رسانش در دمای پایین برای سیستم های دو بعدی مانندترانزیستوراثرمیدان فلز-اکسید-نیمه رسانا مدتی است که مورد توجه قرار گرفته است. آزمایش ها نشان می دهند که یک نیمه رسانا آلاییده در چگالی الکترونی ناخالصی پایین از خود رفتار عایق ودر چگالی الکترونی بالا خاصیت فلزی نشان می دهد. در یک سیستم دو بعدی نظیر ساختار چند لایه ای الکترون ها با ناخالصی های باردار وخنثی برهم کنش ن سهیم می باشند. دراینجا اثر آنه...

چکیده در این کار پژوهشی با لحاظ ناخالصی‌های باردار به عنوان مراکز پراکندگی، اثر آن‌ها را روی رسانش متناظر در یک لایه گرافیت دوبعدی مطالعه می‌کنیم. ابتدا با توجه به اهمیت اثر استتار روی ناخالصی‌ها و تابع پلاریزاسیون استاتیک، با استفاده از تقریب جرم مؤثر و معادلهٔ k.p، رسانش را بر حسب چگالی حامل‌های صفحه‌ای در دماهای مختلف محاسبه و رسم می‌کنیم. نشان داده‌ایم که رسانش در دماهای پایین رفتاری ...

در این تحقیق نانوذرات خالص ZnO و آلیاژی Co-ZnO با درصد های ناخالصی %5 و %10 کبالت و با پیش ماده­های جدید سولفات روی و کلرید کبالت در حضور پایدارسازهای NaBH4 و CTAB با روش همرسوبی ساخته شدند. به منظور تعیین خواص بلوری، اپتیکی و موفولوژیکی از نمونه ها آنالیز­های XRD،TEM FTIR ، EDX، FESEM و UV-DRS صورت گرفت. نتایج ساختاری XRD نشان داد که نمونه های خالص و به همراه ناخالصی دارای ساختار هگزاگونال هست...

ساختار گاف انرژی ابررسانایی، در ابررساناهای غیرمتعارف برای فهم خواص فیزیکی این دسته از ابررساناها بسیار مهم است. در طی دو دهه ی گذشته، ابررساناهای غیرمتعارف با تقارن هایی متفاوت با ابررساناهای موج s معمولی، شامل فرمیون های سنگین(hf) ، ابررساناهای با دمای گذار بالا و ابررساناهای ارگانیک یافت شدند. عدم تقارن وارونی در شبکه بلوری در مقایسه با موردی که دارای تقارن مرکزی است، هم در خصوصیات ابررسا...

در دو دهه گذشته ابررساناهای جدیدی کشف شدند که پارامتر نظم آنها متفاوت با پارامتر نظم موج به دلیل سازوکار فونون واسطه ای پیش بینی شده توسط نظریه بود. پس از کشف اولیه ابررساناهای نامتعارف در ترکیبات فرمیونی سنگین تاکنون، این نوع ابررسانایی در بسیاری از ترکیبات دیگر مانند ابررساناهای مسین با دمای گذار بالا، ابررساناهای فرومغناطیس و مواد آلی مشاهده شده است. وارون فضایی، یک تقارن کلیدی برای تشکیل جف...

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه د...