در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

ترکیب و تقسیم طول موجی سیگنال های نوری، باعث افزایش حجم اطلاعات مخابره شده در شبکه های انتقال اطلاعات می گردد. توری موجبر آرایه ای(awg) به علت خواص ویژه ای مانند تلفات کم، پایداری بالا و قیمت پایین یکی از قطعات بسیار مورد توجه در سیستم های ترکیب و تقسیم طول موجی می باشد. جداکننده های طول موجی awg بر پایه موجبرهای دفنی سیلیکایی سالها به صورت تجاری مورد استفاده بوده است. با توسعه فناوری نانو می ت...

در این مقاله، نانوسیم های اکسید روی درون قالب نانوحفره ای آلومینای آندایز شده به روش آندایز دو مرحله ای سنتز شدند. ویژگی های فیزیکی نانوسیم های اکسید روی با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پراکندگی پرتو ایکس و طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و همچنین تغییرات مقاومت الکتریکی با دما توسط سامانه طراحی شده، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که نانوسیم های اکسید روی دارای قطر 66 ...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.

با رشد و توسعه فزاینده علم و فناور‌ی‌ نانو، کاربرد نانو سنسورها، سیستم‌های نانو الکترومکانیکی، سیستم‌های نانوالکترونیکی و وسایل نانو فتونیکی رو به افزایش است. نانوسیم‌ها به عنوان یکی از اجزاء کلیدی این سیستم‌ها نقش قابل توجهی در عملکرد درست آنها دارند. بنابراین شناخت رفتار مکانیکی- حرارتی نانوسیم‌ها از اهمیت ویژه‌ای برخوردار است. با توجه به مشکلات اجتناب‌ناپذیر در انجام آزمایش‌های تجربی بر روی ...

در این مقاله با استفاده از روش مکانیک ساختاری و نرم افزار ABAQUS نانو سیم‌های سیلیسیم و مدل‌سازی و تحلیل شده است. میدان‌های نیروی بکار گرقته شده جهت مدل‌سازی در این مطالعه، میدان نیروی DREIDING است. در این تحلیل بار بحرانی کمانشی برای ضخامت-های 1 تا 4 نانومتر با طول‌های 5/0 تا 20 نانومتر محاسبه شده است. نتایج نشان می‌دهد بار بحرانی کمانشی در نسبت های طول به ضخامت نانوسیم، کمتر از 10 از رابطه او...

آرایه ای از نانوسیم های اکسید روی از طریق لایه نشانی فلز طلادر محیط خلأ بر روی زیرلایه ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oc 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگویپراش پرتو ایکس مجموعه ای از قله های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روینشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم های اکسیدروی باطول چندین میکرون تشکیل شده اند. مطالعات طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ی ایکس...

نانوساختارها، به دلیل خصوصیات ابعادیشان، پتانسیل فراوانی برای کاربردهای تکنولوژیکی دارند. این طرح تحقیق، متمرکز بر نحوه محاسبه رسانندگی الکتریکی نانوسیم های فلزی مختلف و بررسی روش های ساخت نانوسیم است. در ابتدا روشهای تولید نانوساختارها و روشهای تولید نانوسیم ها مورد مطالعه قرار می گیرد. سپس با تعریف یک ماتریس دانسیته، تانسور رسانندگی برای سیستم های الکترونی کم بعد معرفی می شود. آنگاه طبق مدل ذ...