدیل (بازدهی) آنها هنوز برای کاربردهای تجاری کم است و...

در این پژوهش نانوسیم های اکسید روی به روش تبخیر حرارتی پودر zn ، بر روی زیرلایه های شیشه، کوارتز، سیلیکون و فولاد ، تحت شارش گاز آرگون به عنوان گاز حامل و هوا به عنوان گاز واکنش دهنده در دمای 620 درجه سانتیگراد به طور موفقیت آمیزی رشد داده شدند. نمونه های بدست آمده توسط پراش پرتوی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد آنالیز قرار گرفتند. برای بررسی تأثیر کاتالیست بر روی رشد نانوسیم ها، زیرلایه ه...

در این پروژه ابتدا نانوسیم های کبالت- پلاتین به روش الکتروانباشت تهیه و سپس به بررسی خواص مغناطیسی آن ها پرداخته شد. برای بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم های بس لایه ای و آلیاژی کبالت- پلاتین، این نانوسیم ها در نانوحفره های ایجاد شده در سطح زیرلایه سیلیکون، انباشت داده شدند. با محاسبات مغناطومقاومت مشخص شد که با کاهش ضخامت لایه-های بس لایه ای، مغناطومقاومت بزرگ به مغناطومقاومت ناهمسانگرد تبدیل می ش...

در این تحقیق تجربی، مورفولوژی به همراه آنالیز عنصری، خواص ساختاری و اپتیکی نانوساختارهای اکسید سیلیکون رشد داده شده به روش جایگذاری بخار شیمیایی (cvd) بر روی ویفر سیلیکون را مورد بررسی قرار داده ایم. در این مطالعه از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی گسیل گرمایونی (sem)، پراش پرتو ایکس (xrd) و فوتولومینسانس (pl) استفاده کرده ایم. در نمونه های سنتز شده در این روش، نانو ساختارهای اکسید سیلیکون با اس...

چکیده نانو سیم ها به دلیل اینکه در ابعاد نانو هستند،جز دسته نانو ساختار ها محسوب می شوند،نانو ساختارهای آلی که دارای پیوندهای دو گانه بصورت مزدوج می باشند،می توانند به عنوان رسانا مورد استفاده قرار گیرند و در صنعت نانو الکتریک ها بسیار مورد توجه هستند.این نانو سیم ها به هنگام قرار گرفتن در معرض اختلاف پتانسیل می توانند به ساختارهای بر انگیخته الکترونی تبدیل شوند که این مسئله ممکن است مشکلاتی ر...

در این مقاله، نانوسیم های اکسید روی درون قالب نانوحفره ای آلومینای آندایز شده به روش آندایز دو مرحله ای سنتز شدند. ویژگی های فیزیکی نانوسیم های اکسید روی با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پراکندگی پرتو ایکس و طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و همچنین تغییرات مقاومت الکتریکی با دما توسط سامانه طراحی شده، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که نانوسیم های اکسید روی دارای قطر 66 ...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...